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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, OME
(共催)
2023-04-22
10:05
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Neを用いてガラス上にスパッタ堆積したInSb膜のRTAによる結晶化
岡田竜弥チャリット ジャヤナダ コスワッタゲー琉球大)・梶原隆司佐道泰造九大)・野口 隆琉球大SDM2023-8 OME2023-8
安価な絶縁基板上への高結晶性InSb膜の形成に向けて、ArガスおよびNeガスを用いたRFスパッタリング法により製膜したI... [more] SDM2023-8 OME2023-8
pp.30-31
SDM, OME
(共催)
2023-04-22
10:30
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
スパッタ堆積InSb薄膜/ガラス基板の急速熱処理法による結晶成長
梶原隆司九大)・岡田竜弥チャリット ジャヤナダ コスワッタゲー野口 隆琉球大)・佐道泰造九大SDM2023-9 OME2023-9
高移動度InSb薄膜の低コストな形成プロセスの創出を目指し、ガラス基板上へArプラズマを用いてスパッタ成膜したInSb膜... [more] SDM2023-9 OME2023-9
pp.32-33
SDM 2010-12-17
15:45
京都 京都大学(桂) ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価
奥谷真士高島周平吉本昌広京都工繊大)・Woo Sik YooWaferMastersSDM2010-198
ホトルミネセンス(PL)法を活用して,極浅接合の再結晶化に関する新しい知見を得た.イオン注入層の再結晶化に伴う10 oh... [more] SDM2010-198
pp.73-78
ED, SDM
(共催)
2010-02-22
15:15
沖縄 沖縄県青年会館 SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用
岡田竜弥琉球大)・東 清一郎牧原克典広重康夫宮崎誠一広島大ED2009-201 SDM2009-198
プラズマCVDにより成膜したSiOx膜(1.0 < x < 1.9)に熱プラズマジェット(TPJ)を照射しミリ秒熱処理を... [more] ED2009-201 SDM2009-198
pp.29-33
SDM 2009-12-04
15:50
奈良 奈良先端大 物質創成科学研究科 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成
広重康夫東 清一郎宮崎祐介松本和也宮崎誠一広島大SDM2009-166
リモートプラズマCVD (RPECVD) により300 ℃で堆積したSiO2膜に熱プラズマジェット (TPJ) 照射ミリ... [more] SDM2009-166
pp.79-82
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-15
13:50
愛知 名古屋工業大学 ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価
山田典史板倉巧周倉地雄史以西雅章静岡大ED2008-3 CPM2008-11 SDM2008-23
青色EL素子の高輝度化を目的として、SrS:Cu薄膜を生成し、結晶特性および発光特性の熱処理(ステップアニール)条件依存... [more] ED2008-3 CPM2008-11 SDM2008-23
pp.11-14
SDM 2007-12-14
13:30
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測
古川弘和東 清一郎岡田竜弥加久博隆村上秀樹宮崎誠一広島大SDM2007-228
ミリ秒超急速熱処理(URTA)中のSiウェハ内温度変化を測定する技術を開発した。URTA中のSiウェハに赤外レーザーをプ... [more] SDM2007-228
pp.27-29
SCE, MW
(共催)
2006-04-20
10:25
東京 超電導工学研究所 (東雲) MOD法によるBi-2212薄膜の面内配向性制御
内山哲治東工大)・内田貴司防衛大
高周波応用を目指し,誘電率の低いMgO基板上にBi2Sr2CaCu2Ox (Bi-2212)薄膜を有機金属分解(MOD)... [more] SCE2006-4 MW2006-4
pp.19-24
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