電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685      Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 107, Number 473

電子デバイス

開催日 2008-01-30 - 2008-01-31 / 発行日 2008-01-23

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目次

ED2007-237
MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長
○山口雅史・白 知鉉・西脇達也・吉田 隆・澤木宣彦(名大)
pp. 1 - 4

ED2007-238
有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価
○登坂仁一郎・佐藤拓也・本久順一・原 真二郎・福井孝志(北大)
pp. 5 - 10

ED2007-239
Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope
○Maciej Ligowski(Shizuoka Univ./Warsaw Univ. of Tech.)・Ratno Nuryadi・Akihiro Ichiraku・Miftahul Anwar(Shizuoka Univ.)・Ryszard Jablonski(Warsaw Univ. of Tech.)・Michiharu Tabe(Shizuoka Univ.)
pp. 11 - 16

ED2007-240
Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer
○Daniel Moraru・Daisuke Nagata・Kiyohito Yokoi・Hiroya Ikeda・Michiharu Tabe(Shizuoka Univ.)
pp. 17 - 22

ED2007-241
[招待講演]InP系バリスティックトランジスタ
○宮本恭幸・古屋一仁(東工大/JST)
pp. 23 - 28

ED2007-242
InAs/AlGaSb 量子細線3分岐構造における非線形電子輸送
○小山政俊・井上達也・天野直樹・藤原健司・前元利彦・佐々誠彦・井上正崇(阪工大)
pp. 29 - 32

ED2007-243
GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形特性制御と論理ゲートへの応用
○アブドゥール ラーマン シャハリン ファズリ・白鳥悠太・葛西誠也(北大)
pp. 33 - 38

ED2007-244
シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上
○池田浩也・山下尚見(静岡大)
pp. 39 - 42

ED2007-245
カーボンナノチューブ単電子トランジスタの高温動作に向けて
○森 貴洋(理研)・佐藤俊介・大村一夫(理研/東京理科大)・内田勝美・矢島博文(東京理科大)・石橋幸治(理研/JST)
pp. 43 - 46

ED2007-246
集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案
○塙 裕一郎・坂田拓也・惣田崇志・韓 貴・森井久史・松原勝見・山下 進(静岡大)・長尾昌善・金丸正剛(産総研)・根尾陽一郎・青木 徹・三村秀典(静岡大)
pp. 47 - 50

ED2007-247
共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化
○前澤宏一(富山大)・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝(名大)・安藤浩哉(豊田高専)・赤松和弘・中田弘章(日鉱金属)
pp. 51 - 56

ED2007-248
4RTD論理回路の動作解析
○江幡友彦・奥山太樹・和保孝夫(上智大)
pp. 57 - 62

ED2007-249
ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装
○葛西誠也(北大/JST)・趙 洪泉・橋詰 保(北大)
pp. 63 - 68

ED2007-250
Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算機動作
○開澤拓弥・曹 民圭・有田正志(北大)・藤原 聡・山崎謙治・小野行徳(NTT)・猪川 洋(静岡大)・高橋庸夫(北大)
pp. 69 - 73

ED2007-251
ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 ~ 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御 ~
○西口克彦・藤原 聡(NTT)
pp. 75 - 79

今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


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