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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2013-11-14 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 低温RTAにおけるSi中のSの挙動とS2形成の原子レベルシミュレーション ○金村貴永・加藤弘一・谷本弘吉・青木伸俊・豊島義明（東芝）  SDM2013-102 |
NiSi/Si界面にSを注入するとショットキーバリアーが殆ど0にまで低減することが近年報告されている。この低減は界面近傍... [more] | SDM2013-102 pp.15-20 |
| SDM | 2013-02-04 11:25 |
東京 | 機械振興会館 | Line-Edge Roughnessを考慮した微細金属配線のモンテカルロ・シミュレーション（仮題） ○来栖貴史・谷本弘吉・和田 真・磯林厚伸・梶田明広・青木伸俊・豊島義明（東芝） |
[more] | |
| SDM | 2009-11-13 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | 微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション ○来栖貴史・和田 真・松永範昭・梶田明広・谷本弘吉・青木伸俊・豊島義明・柴田英毅（東芝） SDM2009-145 |
LSIの金属配線設計において、サイズ縮小に伴って配線の抵抗率が上昇するという“抵抗率のサイズ効果”が問題となっている．次... [more] | SDM2009-145 pp.55-60 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 14:10 |
東京 | 機械振興会館 | シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討 ○辻井秀二・外園 明・藤原 実・川中 繁・東 篤志・青木伸俊・豊島義明（東芝） VLD2007-56 SDM2007-200 |
[more] | VLD2007-56 SDM2007-200 pp.27-32 |
| SDM | 2007-06-08 09:50 |
広島 | 広島大学（学士会館） | SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング ○下川淳二・遠田利之・青木伸俊・谷本弘吉・伊藤早苗・豊島義明（東芝） SDM2007-41 |
SiO${}_2$ pMOSFETに対するNBTI劣化のモデルとして，理論的なモデルは反応拡散モデルが，実験的なモデルは... [more] | SDM2007-41 pp.55-58 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善 ○金村貴永・泉田貴士・青木伸俊・近藤正樹・伊藤早苗・遠田利之・岡野王俊・川崎博久・八木下淳史・金子明生・稲葉 聡・中村光利・石丸一成・須黒恭一・江口和弘（東芝） |
3次元プロセス/デバイスシミュレーションを用いてbulk-FinFETの構造とイオン注入条件の最適化を検討した。チャネル... [more] | VLD2006-43 SDM2006-164 pp.25-29 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 11:40 |
北海道 | 北海道大学 | hp32 nm ノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk FinFETで構成されたSRAM技術について 川崎博久（東芝アメリカ電子部品）・○稲葉 聡・岡野王俊・金子明生（東芝）・八木下淳史（東芝アメリカ電子部品）・泉田貴士・金村貴永・佐々木貴彦・大塚伸朗・青木伸俊・須黒恭一・江口和弘・綱島祥隆（東芝）・石丸一成（東芝アメリカ電子部品）・石内秀美（東芝） |
[more] | SDM2006-147 ICD2006-101 pp.127-132 |
| ICD | 2006-04-13 11:35 |
大分 | 大分大学 | 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発 ○中島博臣・南 良博・篠 智彰（東芝）・坂本篤史（東芝情報システム）・東 知輝（東芝マイクロエレクトロニクス）・楠 直樹・藤田勝之・初田幸輔・大澤 隆・青木伸俊・谷本弘吉・森門六月生・井納和美・浜本毅司・仁田山晃寛（東芝） |
SOI基板上にFBC(Floating Body Cell)とよぶメモリセルを用いて90nmCMOSコンパチの128Mb... [more] | ICD2006-5 pp.25-30 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 14:40 |
北海道 | 函館国際ホテル | FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計 ○岡野王俊・石田達也・佐々木貴彦・泉田貴士・近藤正樹・藤原 実・青木伸俊・稲葉 聡・大塚伸朗・石丸一成・石内秀美（東芝） |
FinFETを用いたhp22nm nodeのSRAMの実現可能性について、Static Noise Margin(SNM... [more] | SDM2005-154 ICD2005-93 pp.67-72 |
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