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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, CPM, OME (共催) ITE-MMS (連催) [詳細] |
2023-10-26 13:40 |
新潟 | 新潟大学(駅南キャンパスときめいと) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
K0.48Na0.52NbO3-Bi0.5Na0.5SnO3-Bi0.5Na0.5ZrO3系セラミックスにおけるSnの効果 生越令華・○番場教子（信州大）  MRIS2023-8 CPM2023-42 OME2023-29 |
代表的な非鉛圧電材料であるニオブ酸カリウムナトリウム(KNN)は多元素固溶により特性改善が行われている．本研究では，Bi... [more] | MRIS2023-8 CPM2023-42 OME2023-29 pp.1-5 |
| MRIS, CPM (共催) ITE-MMS (連催) [詳細] |
2022-10-28 11:10 |
長野 | 信州大学＋オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
多元素固溶K0.45Na0.55NbO3セラミックスの微細構造と圧電性 永田侃大・○番場教子（信州大） MRIS2022-16 CPM2022-47 |
非鉛圧電材料の中でも多くの研究が行われているのがニオブ酸カリウムナトリウム(KNN)である。本研究では多元素固溶0.95... [more] | MRIS2022-16 CPM2022-47 pp.43-47 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 11:15 |
ONLINE | オンライン開催 | エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究 ○中林泰希・高田華果・江川孝志・三好実人（名工大）・竹内哲也（名城大） ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55 |
本研究では、有機金属気相成長法(MOCVD)によるAlInN膜成長において、Si及びMgドープによる導電性制御、ならびに... [more] | ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55 pp.13-16 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-24 10:05 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［ポスター講演］YAG:Ce蛍光体における遷移金属添加の発光特性に及ぼす影響 ○有村充生・川嶋智寛・小南裕子・原 和彦（静岡大） |
白色LED用蛍光体として広く受けいれられているYAG:Ce蛍光体に遷移金属を共添加した試料を作製し、発光特性、残光特性に... [more] | |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-24 11:05 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［ポスター講演］正方晶Mg2TiO4:Mn4+深赤色蛍光体におけるBi3+添加による励起特性への影響 ○洲濱基志・上野雄祐・石垣 雅・大観光徳（鳥取大） EID2019-15 |
本研究ではMg2TiO4:Mn4+ にBi3+を添加し、更に625℃、24時間の低温アニール処理をすることで立方晶から正... [more] | EID2019-15 pp.125-128 |
| SDM | 2019-01-29 13:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］サブモノレイヤ法によるAlナノクラスタを埋め込んだ高信頼性強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜の開発 ○山口 直・張 田田・大森和幸・島田康弘・国宗依信・井手 隆・井上真雄・松浦正純（ルネサス エレクトロニクス） SDM2018-86 |
Hf0.5Zr0.5O2(HZO)膜を不揮発性メモリ材料とした強誘電体メモリの開発成果を報告する. 本研究では, 10n... [more] | SDM2018-86 pp.21-26 |
| EE, CPM, OME (共催) |
2018-11-22 09:25 |
東京 | 機械振興会館 地下三階 B3-6 | フッ素ドープ系B型炭酸アパタイトの酸化物イオン伝導特性に及ぼすアニオン組成の影響 ○高畑 潤・菅野康仁・田中優実（東京理科大） EE2018-34 CPM2018-62 OME2018-22 |
B型炭酸アパタイト（BCA；[Ca10-xNa2x/3][(PO4)6-x(CO3)x][(H2O)x(OH)2-x/3... [more] | EE2018-34 CPM2018-62 OME2018-22 pp.47-49 |
| CPM, IEE-MAG (連催) |
2018-11-01 13:25 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | Ir触媒表面で励起したNOガスによるZnO膜への窒素ドープ効果 ○齋藤太朗・安達雄大・伊庭竜太・小野翔太郎（長岡技科大）・大石耕一郎・片桐裕則（長岡高専）・安井寛治（長岡技科大） CPM2018-42 |
我々は、白金(Pt)ナノ粒子表面での水素と酸素の燃焼反応により生成した高エネルギーH2Oと有機金属ガス(DMZn)を気相... [more] | CPM2018-42 pp.5-9 |
| SDM | 2017-01-30 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation ○Xu Lun・Shibayama Shigehisa・Izukashi Kazutaka・Nishimura Tomonori・Yajima Takeaki（Univ. of Tokyo）・Migita Shinji（AIST）・Toriumi Akira（Univ. of Tokyo） SDM2016-137 |
[more] | SDM2016-137 pp.29-32 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2017-01-18 14:30 |
愛知 | アイランドホテル浦島(日間賀島) | ［招待講演］有機半導体のpn制御を有機太陽電池への応用 ○平本昌宏（分子科学研） |
有機半導体へのドーピングによるpn 制御、イオン化率増感、ppm ドーピング効果、ドーピング有機単結晶のホール効果測定、... [more] | OME2016-67 pp.1-6 |
| OME | 2017-01-07 13:30 |
東京 | 東京農工大 | 3電極式セルによるシリコンキャパシタの充放電特性の解析 ○川勝健太・舛屋麻美・笹川巧平（東京農工大）・関 志朗（電中研）・齋藤守弘（東京農工大） OME2016-59 |
我々はLiイオンキャパシタの更なる高エネルギー密度化を目指し、黒鉛の10倍以上の理論容量(約4200 mAh g-1)を... [more] | OME2016-59 pp.1-5 |
| ED | 2015-12-21 16:30 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | 高抵抗化による高効率THz波発生を目指した不純物添加GaSe結晶の液相成長 ○鈴木康平・佐藤陽平・前田健作・小山 裕（東北大） ED2015-98 |
我々は蒸気圧制御温度差液相成長法により差周波混合THz波発生に向けた層状半導体GaSe結晶の成長を行っている。GaSeは... [more] | ED2015-98 pp.41-46 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 15:15 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御 ○浦上法之・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22 |
表面窒化による窒素添加と数原子層(ML)のGaAsで埋め込むことにより希薄窒化物混晶であるGaAsNを成長し，成長条件が... [more] | ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22 pp.21-26 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-27 14:40 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | プラスチック基板上におけるn型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製と評価 ○安西智洋・岸本 茂・大野雄高（名大） ED2013-134 SDM2013-149 |
転写法により形成したカーボンナノチューブ(CNT)薄膜と、ポリエチレンイミン(PEI)による化学ドーピングを用いて、プラ... [more] | ED2013-134 SDM2013-149 pp.13-18 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 16:15 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 ○若杉侑矢・本田善央・天野 浩（名大） ED2013-74 CPM2013-133 LQE2013-109 |
MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時... [more] | ED2013-74 CPM2013-133 LQE2013-109 pp.47-50 |
| ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) |
2013-01-24 14:44 |
静岡 | 静岡大学 | (Zn1-xMx)3V2O8蛍光体の作製とフォトルミネッセンス評価 ○李 廷廷・本多善太郎・福田武司・羅 キョウ蓮・鎌田憲彦（埼玉大） EID2012-17 |
出発原料としてZn (CH3COO)2•2H2O-NH4VO3を用いたゾル-ゲル法により，比較的低温作製が可... [more] | EID2012-17 pp.33-36 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 14:05 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価 ○伊藤宏成・熊谷啓助・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-19 CPM2012-3 SDM2012-21 |
格子整合III-V-N/Si構造において、AlGaPN混晶は、発光素子のクラッド層材料として期待できる。そこで、Sおよび... [more] | ED2012-19 CPM2012-3 SDM2012-21 pp.11-14 |
| ED | 2012-04-18 13:50 |
山形 | 山形大学工学部 百周年記念会館大会議室 | F4TCNQのP3HT膜へのドーピングとそれを用いた有機薄膜トランジスタ ○但木大介・馬 騰・張 晋逾・飯野祥平・木村康男・庭野道夫（東北大） ED2012-3 |
近年、有機薄膜トランジスタ(OTFT)に関する研究が盛んに行われている。OTFTは、軽量で柔軟性を持った大面積デバイスを... [more] | ED2012-3 pp.9-13 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 10:45 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響 ○関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・大谷龍輝・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 |
希土類添加半導体は発光線幅が狭く温度消光が小さいなどの優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイス材料として注目されて... [more] | ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 pp.93-97 |
| ED | 2011-07-29 13:30 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果 ○深井雅之・柿澤秀介・伏見 浩（新日本無線） ED2011-37 |
AlGaN/GaN HFETに必要な高抵抗バッファ層を，フェルミレベル効果の利用による低温成長の炭素添加SiドープGaN... [more] | ED2011-37 pp.1-6 |
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