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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME, SDM (共催) |
2022-04-23 11:50 |
宮崎 | 高千穂ホール（宮崎市） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］固相結晶化In2O3:Hによる薄膜トランジスタの高移動度化(>100 cm2V-1s-1) ○曲 勇作（島根大）・片岡大樹（高知工科大）・葉 文昌（島根大）・古田 守（高知工科大）  SDM2022-13 OME2022-13 |
本研究では低温で固相結晶化した水素化多結晶酸化インジウム（In2O3:H）薄膜の金属から半導体への転移に成功し、酸化物半... [more] | SDM2022-13 OME2022-13 pp.61-64 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧向上に関する研究 ○神谷俊佑・西谷高至・松田 悠・高野 望・ジョエル タクラ アスバル・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大） ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63 |
窒化ガリウム(GaN)は高い破壊電界強度を持っており、シリコン(Si)に代わるパワーデバイスの材料となることが期待されて... [more] | ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63 pp.45-48 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2019-01-22 13:00 |
愛知 | アイランドホテル浦島(日間賀島) | ［招待講演］高移動度有機半導体を用いた有機太陽電池 ○平本昌宏・伊澤誠一郎（分子科学研） OME2018-36 |
高移動度有機半導体を用いて、キャリア横取り出し型交互多層接接合太陽電池の動作を確認し、ショックレー・クエーサー限界に達す... [more] | OME2018-36 pp.1-4 |
| ED | 2015-07-25 10:40 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | 再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス ○木下治紀・祢津誠晃・三嶋裕一・金澤 徹・宮本恭幸（東工大） ED2015-44 |
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。さらなる性能向上を目指して、マル... [more] | ED2015-44 pp.39-44 |
| SDM | 2014-01-29 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs ○入沢寿史・小田 穣・池田圭司・守山佳彦・三枝栄子・W Jevasuwan・前田辰郎（産総研）・市川 麿・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・宮本恭幸（東工大）・手塚 勉（産総研） SDM2013-137 |
(111)B面をチャネルとする底辺30 nmの三角形状In0.53Ga0.47As-OI nMOSFETsをSi基板上に... [more] | SDM2013-137 pp.9-12 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET ○金澤 徹・三嶋裕一・木下治紀・上原英治・宮本恭幸（東工大） ED2013-115 MW2013-180 |
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。そのさらなる性能向上を目指して、... [more] | ED2013-115 MW2013-180 pp.29-33 |
| SDM | 2011-11-11 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較 滝口直也・木場隼介（神戸大）・○土屋英昭（神戸大/JST）・小川真人（神戸大） SDM2011-121 |
本稿では、<110>方向のSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤの断面サイズによるバンド構造の変化を調べるために、第一原理... [more] | SDM2011-121 pp.33-38 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET ○金澤 徹・寺尾良輔・山口裕太郎・池田俊介・米内義晴・加藤 淳・宮本恭幸（東工大） ED2010-188 MW2010-148 |
2020年以降の高速CMOS回路応用へ向けた高駆動能力トランジスタとして、高い電子移動度を有するIII-V族化合物半導体... [more] | ED2010-188 MW2010-148 pp.69-73 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET ○金澤 徹・若林和也・齋藤尚史・寺尾良輔・田島智宣・池田俊介・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-181 MW2009-164 |
2016年以降の高速CMOS回路応用へ向けたトランジスタとして、高移動度チャネル材料としてIII-V族化合物半導体を用い... [more] | ED2009-181 MW2009-164 pp.39-42 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価 ○森 隆志・東 祐介・土屋英昭（神戸大） VLD2007-51 SDM2007-195 |
近年，極微細n-チャネルMOSFETの電流駆動力を向上させるために，Geや?-?族化合物半導体等の高移動度チャネル材料の... [more] | VLD2007-51 SDM2007-195 pp.5-10 |
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