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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
11:30
大阪 大阪市立大学 GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定
杉浦洋平網谷良介多次見大樹工学院大)・尾沼猛儀東京高専)・山口智広本田 徹工学院大ED2012-68 CPM2012-125 LQE2012-96
六方晶(0001)GaN(Ga面)の表面フェルミ準位変化について、X線光電子分光法(XPS)を用い、表面酸化物量と関連づ... [more] ED2012-68 CPM2012-125 LQE2012-96
pp.13-15
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-11
10:50
大阪 阪大 中ノ島センター 疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長
本田 徹林 才人後藤大雅井垣辰浩工学院大ED2010-144 CPM2010-110 LQE2010-100
GaN系低コスト集積化発光素子の実現は小型フラットパネルディスプレイの高輝度化の点から注目されている.集積密度向上のため... [more] ED2010-144 CPM2010-110 LQE2010-100
pp.11-14
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
16:45
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) ショットキー型紫外発光ダイオードを用いたRGB発光素子の製作
本田 徹野崎 理坂井直之野口和之工学院大ED2009-143 CPM2009-117 LQE2009-122
 [more] ED2009-143 CPM2009-117 LQE2009-122
pp.71-74
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
13:35
愛知 名古屋工業大学 GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減
本田 徹小宮山重利増山佳宏渡邊謙二工学院大ED2008-159 CPM2008-108 LQE2008-103
GaN系集積型発光素子は、マイクロディスプレイなどへの応用が期待されている。これまでに高効率発光ダイオードがGaInN系... [more] ED2008-159 CPM2008-108 LQE2008-103
pp.33-36
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-11
14:30
福井 福井大学 金属・酸化物・GaN接触を利用した紫外発光ダイオードの製作
小宮山重利野口和之増山佳宏吉岡香織本田 徹工学院大
 [more]
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-12
16:05
福井 福井大学 分子プレカーサー法によるMgZnO薄膜の製作と紫外透明電極への応用検討
増山佳宏吉岡香織小宮山重利安達信助佐藤光史本田 徹工学院大
 [more]
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-06
13:15
京都 京都大学 有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUV LEDの製作
小林俊章小宮山重利増山佳宏本田 徹工学院大
 [more] ED2006-167 CPM2006-104 LQE2006-71
pp.83-86
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-06
14:05
京都 京都大学 CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給
新井雅俊杉本浩一江川慎一馬場太一澤田 勝本田 徹工学院大
パルス状原料供給を行った化合物原料分子線堆積(CS-MBD)法を用いてGaN薄膜の製作を行った.パルス状原料供給により,... [more] ED2006-169 CPM2006-106 LQE2006-73
pp.93-96
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-14
09:40
滋賀 立命館大学 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積
小林俊章平山航史江川慎一秋山誠和子杉本浩一馬場太一本田 徹川西英雄工学院大
 [more] ED2005-141 CPM2005-128 LQE2005-68
pp.9-12
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-14
10:00
滋賀 立命館大学 GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討
馬場太一秋山誠和子江川慎一小林俊章蓮沼範行本田 徹川西英雄工学院大
 [more] ED2005-142 CPM2005-129 LQE2005-69
pp.13-16
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