Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2007-248
MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長
○山口雅史・白 知鉉・西脇達也・吉田 隆・澤木宣彦（名大）
pp. 1 - 4
SDM2007-249
有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価
○登坂仁一郎・佐藤拓也・本久順一・原 真二郎・福井孝志（北大）
pp. 5 - 10
SDM2007-250
Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope
○Maciej Ligowski（Shizuoka Univ./Warsaw Univ. of Tech.）・Ratno Nuryadi・Akihiro Ichiraku・Miftahul Anwar（Shizuoka Univ.）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）
pp. 11 - 16
SDM2007-251
Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer
○Daniel Moraru・Daisuke Nagata・Kiyohito Yokoi・Hiroya Ikeda・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）
pp. 17 - 22
SDM2007-252
［招待講演］InP系バリスティックトランジスタ
○宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST）
pp. 23 - 28
SDM2007-253
InAs/AlGaSb 量子細線3分岐構造における非線形電子輸送
○小山政俊・井上達也・天野直樹・藤原健司・前元利彦・佐々誠彦・井上正崇（阪工大）
pp. 29 - 32
SDM2007-254
GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形特性制御と論理ゲートへの応用
○アブドゥール ラーマン シャハリン ファズリ・白鳥悠太・葛西誠也（北大）
pp. 33 - 38
SDM2007-255
シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上
○池田浩也・山下尚見（静岡大）
pp. 39 - 42
SDM2007-256
カーボンナノチューブ単電子トランジスタの高温動作に向けて
○森 貴洋（理研）・佐藤俊介・大村一夫（理研/東京理科大）・内田勝美・矢島博文（東京理科大）・石橋幸治（理研/JST）
pp. 43 - 46
SDM2007-257
集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案
○塙 裕一郎・坂田拓也・惣田崇志・韓 貴・森井久史・松原勝見・山下 進（静岡大）・長尾昌善・金丸正剛（産総研）・根尾陽一郎・青木 徹・三村秀典（静岡大）
pp. 47 - 50
SDM2007-258
共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化
○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝（名大）・安藤浩哉（豊田高専）・赤松和弘・中田弘章（日鉱金属）
pp. 51 - 56
SDM2007-259
4RTD論理回路の動作解析
○江幡友彦・奥山太樹・和保孝夫（上智大）
pp. 57 - 62
SDM2007-260
ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装
○葛西誠也（北大/JST）・趙 洪泉・橋詰 保（北大）
pp. 63 - 68
SDM2007-261
Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算機動作
○開澤拓弥・曹 民圭・有田正志（北大）・藤原 聡・山崎謙治・小野行徳（NTT）・猪川 洋（静岡大）・高橋庸夫（北大）
pp. 69 - 73
SDM2007-262
ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 ～ 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御 ～
○西口克彦・藤原 聡（NTT）
pp. 75 - 79
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．