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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-20 11:05 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | Si(111)-√3×√3－Ga表面相上へのGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 下山浩哉・○森 雅之・前澤宏一（富山大）  ED2016-24 CPM2016-12 SDM2016-29 |
Si(111)基板上のGa誘起表面再構成構造（Si(111)-√3×√3-Ga）を介したSi(111)基板上へのGaSb... [more] | ED2016-24 CPM2016-12 SDM2016-29 pp.51-54 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 11:00 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長 ○片桐正義・泉 健太・三宅秀人・平松和政（三重大）・奥 秀彦・浅村英俊・川村啓介（エア・ウォーターR&D） ED2013-79 CPM2013-138 LQE2013-114 |
Si 基板上のGaN 成長においては，熱膨張係数差に起因する基板の反りやクラックの発生，SiとGa との反応によるメルト... [more] | ED2013-79 CPM2013-138 LQE2013-114 pp.71-74 |
| ED | 2013-08-09 09:50 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成 ○町田龍人・戸田隆介・吉木圭祐・藤川紗千恵（東京理科大）・原 紳介（NICT）・色川勝己・三木裕文（東京理科大）・河津 璋（東京電機大）・藤代博記（東京理科大） ED2013-46 |
Si基板上のGaSbナノ構造は近赤外の発光素子への応用が期待されており，エピタキシャル成長法による形成の制御技術を確立す... [more] | ED2013-46 pp.43-48 |
| ED | 2013-08-09 11:20 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長 ○王 シン・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2013-49 |
最近、ナノワイヤートランジスタ(NW-FETs)、FinFETsなどの立体構造デバイスの研究が盛んに行われている。過去の... [more] | ED2013-49 pp.61-65 |
| CPM | 2011-10-27 10:20 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長 ○三原章宏・杉田憲一・Ashraful G. Bhuiyan・橋本明弘・山本あき勇（福井大）・渡邉則之・重川直輝（NTT） CPM2011-120 |
InGaN/Siタンデム太陽電池では、InGaNのIn組成が0.45の場合、両サブセルの電流整合が実現されるとともに、n... [more] | CPM2011-120 pp.55-58 |
| ED | 2011-07-30 13:55 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製 ○角田 梓・岩杉達矢・中谷公彦・中山幸二・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2011-55 |
我々はこれまでに、Si(111)基板上に１原子層程度のIn及びSb原子を吸着させることにより形成されるInSb単分子層を... [more] | ED2011-55 pp.91-96 |
| ED | 2008-06-14 11:20 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | Si(111)-√7×√3-In再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 ○森 雅之・斉藤光史・長島恭兵・上田広司・吉田達雄・前澤宏一（富山大） ED2008-37 |
Si(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜を成長させると、Si基板に対して30°回転し、結晶性や電気的特... [more] | ED2008-37 pp.81-84 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-06 16:50 |
京都 | 京都大学 | ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN2+イオンダメージ軽減の効果 ○淀 徳男・嶋田照也・田川澄人・西本 亮・日高志郎・石井圭太・瀬川紘史・平川順一・原田義之（阪工大） |
ECR-MBE法の問題点として、成長薄膜にダメージを与える窒素分子イオンがECRプラズマ中で発生するため、InNの成長に... [more] | ED2006-175 CPM2006-112 LQE2006-79 pp.121-125 |
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