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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-01-31 15:50 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング ○高木信一・トープラサートポン カシディット・名幸瑛心・鈴木陸央・閔 信義・竹中 充・中根了昌（東大）  SDM2023-80 |
高いエネルギー効率をもつエッジAI計算への応用に向けて、強誘電体HfZrO2/Si FeFETを用いた物理リザバーコンピ... [more] | SDM2023-80 pp.24-27 |
| CPM | 2020-10-29 16:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 抵抗変化メモリに適用可能なZrO2膜の低温作製 ○佐藤 勝・川合祐貴・向井高幸・武山真弓（北見工大） CPM2020-21 |
抵抗変化メモリに適用可能な絶縁膜を形成するために、我々は、ZrO2膜の低温作製を行ってきた。本研究で得られたZrO2膜は... [more] | CPM2020-21 pp.38-40 |
| SDM | 2017-10-26 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構/JST）・澤本直美（明大）・大井暁彦・池田直樹・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2017-57 |
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] | SDM2017-57 pp.39-44 |
| ED | 2017-04-20 13:30 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 本館 ６階 大会議室 | ZrO2界面修飾による色素増感太陽電池の高効率化 ○野口雄祐・鹿又健作・三浦正範・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） ED2017-1 |
色素増感太陽電池で高い発電効率を得るには、TiO_2電極表面の色素吸着量の増加、TiO_2電極と電解液間における電子の再... [more] | ED2017-1 pp.1-4 |
| SDM | 2016-06-29 11:55 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・澤田朋実（物質・材料研究機構/JST）・栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・澤本直美（明大）・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2016-37 |
本研究では、原子層堆積法によって作製したZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ)多層絶縁膜を用いたTiN/ZAZ/Ti... [more] | SDM2016-37 pp.27-32 |
| OFT | 2014-10-23 13:25 |
兵庫 | 三宮コンベンションセンター | ZrO2-SiO2系超高ΔPLCデバイスの開発 ○内田泰芳・山﨑慎太郎・高橋正典・長谷川淳一・八木 健（古河電工） OFT2014-24 |
現在、平面光導波路（Planar lightwave circuit : PLC）には小型化、高密度集積化などが求められ... [more] | OFT2014-24 pp.7-12 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 15:50 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの界面特性 ○樹神真太郎・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2013-87 CPM2013-146 LQE2013-122 |
原子層堆積（ALD）法によりZrO2/Al2O3積層膜を堆積させ、この膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオー... [more] | ED2013-87 CPM2013-146 LQE2013-122 pp.107-112 |
| ICD | 2008-04-17 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術 ○白井浩樹・石川亮佑・伊藤雄一・北村卓也・竹内麻美・佐甲 隆・井上 顕・川崎 澄・勝木信幸・星崎博之・桑原愼一・夏目秀隆・坂尾眞人・谷川高穂（NECエレクトロニクス） ICD2008-4 |
コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM デバイス技術について報告する。我々は150nm 世代より低消費電力かつ高速... [more] | ICD2008-4 pp.19-24 |
| OPE | 2007-12-14 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | 異種材料フェルール間PC接続の信頼性 ○三田地成幸（東京工科大） |
Fiber to the home において広く用いられている光コネクタの低価格化に向け、構成部品における主なコスト要因... [more] | OPE2007-138 pp.15-20 |
| CPM | 2007-11-16 15:35 |
新潟 | 長岡技術科学大学 | ガスフロースパッタ法で作製されたZrO2膜をバッファ層として用いたNiCr薄膜抵抗の抵抗温度係数 ○岩坪 聡（富山県工技センター） CPM2007-110 |
ZrO2膜をNiCr膜と基板との熱ひずみのバッファ層として用いた場合のNiCr抵抗体の抵抗温度係数(Temperatur... [more] | CPM2007-110 pp.29-34 |
| ICD | 2007-04-12 10:40 |
大分 | 大分県・湯布院・七色の風 | MIM(Metal-Insulator-Metal) キャパシタを用いた混載DRAM用デバイステクノロジー ○谷川高穂・山縣保司・白井浩樹・杉村啓世・和気智子・井上 顕・佐甲 隆・坂尾眞人（NECエレクトロニクス） ICD2007-4 |
MIMキャパシタを用いた混載DRAMデバイス技術について報告する。我々は150nm世代よりLowパワーかつ高速アクセス性... [more] | ICD2007-4 pp.17-22 |
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