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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2024-01-16 14:50 |
ONLINE | オンライン開催 | 自己組織化単分子膜を利用した金属酸化物抵抗変化型メモリの抵抗変化挙動の制御 ○中野正浩・松井裕輝・Md. Shahiduzzaman・當摩哲也・辛川 誠（金沢大）  OME2023-80 |
[more] | OME2023-80 pp.13-17 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2023-05-19 15:40 |
愛知 | 名古屋工大 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価 ○加藤一朗・久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大） ED2023-5 CPM2023-5 SDM2023-22 |
グラフェンをFETとして用いるには絶縁基板への転写が必要であり、その過程でグラフェンに欠陥が導入されてしまう可能性がある... [more] | ED2023-5 CPM2023-5 SDM2023-22 pp.20-23 |
| EMT, IEE-EMT (連催) |
2023-05-19 15:55 |
神奈川 | 三菱電機株式会社 情報技術総合研究所 | 光ファイバ形偏光子の特性解析 荒川大樹・○大塚祐弥・白石勇希（日大）・亀田和則（佐野日本大短大）・古川慎一（日大） EMT2023-7 |
本研究では，円形コアの側面に円形金属領域または円形ピット領域を配置した２つのタイプのファイバ形偏光子として，１つのコア（... [more] | EMT2023-7 pp.33-38 |
| SDM, OME (共催) |
2023-04-22 15:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］絶縁基板上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長 ○角田 功・高倉健一郎（熊本高専） SDM2023-15 OME2023-15 |
本研究室では，絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長について検討している．金属誘起横方向成長は，金属材料を非... [more] | SDM2023-15 OME2023-15 pp.55-58 |
| US | 2023-01-25 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 試料の表面粗さが超音波複合振動源を用いた接合に及ぼす影響 ○山崎梨菜・淺見拓哉・三浦 光（日大） US2022-71 |
試料の表面を粗くした場合について，接合時間を変えた接合実験を行い，引張せん断強度を測定と検討を行った．その結果，表面を粗... [more] | US2022-71 pp.1-6 |
| EMCJ, MW, EST (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2022-10-14 10:50 |
秋田 | 秋田大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
平面金属フォトニック結晶共振器に関する一検討 ○范 佳興・陳 春平・蔣 梁超・王 明・平岡隆晴・穴田哲夫（神奈川大） EMCJ2022-55 MW2022-101 EST2022-65 |
近年、平面金属フォトニック結晶（PhC）構造のミリ波・サブミリ波帯での利用は注目を集めている。金属PhCは無限周期配列構... [more] | EMCJ2022-55 MW2022-101 EST2022-65 pp.102-107 |
| OME, SDM (共催) |
2022-04-23 10:20 |
宮崎 | 高千穂ホール（宮崎市） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長におけるMg拡散量の評価 ○森本敦己・阿部陸斗・平井杏奈・平井杜和・高倉健一郎・角田 功（熊本高専） SDM2022-10 OME2022-10 |
近年，IV半導体を低融点絶縁基板上に形成するために金属触媒を用いた金属誘起固相成長法が広く研究されている．しかし，この手... [more] | SDM2022-10 OME2022-10 pp.47-50 |
| LSJ (共催) OFT, OCS (併催) [詳細] |
2021-08-26 15:35 |
ONLINE | オンライン開催 | 航空機向け操縦装置用光線路の細径化および軽量化の検討 ○永井傑朗・田邉賢吾・鴨狩之裕・野呂 亙（昭和電線ケーブルシステム） OFT2021-16 |
航空機の飛行制御技術の高度化に伴い、電磁障害に強く、多数の機器と多重接続が可能となる光データバスシステムが実用化されてい... [more] | OFT2021-16 pp.25-28 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2020-10-05 14:45 |
ONLINE | オンライン開催 | Co2FeSi/MgO二層構造における垂直磁気異方性の評価 ○松下瑛介・高村陽太・スタットラー嘉也・中川茂樹（東工大） MRIS2020-4 |
ハーフメタル強磁性体であるフルホイスラー合金 Co_2FeSi(CFS)/MgO 二層膜における垂直磁気異方性の起源を調... [more] | MRIS2020-4 pp.16-19 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-24 10:05 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［ポスター講演］YAG:Ce蛍光体における遷移金属添加の発光特性に及ぼす影響 ○有村充生・川嶋智寛・小南裕子・原 和彦（静岡大） |
白色LED用蛍光体として広く受けいれられているYAG:Ce蛍光体に遷移金属を共添加した試料を作製し、発光特性、残光特性に... [more] | |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-14 09:40 |
愛媛 | 愛媛県男女共同参画センター | FiCCを用いたCMOS互換な不揮発性メモリ実現に向けた素子特性測定 ○田中一平・宮川尚之・木村知也・今川隆司・越智裕之（立命館大） VLD2019-36 DC2019-60 |
本稿では，低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき，かつ，書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と，そ... [more] | VLD2019-36 DC2019-60 pp.63-68 |
| SDM | 2019-10-23 15:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Investigation of ferroelectric undoped HfO2 formation on Si(100) utilizing post metallization annealing for nonvolatile memory application ○Min Gee Kim・Masakazu Kataoka・Masaki Hayashi・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2019-56 |
[more] | SDM2019-56 pp.17-20 |
| CPM | 2019-08-26 15:25 |
北海道 | 北見工業大学 1号館２F A-207講義室 | アントラセンドープZIF-8の作製と半導体特性 ○加島初徳・清水翔太・岡本尚樹・齊藤丈靖（阪府大） CPM2019-41 |
金属有機構造体(Metal Organic Framework: MOF)は金属中心と有機リンカー間に相互作用を有する多... [more] | CPM2019-41 pp.19-22 |
| AP | 2019-08-23 10:20 |
北海道 | 北海学園大学 | スイッチング素子を用いたインピーダンス可変の折返しモノポールアンテナの基礎検討 ○中川雄太・グェンコン ワイ・道下尚文・森下 久（防衛大） AP2019-65 |
周辺を金属体で覆われた閉空間における無線通信では，周辺金属の影響を受けにくいアンテナが求められている．アンテナのインピー... [more] | AP2019-65 pp.97-100 |
| SID-JC (共催) ITE-IDY, EID (連催) [詳細] |
2019-08-02 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］フォルダブルディスプレイ用金属配線材料の特性評価 ○倉 千晴・寺前裕美・田内裕基（神戸製鋼所）・後藤裕史・奥野博行（コベルコ科研） |
フレキシブルディスプレイは従来のフラットパネルディスプレイに対し、薄くて軽い、柔軟であるなどの特徴をもち、将来的に需要が... [more] | |
| AP (第二種研究会) |
海外 | Hotel Istana, Kuala Lumpur | Power transmission efficiency of magnetic material loaded solenoid in the vicinity of circuit ground ○Yoshihiro Nakamura・Cho Keizo・Hiroaki Nakabayashi（Chiba Institute of Tech） |
[more] | ||
| SDM | 2019-06-21 15:45 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 超急峻スイッチングを可能にするVO2モットトランジスタの特殊な動作モード ○矢嶋赳彬（東大）・佐俣勇佑・西村知紀・鳥海 明（JST） SDM2019-32 |
我々は超高誘電率（比誘電率~110）を持つTiO2をゲート絶縁体に用いることで、1×1014/cm2を超える大量の電子を... [more] | SDM2019-32 pp.35-38 |
| PN, EMT, OPE, EST, MWP, LQE (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2019-01-18 10:30 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | 金属ストリップを配置した埋め込み導波路における偏波変換器 ○佐々木陽太・山内潤治・中野久松（法政大） PN2018-68 EMT2018-102 OPE2018-177 LQE2018-187 EST2018-115 MWP2018-86 |
埋め込み導波路において, 空気層との界面に金属ストリップを配置した偏波変換器を提案する. まず, 長方形断面の導波路にお... [more] | PN2018-68 EMT2018-102 OPE2018-177 LQE2018-187 EST2018-115 MWP2018-86 pp.203-208 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2018-12-25 11:00 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | プラスチック基板上のダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタ ○内海大樹（東北学院大）・北原邦紀・塚田真也（島根大）・鈴木仁志・原 明人（東北学院大） EID2018-4 SDM2018-77 |
塗布型ポリイミド(PI)上に銅(Cu)を利用した金属誘起結晶化(MIC)を用いて, ダブルゲート(DG)構造の多結晶ゲル... [more] | EID2018-4 SDM2018-77 pp.1-4 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-07 09:00 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | FiCCを用いたCMOS互換な超低消費電力不揮発性メモリ素子の特性測定回路の設計と試作 ○田中一平・宮川尚之・木村知也・今川隆司・越智裕之（立命館大） VLD2018-65 DC2018-51 |
本稿では,低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき,かつ,書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と,そ... [more] | VLD2018-65 DC2018-51 pp.183-188 |
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