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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-22 14:40 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | 光熱偏向分光によるIII-V族窒化物の評価 ○角谷正友（物質・材料研究機構）  ED2019-58 CPM2019-77 LQE2019-101 |
III-V族窒化物半導体材料を電子デバイスや受光デバイスに応用するには、ギャップ内欠陥準位の評価と低減が重要である。我々... [more] | ED2019-58 CPM2019-77 LQE2019-101 pp.107-110 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 15:15 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御 ○浦上法之・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22 |
表面窒化による窒素添加と数原子層(ML)のGaAsで埋め込むことにより希薄窒化物混晶であるGaAsNを成長し，成長条件が... [more] | ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22 pp.21-26 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-16 15:45 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 表面窒化によるGaAsN混晶の形成 ○浦上法之・若原昭浩・関口寛人・岡田 浩（豊橋技科大） ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27 |
GaAsN混晶を表面窒化により量子井戸として形成し、成長様式および発光特性を評価した。窒化時のAs2分子線圧力を減少する... [more] | ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27 pp.23-26 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 11:05 |
大阪 | 大阪市立大学 | III-V族窒化物薄膜の太陽電池応用 ○角谷正友・Liwen Sang・Mickael Lozac'h（物質・材料研究機構） ED2012-67 CPM2012-124 LQE2012-95 |
III-V族窒化物のワイドギャップ性を利用した太陽電池構成を提案する。既存の太陽電池上にIII-V族窒化物太陽電池を設置... [more] | ED2012-67 CPM2012-124 LQE2012-95 pp.9-12 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 13:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長 ○熊谷啓助・小路耕平・河合 剛・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23 |
格子整合系III-V-N/Siの発光素子構造において、Siと格子整合した低屈折率混晶があれば光閉じ込め構造作製に応用でき... [more] | ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23 pp.49-54 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 11:20 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性 ○浦上法之・野間亮佑・梅野和行・光吉三郎・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21 |
Si基板上の半導体レーザの活性層への応用を目的として、直接遷移型であるInGaAsN混晶に着目し、InxGa1-xAs1... [more] | ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21 pp.71-76 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 14:55 |
福井 | 福井大学 | 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED ○福島康之・高瀬裕志・薄田 学・折田賢児・上田哲三・田中 毅（松下電器） ED2007-159 CPM2007-85 LQE2007-60 |
紫外発光ダイオード（LED）は光触媒や白色LEDの励起光源等への応用が期待されている。今回紫外LEDの低コスト化を実現で... [more] | ED2007-159 CPM2007-85 LQE2007-60 pp.19-23 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-19 10:15 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造 ○梅野和行・金 聖晩・古川雄三・米津宏雄・若原昭浩（豊橋技科大） |
SiとIII-V-N混晶を用いた光電子集積回路における発光素子への応用を目的とし，直接遷移型InGaPN/GaPN量子井... [more] | ED2006-32 CPM2006-19 SDM2006-32 pp.67-72 |
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