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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2022-12-08 13:55 |
愛媛 | 愛媛大学 + オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
垂直磁化SAF固定層を用いたCPP-GMR膜の電流誘起磁化反転 ○潘 達・曹 哲・大島大輝・加藤剛志（名大）  MRIS2022-19 |
3次元磁気メモリ素子開発を目指し，垂直磁化Co/Pd膜の電流誘起磁化反転を検討した． Ruを介して人工積層フェリ磁性（S... [more] | MRIS2022-19 pp.7-10 |
| MRIS, ITE-MMS, IEE-MAG (連催) |
2019-10-17 13:15 |
福岡 | 九州大学 (西新プラザ) | YIG薄膜上のPt薄膜における磁気伝導、及び熱伝導特性 ○河邊怜也・伊藤大樹・宮崎圭司・屋冨祖 稔・木村 崇（九大）・W. -C. Lin・F. -Y. Lo（台湾師範大） MRIS2019-16 |
強磁性体/常磁性重金属二層膜では、スピンホール磁気抵抗効果などの興味深い物性が観測される一方で、強磁性近接効果に起因した... [more] | MRIS2019-16 pp.7-8 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2017-10-20 10:05 |
新潟 | 柏崎エネルギーホール、新潟 | Thermal magnetoresistance in GMR nanowires ○Nagarjuna Asam・Kazuto Yamanoi・Takashi Kimura（Kyushu Univ.） |
We have studied thermal transport in Ferromagnet(FM)/Nonmagn... [more] | |
| ED | 2017-04-21 10:55 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 本館 ６階 大会議室 | 強磁性体－超伝導体－強磁性体電極で構成される単一電子トランジスタのゲート電圧と外部磁場に対する応答 ○水柿義直・滝口将志・田村伸行・島田 宏（電通大） ED2017-13 |
強磁性体（Ferromagnet: FM）であるコバルト（Co）と超伝導体（Superconductor: SC）である... [more] | ED2017-13 pp.47-50 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 15:35 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション ○洗平昌晃（名大）・山本貴博（東京理科大）・白石賢二（名大） ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25 |
磁気抵抗メモリは，不揮発性・高速動作・高書換え耐性というメモリに求められる全ての要素を併せ持っており，次世代のメモリデバ... [more] | ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25 pp.47-50 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-10-25 10:50 |
福岡 | 福岡交通センタービル 博多バスターミナル | ［招待講演］完全格子整合した磁気トンネル接合の巨大トンネル磁気抵抗効果 ～ スピネルMgAl2O4系トンネルバリアの現状 ～ ○介川裕章・猪俣浩一郎・三谷誠司（物質・材料研究機構） MR2013-18 |
強磁性層/トンネルバリア/強磁性層構造を有する強磁性トンネル接合（MTJ）は、不揮発性磁気メモリ素子やハードディスクドラ... [more] | MR2013-18 pp.35-40 |
| ITE-MMS, ITE-CE (共催) MRIS (連催) [詳細] |
2013-01-25 17:05 |
大阪 | パナソニック企業年金基金 松心会館 | C60-Coグラニュラー薄膜中におけるCoナノ粒子の電気磁気効果による巨大な磁気抵抗効果 ○豊川修平・田村英一・仕幸英治・新庄輝也・安藤裕一郎（阪大）・ラザロフ ヴラド・廣畑貴文（ヨーク大）・白石誠司（阪大） MR2012-44 |
C60-Coグラニュラー薄膜はC60マトリクス中に単磁区構造を持つCo微粒子が分散した構造をした超常磁性体である。これま... [more] | MR2012-44 pp.29-32 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-08 10:20 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | MgF_(2)/Feナノドット/MgF_(2)薄膜における電気伝導特性 ○石川琢磨・佐藤栄太・浜田弘一・有田正志・高橋庸夫（北大） ED2011-152 SDM2011-169 |
表面清浄化に注意して準備したSiO2/Si基板上に，室温の交互蒸着法によりMgF2/Feナノドット/MgF2グラニュラー... [more] | ED2011-152 SDM2011-169 pp.59-64 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2011-10-13 15:00 |
新潟 | 柏崎エネルギーホール、新潟 | ［招待講演］NiFe/MgO/Ag接合を用いた面内スピンバルブ構造におけるスピン蓄積信号の増大 ○福間康裕・王 楽（理研）・井土 宏（東大）・大谷義近（東大/理研） MR2011-12 |
面内スピンバルブ構造を用いた非局所スピン注入法は、純スピン流に関する学理のみならず新しいスピントロニクス素子を実現する手... [more] | MR2011-12 pp.19-23 |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2010-03-12 16:20 |
愛知 | 名古屋大学 | 強磁性La2NiMnO6トンネルバリアを用いたスピンフィルター効果の評価 ○桂木敏文・宮崎悠也・志治佑一・田中雅章・壬生 攻（名工大）・近藤浩太（京大）・葛西伸哉（物質・材料研究機構）・小野輝男（京大） MR2009-65 |
強磁性絶縁体La2NiMnO6のスピンフィルター効果を検証するために，SrTiO3基板上にLa0.7Sr0.3MnO3(... [more] | MR2009-65 pp.39-43 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 16:05 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法によるプレナー型強磁性トンネル接合の作製 ○滝谷和聡・友田悠介・渡邉敬登・久米 彌・上野俊介・白樫淳一（東京農工大） ED2009-203 SDM2009-200 |
我々は簡便なナノスケールトンネルデバイスの作製手法として，エレクトロマイグレーション（EM）を利用した電界放射電流誘起型... [more] | ED2009-203 SDM2009-200 pp.41-45 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 14:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］Advanced magnetic tunnel junctions for hybrid spintronics/CMOS circuits ○Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Jun Hayakawa（Hitachi, Ltd.）・Huadong Gan・Kotaro Mizumuma・Ji Ho Park（Tohoku Univ.）・Hiroyuki Yamamoto・Katsuya Miura（Hitachi, Ltd./Tohoku Univ.）・Haruhiro Hasegawa・Ryutaro Sasaki・Toshiyasu Meguro（Tohoku Univ.）・Kenchi Ito（Hitachi, Ltd.）・Fumihiro Matsukura・Hideo Ohno（Tohoku Univ.） ED2009-51 SDM2009-46 |
[more] | ED2009-51 SDM2009-46 pp.5-8 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit ○Masashi Kamiyanagi・Fumitaka Iga・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-52 SDM2009-47 |
In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180... [more] | ED2009-52 SDM2009-47 pp.9-12 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study of the DC Performance of Fabricated Magnetic Tunnel Junction Integrated on Back-end Metal Line of CMOS Circuits ○Fumitaka Iga・Masashi Kamiyanagi・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-53 SDM2009-48 |
In this paper, we have succeeded in the fabrication of high ... [more] | ED2009-53 SDM2009-48 pp.13-16 |
| ED | 2007-06-15 13:50 |
富山 | 富山大学 | デルタドープGaAs構造における局在スピンの研究 ○J.p. Noh・鄭 大原・A. z. m. Touhidul Islam・大塚信雄（北陸先端大） ED2007-33 |
[more] | ED2007-33 pp.13-16 |
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