Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2008-224
［招待講演］Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用
○尾辻泰一・末光哲也・姜 顯澈・唐澤宏美・宮本 優・半田浩之・末光眞希（東北大）・佐野栄一（北大）・リズィー マキシム・リズィー ヴィクトール（会津大）
pp. 1 - 6
ED2008-225
マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性
○宮崎康晶（NTT/慶大）・小野行徳・影島博之・永瀬雅夫・藤原 聡（NTT）・太田英二（慶大）
pp. 7 - 11
ED2008-226
マグネタイト/インジウム砒素ヘテロ構造の作製とスピン注入への応用
○江尻剛士・J. バベシュ バブ・陽 完治（北大）
pp. 13 - 17
ED2008-227
有機金属気相選択成長によるInPナノワイヤの成長と構造相転移
○北内悠介・本久順一・小林靖典・福井孝志（北大）
pp. 19 - 22
ED2008-228
Field Emitter Arrayの高機能化とその応用
○根尾陽一郎・武田匡史・田上智也・堀江 瞬・青木 徹・三村秀典（静岡大）・吉田知也・長尾昌善・金丸正剛（産総研）
pp. 23 - 27
ED2008-229
入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性
○滝口将志・速水翔太・大塚正喜・河合章生・守屋雅隆・小林忠行・島田 宏・水柿義直（電通大）
pp. 29 - 34
ED2008-230
共鳴トンネル素子を用いた超高速コンパレータ
○江幡友彦・大前宇一郎・町田和也・和保孝夫（上智大）
pp. 35 - 40
ED2008-231
AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器
○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝（名大）・赤松和弘（日鉱金属）
pp. 41 - 46
ED2008-232
電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法による単電子トランジスタの作製
○友田悠介・久米 彌・花田道庸・高橋佳祐・白樫淳一（東京農工大）
pp. 47 - 52
ED2008-233
Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性
○曹 民圭・開澤拓弥・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大）
pp. 53 - 58
ED2008-234
シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果
○鄭 然周・Chen Jiezhi・更屋拓哉・平本俊郎（東大）
pp. 59 - 62
ED2008-235
GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析
○中田大輔・アブドゥール ラーマン シャハリン ファズリ・白鳥悠太（北大）・葛西誠也（北大/JST）
pp. 63 - 68
ED2008-236
磁束と電荷を結ぶ新しい機能デバイスの開拓
○雨宮好仁・高橋庸夫（北大）
pp. 69 - 74
ED2008-237
GaAsナノワイヤネットワークを用いたナノデバイス集積系による確率共鳴の発現と解析
○葛西誠也（北大/JST）・浅井哲也・白鳥悠太・趙 洪泉（北大）
pp. 75 - 79
ED2008-238
高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性
○池田浩也・ファイズ サレ・浅井清涼・石田明広（静岡大）
pp. 81 - 85
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．