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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2023-08-01
09:45
北海道 北見工業大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
3°オフ角Si(110)基板上へのSiC/AlN多層構造の作製およびグラフェンの形成
齋藤遼佑奈良友奎葛西大希郡山春人遠田義晴中澤日出樹弘前大CPM2023-19
3 ̊オフ角Si(110)基板上にパルスレーザーアブレーション(PLD)法によりAlN薄膜を作製し、AlN上にモノメチル... [more] CPM2023-19
pp.29-32
SS 2023-03-15
13:45
沖縄 名護市産業支援センター
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
アブレーションによる故障箇所特定における符号化方法とアブレーション方法の改善
池田拓真岡野浩三小形真平信州大)・中島 震NIISS2022-67
プログラムの実行情報を用いてソースコードの故障箇所を特定する技術としてSpectrum-based Fault Loca... [more] SS2022-67
pp.121-126
SIP, BioX, IE, MI
(共催)
ITE-IST, ITE-ME
(共催)
(連催) [詳細]
2022-05-19
15:10
熊本 熊本大学工学部黒髪キャンパス南地区
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
機械学習を用いたECG信号及びCT画像からの不整脈焼灼点予測
大村和元GEヘルスケア・ジャパン)・山形研一郎草野研吾NCVC)・植竹 望GEヘルスケア・ジャパンSIP2022-13 BioX2022-13 IE2022-13 MI2022-13
カテーテルアブレーションは不整脈における重要な治療法である。術前の焼灼点予測には3D電気解剖学的マッピング装置が用いられ... [more] SIP2022-13 BioX2022-13 IE2022-13 MI2022-13
pp.71-75
SS 2022-03-07
11:20
ONLINE オンライン開催 テスト実行結果を自動分類するための機械学習モデルを利用した実行トレースのアブレーションとメソッド単位でのバグ箇所推定
池田拓真岡野浩三小形真平信州大)・中島 震NIISS2021-44
テスト実行の結果を自動的に分類する課題はテストオラクル問題と呼ばれる. これはテスト自動化における重要な課題である.
... [more]
SS2021-44
pp.13-18
CPM 2019-08-26
15:50
北海道 北見工業大学 1号館2F A-207講義室 オフ角Si(110)基板上AlN層の形成とその上へのSiCヘテロエピタキシャル成長
中澤日出樹奈良友奎葛西大希弘前大CPM2019-42
これまで、AlN/Si基板上にSiC低温バッファ層を形成しその上にSiC薄膜を成長させた後、高温加熱を施すことでグラフェ... [more] CPM2019-42
pp.23-28
CPM, IEE-MAG
(連催)
2018-11-02
10:50
新潟 まちなかキャンパス長岡 リン酸塩蛍光体材料に添加したEuの化学的および光学的な還元特性
蔦 将哉吉荒就斗加藤有行長岡技科大)・中村 奨長岡高専CPM2018-49
蛍光体材料に添加される希土類イオンのEuはその価数(Eu3+,Eu2+)により発光色が変化する特徴をもつ.通常,酸化物中... [more] CPM2018-49
pp.65-68
CPM 2018-08-09
14:50
青森 弘前大学文京町地区キャンパス SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長
中澤日出樹成田舜基奈良友奎遠田義晴弘前大CPM2018-9
3ºオフ角を有するSi(110)基板上に、レーザーアブレーション法を用いて様々な成長条件でAlN薄膜を作製した結果、レー... [more] CPM2018-9
pp.7-12
CPM 2018-08-09
15:10
青森 弘前大学文京町地区キャンパス SiC/SiCバッファ層/AlN/Si(110)多層構造におけるSiCバッファ層形成条件の検討
奈良友奎工藤あさひ中澤日出樹弘前大CPM2018-10
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3ºオフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモ... [more] CPM2018-10
pp.13-16
R, EMD, CPM, LQE, OPE
(共催)
2017-08-31
13:55
青森 弘前文化センター レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長
奈良友奎成田舜基中澤日出樹弘前大R2017-25 EMD2017-19 CPM2017-40 OPE2017-49 LQE2017-22
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3°オフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモ... [more] R2017-25 EMD2017-19 CPM2017-40 OPE2017-49 LQE2017-22
pp.7-10
CPM 2015-08-10
13:20
青森 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上SiC薄膜の作製と評価
目黒一煕成田舜基・○中澤日出樹弘前大CPM2015-31
AlN/Si(110)基板上にSiC低温バッファ層を形成後、その層上にレーザーアブレーション法により基板温度およびレーザ... [more] CPM2015-31
pp.1-5
CPM 2015-08-10
14:00
青森 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上へのSiC成長
成田舜基目黒一煕中澤日出樹弘前大CPM2015-33
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi(110)基板上にAlN層を形成し、結晶性および表面モフォロジ... [more] CPM2015-33
pp.11-14
CPM 2014-09-04
13:55
山形 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 オフ角Si(001)基板上に形成したAlN層上へのSiCヘテロエピタキシャル成長
目黒一熙成田次理上村駿洋中澤日出樹弘前大CPM2014-76
4ºオフ角Si(100)基板およびSi(110)基板上に、窒化アルミニウム(AlN)ターゲットを用いたレーザーアブレーシ... [more] CPM2014-76
pp.7-12
CPM 2011-08-10
13:00
青森 弘前大学 文京町キャンパス レーザーアブレーション法によるAlN成長のSi基板面方位依存性
鈴木大樹熊谷知貴中澤日出樹弘前大CPM2011-56
KrFエキシマーレーザーおよび窒化アルミニウム(AlN)ターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi(100)基... [more] CPM2011-56
pp.1-6
LQE, LSJ
(共催)
2011-05-20
16:05
石川 金沢大学 角間キャンパス コヒーレント軟X線を用いたフェムト秒レーザーアブレーション過程のイメージング
富田卓朗徳島大)・寺川康太東大)・山本 稔徳島大)・長谷川 登原子力機構)・南 康夫東大)・錦野将元越智義浩海堀岳史河内哲哉山極 満原子力機構)・末元 徹東大LQE2011-13
日本原子力研究開発機構で開発された、短パルスコヒーレント軟X線光源(レーザープラズマX線レーザー)を用いた、フェムト秒ア... [more] LQE2011-13
pp.53-57
EA, US
(併催)
2011-01-20
13:00
京都 同志社大学京田辺キャンパス医心館 N-A, N-B Nd:YAGレーザ誘起インパルス応力波の創発に関する理論的検討
得永嘉昭吉村政俊西脇基晃會澤康治小木美恵子金沢工大US2010-96
細胞膜への遺伝子導入のための創発的インパルス応力波に関する理論的な検討を試みた。光エネルギ源は最大ピークエネルギ: 20... [more] US2010-96
pp.25-30
CPM 2010-07-30
10:20
北海道 道の駅しゃり 会議室 レーザーアブレーション法によるSi基板上AlN薄膜の形成
中澤日出樹鈴木大樹遲澤遼一岡本 浩弘前大CPM2010-38
KrFエキシマレーザーおよび窒化アルミニウム(AlN)ターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi基板上にAlN... [more] CPM2010-38
pp.39-44
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