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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2016-04-14 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計 ○小池洋紀・三浦貞彦・本庄弘明・渡辺俊成・佐藤英夫・佐藤創志・那須野 孝・野口靖夫・安平光雄・谷川高穂・丹羽正昭・伊藤顕知・池田正二・大野英男・遠藤哲郎（東北大）  ICD2016-10 |
高密度1T-1MTJ STT-MRAM実現に最適な，高ばらつき耐性・高動作マージンリファレンス電圧（Vref）生成回路，... [more] | ICD2016-10 pp.51-56 |
| ICD | 2013-04-12 13:30 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［招待講演］統計手法を利用した極低電圧SRAM向けセンスアンプタイミング生成回路 ○川澄 篤・武山泰久・平林 修・櫛田桂一・橘 文彦・仁木祐介・佐々木慎一・矢部友章（東芝） ICD2013-18 |
SRAMの消費電力を低減させるためには，低電圧動作が有効である．低電圧化に伴ってトランジスタのランダムばらつきの影響が大... [more] | ICD2013-18 pp.91-96 |
| ICD | 2013-04-12 15:55 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］0.3Vマッチ線センスアンプを用いた65nm CMOS 250MHz動作18Mb TCAM ○林 勇・天野照彦・渡邊直也・矢野祐二・黒田泰人・白田真也・堂阪勝己・新居浩二・野田英行・河合浩行（ルネサス エレクトロニクス） ICD2013-22 |
0.3Vマッチ線センスアンプ方式を用いた18Mbit TCAMを65nm バルクCMOSで設計、試作した。ダイサイズは9... [more] | ICD2013-22 pp.115-120 |
| ICD, IPSJ-ARC (連催) |
2013-02-01 11:40 |
東京 | 早稲田大学グリーン・コンピューティング・システム研究開発センター | 電圧センスアンプを用いたReRAMの多値化のための読み出し・書き込み回路 ○伊部泰貴・中山和也・北川章夫（金沢大） ICD2012-126 |
ReRAMの多値化に向け，既存の電圧センスアンプを利用した読み出し回路を提案する．ReRAM素子のビット線とグランドの間... [more] | ICD2012-126 pp.45-49 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 13:40 |
富山 | 富山県民会館 | 4F2 DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ ○柳川善光・関口知紀・小田部 晃・小埜和夫・竹村理一郎（日立） SDM2011-89 ICD2011-57 |
通常25 fF程度確保するキャパシタ容量に対し，20 fF以下しか確保できないような状況でも安定して動作可能な4$F^2... [more] | SDM2011-89 ICD2011-57 pp.93-97 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2011-07-21 09:55 |
広島 | 広島工業大学 | 基板バイアス制御を用いた超低電圧センスアンプ回路の高速化 ○増田長太郎・廣瀬哲也・大崎勇士・黒木修隆・沼 昌宏（神戸大） ICD2011-22 |
本研究は，センスアンプの性能向上を目的とし，消費電力を増加させることなく 高速動作を実現する手法を提案する．提案するセ... [more] |
ICD2011-22 pp.7-12 |
| ICD | 2011-04-19 09:55 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | [依頼講演]デジタル化したレプリカビット線遅延を用いたランダムばらつきに強いSRAMセンスアンプタイミング生成回路 ○仁木祐介・川澄 篤・鈴木 東・武山泰久・平林 修・櫛田桂一・橘 文彦・藤村勇樹・矢部友章（東芝） ICD2011-9 |
SRAMの消費電力を低減させるためには，低電圧で動作させることが有効である．しかしながら，低電圧化に伴ってトランジスタの... [more] | ICD2011-9 pp.49-54 |
| ICD | 2010-04-22 11:15 |
神奈川 | 湘南工大 | 直列レプリカビット線技術を使用した40nm低電力SRAM ○小松成亘・山岡雅直（日立）・森本薫夫・前田徳章・島崎靖久（ルネサステクノロジ）・長田健一（日立） ICD2010-4 |
微細化に伴うVth ばらつきの増加によって、SRAM のアクセス遅延が増加し問題となっている。センスアンプ起動タイミング... [more] | ICD2010-4 pp.17-21 |
| ICD | 2010-04-22 12:05 |
神奈川 | 湘南工大 | 0.5 V DRAMアレイ向け低しきい値CMOSプリアンプ ○小田部 晃・柳川善光・秋山 悟・関口知紀（日立） ICD2010-6 |
低電力かつ高速な大容量DRAMアレイの実現に向け，低しきい値CMOSプリアンプを開発した。低しきい値CMOSプリアンプを... [more] | ICD2010-6 pp.29-33 |
| ICD | 2007-04-12 09:30 |
大分 | 大分県・湯布院・七色の風 | STT-MRAMに向けた低読出し電圧・高速センスアンプの検討 ○上田善寛・岩田佳久・稲場恒夫・清水有威・板垣清太郎・土田賢二（東芝） ICD2007-2 |
本稿ではスピン注入書込み方式による磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)に適したセル電流駆動方式センスアンプを提... [more] | ICD2007-2 pp.7-12 |
| ICD | 2007-04-12 11:10 |
大分 | 大分県・湯布院・七色の風 | ［招待講演］書換え電流１００μA、書換え速度４１６kB/sで動作する混載向け５１２kB相変化メモリ ○小田部 晃・半澤 悟（日立）・北井直樹（日立超LSIシステムズ）・長田健一・松井裕一・松崎 望・高浦則克（日立）・茂庭昌弘（ルネサステクノロジ）・河原尊之（日立） ICD2007-5 |
0.13μm，1.5V CMOS技術を用いて，混載向け512kB相変化メモリを試作した。既開発の低電力相変化メモリセルを... [more] | ICD2007-5 pp.23-28 |
| ICD | 2006-04-13 10:45 |
大分 | 大分大学 | ［特別招待講演］サブ１V DRAM設計技術 ○河原尊之（日立） |
ＤＲＡＭのサブ１Ｖ動作を実現するための課題といくつかの解決案について述べる。DRAMの低電圧化は困難であり、消費電力、信... [more] | ICD2006-4 pp.19-24 |
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