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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
DC 2009-06-19
10:45
東京 機械振興会館 SoC向けMBISTにおける歩留りと面積のトレードオフに関する一考察
新井雅之遠藤辰朗岩崎一彦首都大東京)・中尾教伸鈴木 巌ルネサステクノロジDC2009-11
本研究では,メモリBIST回路の面積削減手法,および歩留りと面積を考慮したSRAMへの冗長割り当てアルゴリズムの有効性に... [more] DC2009-11
pp.7-12
DC 2009-06-19
15:35
東京 機械振興会館 システマティック故障を検出するための故障診断技術と事例
山元廣志和田弘樹小串 亨中尾教伸ルネサステクノロジDC2009-17
半導体製造プロセスの微細化や複雑化に伴い,故障モードが多様となっており,製品の歩留り向上・品質確保のためには,その製品で... [more] DC2009-17
p.35
SDM 2008-10-10
13:00
宮城 東北大学 B18H22注入のミリ秒アニールに対する適用性
川崎洋司遠藤誠一北澤雅志丸山祥輝山下朋弘黒井 隆吉村秀文米田昌弘ルネサステクノロジSDM2008-161
B18H22注入のミリ秒アニールに対する適用性を調べた。ミリ秒アニールとスパイクアニールのフローを持つPMOSFETにお... [more] SDM2008-161
pp.37-40
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
15:05
東京 機械振興会館 ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現
亀代典史渡部隆夫石井智之峰 利之日立)・佐野聡明ルネサス北日本セミコンダクタ)・伊部英史秋山 悟日立)・柳沢一正一法師隆志岩松俊明高橋保彦ルネサステクノロジSDM2008-136 ICD2008-46
SESO (Single Electron Shut-off)トランジスタのプロセスを見直し、ロジックプロセス互換性を実... [more] SDM2008-136 ICD2008-46
pp.47-52
ICD 2008-04-18
10:25
東京 機械振興会館 [招待講演]自動車用MCU対応8kB EEPROMエミュレーションデータフラッシュモジュールと混載フラッシュの動向
河井伸治細金 明久家重博阿部俊広橋本康平大石 司辻 直樹榊原清彦野口健二ルネサステクノロジICD2008-9
この論文は、メモリセルとして2つの独立したチャンネルを持つDual-channel NOR-type flash mem... [more] ICD2008-9
pp.45-50
SDM, VLD
(共催)
2007-10-31
15:00
東京 機械振興会館 微細CMOSアナログ小信号パラメータの簡易モデル
黄田 剛・○大川眞一増田弘生ルネサステクノロジVLD2007-67 SDM2007-211
微細デバイスではCMOSデバイスのしきい電圧・ドレイン電流のミスマッチ特性が劣化する。これは、デジタル回路ではタイミング... [more] VLD2007-67 SDM2007-211
pp.35-39
SDM, VLD
(共催)
2007-10-31
15:50
東京 機械振興会館 微細CMOSアナログ回路のミスマッチモデリングの動向
増田弘生黄田 剛大川眞一ルネサステクノロジVLD2007-69 SDM2007-213
微細デバイスではCMOSデバイスのしきい電圧・ドレイン電流のミスマッチ特性が劣化する。これは、デジタル回路ではタイミング... [more] VLD2007-69 SDM2007-213
pp.47-54
ICD, SDM
(共催)
2007-08-23
09:20
北海道 北見工業大学 54倍速AACエンコードを実現するヘテロジニアスマルチコアアーキテクチャの検討
鹿野裕明日立/早大)・伊藤雅樹戸高貴司津野田賢伸兒玉征之小野内雅文内山邦男日立)・小高俊彦日立/早大)・亀井達也永濱 衛草桶 学新田祐介ルネサステクノロジ)・和田康孝木村啓二笠原博徳早大SDM2007-143 ICD2007-71
汎用プロセッサ(CPU) コアとアクセラレータ(ACC) コアを複数個集積したヘテロジニアスマルチコアプロセッサ(HMC... [more] SDM2007-143 ICD2007-71
pp.11-16
ICD, ITE-IST
(共催)
2007-07-26
09:20
兵庫 神戸大学瀧川記念学術交流会館 1V以下で動作可能なトリミングフリーCMOSバンドギャップ基準電圧発生回路
奥田裕一・○塚本隆幸平木 充堀口真志伊藤崇泰ルネサステクノロジICD2007-39
本稿では、1V以下で動作可能なトリミングフリーCMOSバンドギャップ基準電圧発生回路を提案する。提案するバンドギャップ基... [more] ICD2007-39
pp.11-15
ICD 2007-04-12
11:10
大分 大分県・湯布院・七色の風 [招待講演]書換え電流100μA、書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ
小田部 晃半澤 悟日立)・北井直樹日立超LSIシステムズ)・長田健一松井裕一松崎 望高浦則克日立)・茂庭昌弘ルネサステクノロジ)・河原尊之日立ICD2007-5
0.13μm,1.5V CMOS技術を用いて,混載向け512kB相変化メモリを試作した。既開発の低電力相変化メモリセルを... [more] ICD2007-5
pp.23-28
MW, ED
(共催)
2007-01-17
09:45
東京 機械振興会館 NTCサーミスタを用いたW-CDMA用PAモジュールの利得の温度特性改善
栗山 哲日立)・湯山茂浩ルネサステクノロジ)・大西正己松本秀俊日立)・田上知紀大部 功ルネサステクノロジ
W-CDMA携帯電話端末用PAモジュールにおける利得の温度特性改善の検討結果を報告する。利得制御バイアス回路を用いてトラ... [more] ED2006-200 MW2006-153
pp.1-5
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(共催)
RECONF, CPSY, IPSJ-ARC
(併催) [詳細]
2006-11-29
13:30
福岡 北九州国際会議場 [特別講演]SystemVerilogチュートリアル
浜口加寿美松下電器)・明石貴昭日本シノプシス)・湯井丈晴沖ネットワークエルエスアイ)・後藤謙治日本ケイデンス・デザイン・システムズ)・岡本実幸三洋半導体)・杉浦正志図研)・土屋丈彦東芝)・千綿幸雄富士通)・竹田津弘州松下電器)・李 健道メンター・グラフィックス・ジャパン)・高嶺美夫ルネサステクノロジ
 [more] VLD2006-66 DC2006-53 RECONF2006-38
pp.1-13
ICD 2005-05-27
13:00
兵庫 神戸大学 シングルチップSi-LDMOSによるGSM用パワーアンプ
清水敏彦松永良国櫻井 智ルネサステクノロジ)・吉田 功ATN)・堀田正生武蔵工大
クアッドバンド対応の欧州携帯電話(GSM)向けのパワーアンプを、整合回路と全ての制御回路をオンチップ集積化したチップサイ... [more] ICD2005-32
pp.25-29
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