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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2017-04-20 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ナノドット型恒久メモリーの研究 ○渡邊 強・三浦典之・劉 施佳・今井繁規・永田 真（神戸大）  ICD2017-4 |
ワード線、ビット線の交差部分に配したナノドットの静電容量をデータとして読み取る恒久メモリーを考案し、0.18᠊... [more] | ICD2017-4 pp.17-22 |
| SDM | 2015-06-19 13:20 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性 ○加藤祐介・荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2015-46 |
リモートH2プラズマ(H2-RP)支援によるTiナノドットの形成とその埋め込みがSiOx膜の抵抗変化特性に与える影響につ... [more] | SDM2015-46 pp.41-45 |
| CPM | 2011-08-10 14:15 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性 大谷孝史・姉崎 豊・浅野 翔・加藤有行（長岡技科大）・成田 克（山形大）・中澤日出樹（弘前大）・加藤孝弘・○安井寛治（長岡技科大） CPM2011-59 |
Si基板上へガスソースMBE法によりモノメチルゲルマン(MMGe)を用いてSi c(4×4)構造形成後， Ge, SiC... [more] | CPM2011-59 pp.15-20 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2010-06-10 13:30 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | 異常ホール効果を用いた微細磁性ドットの評価 ○木谷貴則・伊勢和幸・近藤祐治・山川清志・有明 順（秋田県産技総研センター） MR2010-1 |
微細磁性ドットの磁化評価を目的とし，媒体膜構造におけるシート膜および微細磁性ドットアレイの異常ホール効果の基礎特性につい... [more] | MR2010-1 pp.7-12 |
| CPM | 2009-10-30 09:00 |
富山 | 富山県立大学 | Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価 ○黒田朋義・大谷孝史・加藤有行・高田雅介・赤羽正志・安井寛治（長岡技科大） CPM2009-96 |
Si基板上へモノメチルゲルマン(MMGe: GeH3CH3)を用いてGe・SiCナノドットの高密度形成を行い，形成したド... [more] | CPM2009-96 pp.31-36 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-26 11:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Importance of the Eelectronic State on the Electrode in Electron Tunneling Processes between the Electrode and the Quantum Dot ○Masakazu Muraguchi（Tohoku Univ.）・Yukihiro Takada・Shintaro Nomura（Univ. of Tsukuba.）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.） ED2009-93 SDM2009-88 |
We have revealed that the electronic states in the electrode... [more] | ED2009-93 SDM2009-88 pp.185-188 |
| CPM | 2007-11-17 09:25 |
新潟 | 長岡技術科学大学 | モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe, SiCナノドットの形成と制御 ○荻原智明・須藤晴紀・安井寛治・赤羽正志・高田雅介（長岡技科大） CPM2007-116 |
Si(001)-2x1清浄表面上にモノメチルゲルマン（MMGe: $GH_{3}$$CH_{3}$）を用いて高密度Geナ... [more] | CPM2007-116 pp.59-64 |
| CPM | 2005-11-11 15:50 |
福井 | 福井大学 | 六方晶フェライトナノドットアレイの形成とその磁気特性 ○森迫昭光・劉 小晰（信州大） |
[more] | CPM2005-157 pp.29-32 |
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