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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2021-10-21 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | A study on Hf-based MONOS nonvolatile memory with HfO2 and HfON tunneling layers for multi-bit/cell operation ○Pyo Jooyoung・Ihara Akio・Ohmi Shun-ichiro（Tokyo Tech.）  SDM2021-48 |
[more] | SDM2021-48 pp.16-19 |
| VLD | 2016-03-01 16:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 薄膜BOX-SOIにおける動的マルチVth設計の基板電圧最適化手法 ○鈴木花乃・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2015-129 |
FD-SOIの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)は、超低電圧で動作し、基板... [more] | VLD2015-129 pp.105-110 |
| VLD, CPSY, RECONF (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2016-01-20 09:25 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | 薄膜BOX-SOIにおける動的マルチVth手法の試作と評価 ○井尾翔平・鈴木花乃・中村昌平・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2015-88 CPSY2015-120 RECONF2015-70 |
FD-SOIの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)は、超低電圧で動作し、基板... [more] | VLD2015-88 CPSY2015-120 RECONF2015-70 pp.91-96 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 10:50 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | 2GHz CPUと低電力1GHz CPUを有する28nm High-k/MGプロセスを用いたヘテロジーニアス型マルチコアモバイルアプリケーションプロセッサ ○五十嵐満彦・植村俊文・森 涼・岸部浩司・谷口正明・若原康平・齋藤俊治・藤ヶ谷誠希・福岡一樹・新居浩二・片岡 健・服部俊洋（ルネサス エレクトロニクス） SDM2014-64 ICD2014-33 |
本誌は我々のヘテロジーニアスクアッド/オクタ-コア構成のモバイルアプリケーションプロセッサ(AP)に搭載したパワーマネー... [more] | SDM2014-64 ICD2014-33 pp.11-16 |
| VLD | 2014-03-05 13:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 薄膜BOX-SOIにおける動的なマルチVth技術に関する設計手法 ○三枝樹規・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2013-162 |
薄膜BOX-SOI（Silicon on Thin BOX:SOTB）はFD-SOIのデバイスの一つである。これは、電源... [more] | VLD2013-162 pp.153-158 |
| CPSY, VLD, RECONF (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2013-01-16 17:00 |
神奈川 | 慶応義塾大学 日吉キャンパス | 薄膜BOX-SOIにおける基板バイアス効果を利用した動的なマルチVth設計の検討 ○網代慎也・工藤 優・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2012-120 CPSY2012-69 RECONF2012-74 |
薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)というFD-SOIデバイスは0.4Vという超低電圧... [more] | VLD2012-120 CPSY2012-69 RECONF2012-74 pp.75-80 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (共催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2008-11-19 11:15 |
福岡 | 北九州学術研究都市 | マルチ閾値電圧トランジスタを用いた2線2相式非同期式回路のリーク電力削減 ○高田幸永・今井 雅・中村 宏・南谷 崇（東大） VLD2008-90 DC2008-58 |
今後増大すると予測されている遅延変動の対処法の1つとして，2線2相式非同期設計がある．しかし2線式回路は回路量が大きく，... [more] | VLD2008-90 DC2008-58 pp.183-188 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 14:35 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | A Novel 800mV Reference Current Source Circuit for Low-Power Low-Voltge Mixed-Mode Systems ○Oh Jun Kwon・Kae DalKwack（Hanyang Univ.） ED2008-94 SDM2008-113 |
In this paper, a novel beta-multiplier reference current sou... [more] | ED2008-94 SDM2008-113 pp.291-293 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-17 09:55 |
北海道 | 北海道大学 | 低消費電力向け電源電圧調整手法とマルチVth CMOSを使用したSOCへの応用 ○岡野 廣・塩田哲義・川辺幸仁（富士通研）・柴本 亘（富士通）・橋本鉄太郎・井上淳樹（富士通研） |
マルチVth CMOSを使用したSOCの低電力化手法を開発した。プロセスばらつきセンサと、静的タイミング解析結果を用いて... [more] | SDM2006-127 ICD2006-81 pp.13-18 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 15:25 |
北海道 | 北海道大学 | 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響 ○倉田英明・大津賀一雄・小田部 晃・梶山新也・長部太郎・笹子佳孝（日立）・鳴海俊一・冨上健司・蒲原史朗・土屋 修（ルネサステクノロジ） |
フラッシュメモリにおいて、ランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による閾値変動を初めて確認した。 90nmプロセス... [more] | SDM2006-153 ICD2006-107 pp.161-166 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 14:15 |
北海道 | 函館国際ホテル | AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 ～ 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式 ～ ○大津賀一雄・倉田英明（日立）・小堺健司・野田敏史（ルネサステクノロジ）・笹子佳孝・有金 剛・河村哲史・小林 孝（日立） |
本報告では，多値AG-ANDフラッシュメモリにおいて高速な書込み転送レートを実現する書込み技術について述べる。多値高速書... [more] | SDM2005-153 ICD2005-92 pp.61-66 |
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