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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2018-10-17 16:05 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Si(100)表面原子レベル平坦化プロセスを用いたHf系MONOS型不揮発性メモリ作製プロセスに関する検討 ○工藤聡也・堀内勇介・大見俊一郎（東工大）  SDM2018-55 |
我々は高速・低電圧動作可能な不揮発性メモリ実現のために、Si(100)表面を原子レベル平坦化した基板上にHf系MONOS... [more] | SDM2018-55 pp.15-19 |
| SDM | 2017-10-25 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 局所的ストレス誘起ゲートリーク電流の統計的分布の解析とSi表面平坦化工程による低減 朴 賢雨・○黒田理人・後藤哲也・諏訪智之・寺本章伸・木本大幾・須川成利（東北大） SDM2017-51 |
3種の異なるゲートサイズを有する多数のnMOSトランジスタのストレス誘起ゲートリーク電流(Stress Induced ... [more] | SDM2017-51 pp.9-14 |
| SDM | 2017-10-25 15:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | 化学酸化膜を用いたAr/H2熱処理によるSi表面原子レベル平坦化とHf系MONOS構造への応用 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） SDM2017-52 |
従来の浮遊ゲート型に代わる不揮発性メモリとして、MONOS型不揮発性メモリが注目されている。MONOS型不揮発性メモリの... [more] | SDM2017-52 pp.15-19 |
| SDM | 2016-10-27 11:15 |
宮城 | 東北大学未来研 | Si基板表面平坦化によるHf系MONOS構造の電気特性向上に関する検討 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） SDM2016-76 |
従来の浮遊ゲート型に代わる不揮発性メモリ構造として、高集積化に適したMONOS型不揮発性メモリが注目されている。本研究で... [more] | SDM2016-76 pp.39-44 |
| SDM | 2015-10-29 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | Ar/H2混合ガス熱処理によるSi表面平坦化プロセスの検討 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） SDM2015-72 |
超高純度Arを用いた高清浄雰囲気における熱処理により、Si表面を原子レベルで平坦化できることが報告されている。本研究では... [more] | SDM2015-72 pp.7-12 |
| SDM | 2015-10-29 16:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 原子オーダー平坦なゲート絶縁膜/シリコン界面を導入したMOSFETの電気的特性 ○後藤哲也・黒田理人・諏訪智之・寺本章伸・小原俊樹・木本大幾・須川成利（東北大）・鎌田 浩・熊谷勇喜・渋沢勝彦（ラピスセミコンダクタ宮城） SDM2015-74 |
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を，テクノロジーノード0.22umのshallow trench isolation ... [more] | SDM2015-74 pp.17-22 |
| SDM | 2014-10-16 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入 ○後藤哲也・黒田理人・赤川直矢・諏訪智之・寺本章伸・李 翔・小原俊樹・木本大幾・須川成利・大見忠弘（東北大）・熊谷勇喜・鎌田 浩・渋沢勝彦（ラピスセミコンダクタ宮城） SDM2014-85 |
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を，テクノロジーノード0.22mのshallow trench iso... [more] | SDM2014-85 pp.7-12 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | High Integrity Gate Insulator Films on Atomically Flat Silicon Surface ○Xiang Li・Rihito Kuroda・Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） ED2010-93 SDM2010-94 |
A low temperature atomically flattening technology for Si(10... [more] | ED2010-93 SDM2010-94 pp.183-188 |
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