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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SID-JC
(共催)
ITE-IDY, EID
(連催) [詳細]
2019-08-02
15:05
東京 機械振興会館 [依頼講演]フォルダブルディスプレイ用金属配線材料の特性評価
倉 千晴寺前裕美田内裕基神戸製鋼所)・後藤裕史奥野博行コベルコ科研
フレキシブルディスプレイは従来のフラットパネルディスプレイに対し、薄くて軽い、柔軟であるなどの特徴をもち、将来的に需要が... [more]
HWS, VLD
(共催)
2019-02-27
13:30
沖縄 沖縄県青年会館 SIM型SADPのための環状の配線経路を求める拡大手法
赤塚 駿藤吉邦洋東京農工大VLD2018-98 HWS2018-61
高密度なLSI製造のために、光リソグラフィの露光限界を超えて微細な加工を行う技術として用いられるダブルパターニングの種類... [more] VLD2018-98 HWS2018-61
pp.31-36
LQE, OPE, SIPH
(共催)
2018-12-06
17:10
東京 慶應義塾大学 Numerical design of metal-clad cavity device coupled to InP waveguide for on-chip optical interconnect
Yuguang WangYi XiaoTakuo TanemuraYoshiaki NakanoTokyo Univ.OPE2018-106 LQE2018-116 SIPH2018-22
 [more] OPE2018-106 LQE2018-116 SIPH2018-22
pp.43-46
LQE, OPE, SIPH
(共催)
2018-12-06
17:10
東京 慶應義塾大学 極小光源に向けた波長スケール金属クラッド共振器のトポロジー最適化
渡邉充洋肖 熠種村拓夫中野義昭東大OPE2018-107 LQE2018-117 SIPH2018-23
金属クラッドを持つ微小共振器は、強い光閉じ込め、高い熱伝導率、低いコンタクト抵抗などの利点からオンチップ光配線用光源など... [more] OPE2018-107 LQE2018-117 SIPH2018-23
pp.47-52
CAS, SIP, MSS, VLD
(共催)
2018-06-15
15:25
北海道 北海道大学フロンティア応用科学研究棟 SIM型SADPのための環状の配線経路を求める手法
赤塚 駿藤吉邦洋東京農工大CAS2018-30 VLD2018-33 SIP2018-50 MSS2018-30
高密度なLSI製造のために、光リソグラフィの露光限界を超えて微細な加工を行う技術として用いられるダブルパターニングの種類... [more] CAS2018-30 VLD2018-33 SIP2018-50 MSS2018-30
pp.155-160
CPM 2015-11-06
15:15
新潟 まちなかキャンパス長岡 ラジカル窒化による遷移金属窒化物の有用性
武山真弓佐藤 勝北見工大)・青柳英二東北大)・野矢 厚北見工大CPM2015-89
我々は、遷移金属窒化物を用いて、スパッタとラジカル処理を組み合わせた新たな手法の有用性と問題点を反応性スパッタによって得... [more] CPM2015-89
pp.27-30
OPE 2013-12-20
15:00
東京 機械振興会館 3次元光インターコネクトに向けた金属ミラー付き層間グレーティングカプラ
カン ジュンヒョン渥美裕樹林 侑介鈴木純一久能雄輝雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大OPE2013-142
シリコンフォトニクスによる光インターコネクトは多層構造を導入することで更なる高伝送密度化が可能である。本研究では多層間の... [more] OPE2013-142
pp.25-30
LQE 2013-12-13
09:35
東京 機械振興会館 カプセル型キャビティを用いた微小金属半導体レーザーの設計
張 柏富沖本拓也種村拓夫中野義昭東大LQE2013-125
微小金属InP/InGaAsレーザーの実現に向けて,新規のカプセル型キャビティ構造を提案し, Q値,閉じ込め係数,発振閾... [more] LQE2013-125
pp.1-6
CPM 2012-10-26
17:55
新潟 まちなかキャンパス長岡 Cu/metal/SiO2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I) ~ Va遷移金属の拡散挙動 ~
武山真弓野矢 厚北見工大CPM2012-103
LSIにおいて、Cu配線と層間絶縁膜との間には、優れたバリヤ特性を有するバリヤが必要不可欠である。しかしながら、これまで... [more] CPM2012-103
pp.55-60
CPM 2011-08-10
15:20
青森 弘前大学 文京町キャンパス 組成を変化させたZrBx薄膜の特性評価
武山真弓佐藤 勝野矢 厚北見工大CPM2011-61
我々は、先に検討したZrB2薄膜に固有の電気的・化学的特性が非化学量論組成の薄膜においても保持されるのかどうかを検討する... [more] CPM2011-61
pp.27-30
SDM 2011-02-07
16:25
東京 機械振興会館 メタルハードマスクプロセスを用いた32nm以細対応ELK配線技術
松本 晋原田剛史森永泰規稲垣大介柴田潤一田代健二可部達也岩崎晃久平尾秀司筒江 誠野村晃太郎瀬尾光平樋野村 徹虎澤直樹鈴木 繁パナソニックSDM2010-226
ELK(Extremely Low-k, k=2.4)を用いた高性能な32nm世代多層配線を開発した。その新規主要技術は... [more] SDM2010-226
pp.59-63
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2010-11-29
13:30
福岡 九州大学医学部百年講堂 [招待講演]LSI配線の課題と光配線
横山 新雨宮嘉照広島大CPM2010-128 ICD2010-87
現在のLSIの問題点として,長距離(グローバル)金属配線技術の増大する配線遅延と消費電力を指摘し,その解決法として,伝送... [more] CPM2010-128 ICD2010-87
pp.25-30
SDM 2010-02-05
14:00
東京 機械振興会館 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術
林 裕美松永範昭和田 真中尾慎一坂田敦子渡邉 桂柴田英毅東芝SDM2009-187
Cu配線におけるシリサイドキャップはエレクトロマイグレーション(EM)信頼性を高める選択キャップ技術として有望であるが、... [more] SDM2009-187
pp.31-36
CPM 2009-08-11
10:50
青森 弘前大学 ZrBx薄膜の特性評価とCu多層配線への応用
武山真弓佐藤 勝北見工大)・早坂祐一郎青柳英二東北大)・野矢 厚北見工大CPM2009-43
先に我々は、ZrB2 という新たな材料の基本的な特性を評価したが、その際ZrB2 膜は、下地基板の導電性によって、その抵... [more] CPM2009-43
pp.51-55
ED 2008-06-13
15:20
石川 金沢大学 角間キャンパス Wet Cleaning Processing of VLSI Devices by Functional Waters
Masako KoderaYoshitaka MatsuiNaoto MiyashitaToshibaED2008-27
 [more] ED2008-27
pp.29-34
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