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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 13:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | The Asymmetric I-V Characteristics of Vertical MOSFET Induced by Tapered Silicon Pillar ○Takuya Imamoto・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） |
In this paper, we show the asymmetric I-V characteristics in... [more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 13:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | A High Performance SRAM Sense Amplifier with Vertical MOSFET ○Hyoungjun Na・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） |
In this paper, a high performance SRAM sense amplifier with ... [more] | |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 15:05 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Impact of Floating Body type DRAM with the Vertical MOSFET ○Yuto Norifusa・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST）  ED2010-98 SDM2010-99 |
Several kinds of capacitor-less DRAM cells based on planar S... [more] | ED2010-98 SDM2010-99 pp.211-216 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 15:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Study on Impurity Distribution Dependence of Electron-Dynamics in Vertical MOSFET ○Masakazu Muraguchi・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST） ED2010-120 SDM2010-121 |
In this study, we focus on the electron propagation in the V... [more] | ED2010-120 SDM2010-121 pp.309-313 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study on Quantum Electro-Dynamics in Vertical MOSFET ○Masakazu Muraguchi・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST-CREST） ED2009-89 SDM2009-84 |
We have studied transmission property of electron in vertica... [more] | ED2009-89 SDM2009-84 pp.169-172 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 13:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Sub-10 nm Multi-Nano-Pillar Type Vertical MOSFET ○Tetsuo Endoh・Koji Sakui・Yukio Yasuda（Tohoku Univ./JST-CREST） ED2009-90 SDM2009-85 |
The excellent performance of 10nm gate Multi-Nano-Pillar typ... [more] | ED2009-90 SDM2009-85 pp.173-176 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-26 09:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］Future High Density Memory with Vertical Structured Device Technology ○Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-95 SDM2009-90 |
[more] | ED2009-95 SDM2009-90 pp.193-196 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-10 10:55 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Scalability of Vertical MOSFETs in Sub-10nm generation and its Mechanism ○Yuto Norifusa・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2008-60 SDM2008-79 |
In this paper, the device performances of sub-10nm Vertical ... [more] | ED2008-60 SDM2008-79 pp.107-111 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 09:25 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］Recent Advances on GaN Vertical Power Device ○Tetsu Kachi（Toyota Central R&D Labs., Inc.） ED2008-72 SDM2008-91 |
Two types of the vertical device structure have been develo... [more] | ED2008-72 SDM2008-91 pp.171-175 |
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