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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, SDM
(共催)
2009-07-16
11:25
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 レート保証型パケットバッファリング回路の低消費電力化技術
財津和也阪市大)・岩本 久黒田泰斗矢野祐二ルネサステクノロジ)・山本耕次ルネサスデザイン)・井上一成ルネサステクノロジ)・阿多信吾岡 育夫阪市大SDM2009-100 ICD2009-16
高速データ転送を保証する高性能ルータの開発において、パケットバッファの動作保証が非常に困難になっている。我々の研究チーム... [more] SDM2009-100 ICD2009-16
pp.17-22
ICD 2008-12-12
16:35
東京 東工大(大岡山)国際交流会館 [依頼講演] 45nm CMOSにおけるばらつき低減を目的とした基板バイアス制御技術の提案
鹿嶋一生鈴木弘明栗本昌憲ルネサステクノロジ)・山中唯生ルネサスデザイン)・高田英裕ルネサステクノロジ)・牧野博之阪工大)・篠原尋史ルネサステクノロジICD2008-128
微細化プロセスにおけるばらつき抑制を目的としたポストシリコンプログラミング型基板バイアス技術を提案する。提案手法では、ウ... [more] ICD2008-128
pp.137-142
VLD 2008-09-29
13:30
石川 金沢商工会議所会館 [招待講演]エラー検出FFを用いたDVSにおけるShort Path PenaltyとOR-Tree Latencyの低減手法
栗本昌憲鈴木弘明ルネサステクノロジ)・秋山 励山中唯生大熊晴之ルネサスデザイン)・高田英裕篠原尋史ルネサステクノロジVLD2008-47
 [more] VLD2008-47
pp.1-6
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
10:30
東京 機械振興会館 プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM
薮内 誠新居浩二塚本康正大林茂樹今岡 進ルネサステクノロジ)・山上由展石倉 聡寺野登志夫里見勝治赤松寛範松下電器)・篠原尋文ルネサステクノロジSDM2008-131 ICD2008-41
微細化によるランダムばらつき増大によって、SRAMの動作マージンが減少している。これを改善するために、抵抗型リードアシス... [more] SDM2008-131 ICD2008-41
pp.17-22
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
08:55
北海道 北見工業大学 SoCの電源雑音向け微細埋め込み型連続時間雑音検出手法
深澤光弥松野哲郎植村俊文神戸大)・秋山 励ルネサスデザイン)・影本哲哉牧野博之高田英裕ルネサステクノロジ)・永田 真神戸大SDM2007-156 ICD2007-84
SoC上の120箇所に分配された微細埋め込み型雑音検出回路は,電源雑音の連続時間モニタリングを可能にし,SoC内部の電源... [more] SDM2007-156 ICD2007-84
pp.85-90
ICD, ITE-IST
(共催)
2007-07-27
11:10
兵庫 神戸大学瀧川記念学術交流会館 磁界結合パルス伝送方式によるLSIロジックモニター用のフレキシブル高速無線インターフェース
石黒仁揮慶大)・菅原俊彦高畑洋一ルネサスソリューションズ)・岩田俊一ルネサステクノロジ)・滝川 浩ルネサスデザイン)・黒田忠広慶大ICD2007-60
磁界結合パルス伝送方式を用いて、LSIパッケージに封止されたチップの動作を外部からモニターできる着脱可能な高速無線インタ... [more] ICD2007-60
pp.135-140
ICD 2007-04-12
10:00
大分 大分県・湯布院・七色の風 セルフリファレンスセンスアンプを用いた高密度1T-4MTJ MRAM
村井泰光谷崎弘晃ルネサスデザイン)・辻 高晴大谷 順山口雄一郎古田陽雄上野修一大石 司林越正紀日高秀人ルネサステクノロジICD2007-3
1T-4MTJ(1-Transistor 4-Magnetic Tunnel Junction)という高密度なMRAM(... [more] ICD2007-3
pp.13-16
ICD 2007-04-13
09:40
大分 大分県・湯布院・七色の風 [招待講演]A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die
Shigeki OhbayashiMakoto YabuuchiKazushi KonoRenesas Technology)・Yuji OdaShikino High-Tech)・Susumu ImaokaRenesas Design)・Keiichi UsuiDaioh Electric)・Toshiaki YonezuTakeshi IwamotoKoji NiiYasumasa TsukamotoMasashi ArakawaTakahiro UchidaHiroshi MakinoKoichiro IshibashiHirofumi ShinoharaRenesas TechnologyICD2007-11
 [more] ICD2007-11
pp.59-64
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(共催)
RECONF, CPSY, IPSJ-ARC
(併催) [詳細]
2006-11-29
13:30
福岡 北九州国際会議場 [特別講演]SystemVerilogチュートリアル
浜口加寿美松下電器)・明石貴昭日本シノプシス)・湯井丈晴沖ネットワークエルエスアイ)・後藤謙治日本ケイデンス・デザイン・システムズ)・岡本実幸三洋半導体)・杉浦正志図研)・土屋丈彦東芝)・千綿幸雄富士通)・竹田津弘州松下電器)・李 健道メンター・グラフィックス・ジャパン)・高嶺美夫ルネサステクノロジ
 [more] VLD2006-66 DC2006-53 RECONF2006-38
pp.1-13
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
12:05
北海道 北海道大学 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
今岡 進ルネサスデザイン)・新居浩二ルネサステクノロジ)・増田康浩ルネサスデザイン)・薮内 誠塚本康正大林茂樹五十嵐元繁冨田和朗坪井信生牧野博之石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
65nmテクノロジを適用した高密度の8T-dual-port(DP)-SRAMを開発した。プライオリティー行デコーダとビ... [more] SDM2006-148 ICD2006-102
pp.133-136
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
14:35
北海道 北海道大学 65nm混載SRAMでの動作マージン改善回路
薮内 誠大林茂樹新居浩二塚本康正ルネサステクノロジ)・今岡 進ルネサスデザイン)・五十嵐元繁竹内雅彦川島 光牧野博之山口泰男塚本和宏犬石昌秀石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
 [more] SDM2006-151 ICD2006-105
pp.149-153
ICD 2006-04-14
13:50
大分 大分大学 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法について
塚本康正新居浩二ルネサステクノロジ)・今岡 進ルネサスデザイン)・小田祐士シキノハイテック)・大林茂樹薮内 誠牧野博之石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
 [more] ICD2006-18
pp.97-102
ICD 2005-04-15
10:30
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア
辻 高晴ルネサステクノロジ)・谷崎弘晃ルネサスデバイスデザイン)・石川正敏大谷 順山口雄一郎上野修一大石 司日高秀人ルネサステクノロジ
MRAM (Magnetic Random Access Memory) は無制限の書き換え/読み出し回数による高信頼性... [more] ICD2005-13
pp.1-6
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