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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2020-11-18
14:00
ONLINE オンライン開催 宇宙機用集積回路に適した薄膜BOX FDSOIプロセスで試作したリングオシレータのトータルドーズ効果の実測評価
吉田高士古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2020-30 ICD2020-50 DC2020-50 RECONF2020-49
宇宙で用いられる機器には半導体を用いた集積回路が必要不可欠であるが,宇宙空間で長期運用が求めら れる半導体デバイスでは宇... [more] VLD2020-30 ICD2020-50 DC2020-50 RECONF2020-49
pp.110-114
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-07
11:30
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 FDSOIプロセスにおけるスタック構造を用いたNMOSおよびPMOSトランジスタのソフトエラー耐性の実測による比較
山田晃大古田 潤小林和淑京都工繊大SDM2018-28 ICD2018-15
集積回路素子の微細化に伴いソフトエラーによる集積回路の信頼性低下が問題となっている.本研究では,65nm FDSOI (... [more] SDM2018-28 ICD2018-15
pp.15-20
VLD, HWS
(併催)
2018-02-28
17:20
沖縄 沖縄県青年会館 FDSOIに適したスタック構造におけるソフトエラー対策手法の提案・評価と微細化による影響の評価
丸岡晴喜山田晃大榎原光則古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2017-103
トランジスタサイズの微細化に伴い、ソフトエラーにより集積回路の信頼性が低下している。本稿では65 nm FDSOI プロ... [more] VLD2017-103
pp.85-90
VLD, HWS
(併催)
2018-02-28
17:45
沖縄 沖縄県青年会館 65 nm FDSOIプロセスのトランジスタモデルの違いによるフリップフロップのソフトエラー耐性の実測と評価
榎原光則丸岡晴喜山田晃大古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2017-104
ムーアの法則に従い, 集積回路 (LSI)が微細化することで, PCやスマートフォン
といった高性能な製品を作れるよう... [more]
VLD2017-104
pp.91-96
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-28
14:15
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス TCADシミュレーションを用いたFDSOIプロセスの耐ソフトエラー回路構造の検討
山田晃大丸岡晴喜梅原成宏古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2016-49 DC2016-43
集積回路はムーアの法則に従って微細化してきたが,それに伴いソフトエラーに
よる信頼性の低下が問題となっている.既にソ... [more]
VLD2016-49 DC2016-43
pp.31-36
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-28
14:40
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス PHITS-TCADシミュレーションによるFinFETとFDSOIのソフトエラー耐性の評価
梅原成宏古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2016-50 DC2016-44
集積回路の微細化に伴い,ソフトエラーによる信頼性の低下が問題となっている.近年,SOIやFinFETのような従来と異なる... [more] VLD2016-50 DC2016-44
pp.37-41
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-28
15:05
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス 重イオン照射測定によるFDSOIにおけるFFのソフトエラー耐性の評価
一二三 潤梅原成宏丸岡晴喜古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2016-51 DC2016-45
微細プロセスではレイアウト構造を変更することで様々な影響が及ぶ.本研究では 28 nm と 65 nm の FDSOI ... [more] VLD2016-51 DC2016-45
pp.43-48
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
13:00
北海道 札幌市男女共同参画センター [依頼講演]超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2012-68 ICD2012-36
CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい.消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば... [more] SDM2012-68 ICD2012-36
pp.29-32
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
09:45
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]超低電力応用に向けた薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大
低電力CMOSデバイスへの要求は今でも高い。消費電力効率の高い超低電圧動作CMOSが実現すると、ユビキタスセンサネットワ... [more]
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