電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 108, Number 80

シリコン材料・デバイス

開催日 2008-06-09 - 2008-06-10 / 発行日 2008-06-02

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SDM2008-48
歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント
○清家　綾・丹下智之・佐野一拓・杉浦裕樹・土田育新・太田洋道・渡邉孝信（早大）・小瀬村大亮・小椋厚志（明大）・大泊　巌（早大）
pp. 35 - 39

SDM2008-49
III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術
○安田哲二・宮田典幸（産総研）・大竹晃浩（物質・材料研究機構）
pp. 41 - 46

SDM2008-50
Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析～ Ruの実効仕事関数変化の起源～
○森　大樹・大田晃生・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島　勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）
pp. 47 - 52

SDM2008-51
High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO2界面の役割
○岩本邦彦・上牟田雄一（半導体MIRAI-ASET）・布重　裕（芝浦工大/半導体MIRAI-産総研ASRC）・平野晃人・小川有人・渡邉幸宗（半導体MIRAI-ASET）・右田慎二・水林　亘・森田行則（半導体MIRAI-産総研ASRC）・高橋正志（半導体MIRAI-ASET）・太田裕之（半導体MIRAI-産総研ASRC）・生田目俊秀（半導体MIRAI-ASET）・鳥海　明（半導体MIRAI-産総研ASRC/東大）
pp. 53 - 58

SDM2008-52
TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析～ Al拡散による実効仕事関数変化の緩和～
○大田晃生・森　大樹・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島　勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）
pp. 59 - 64

SDM2008-53
Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定
○山本喜久・富樫秀晃・今野篤史・松本光正・加藤　篤・齋藤英司・末光眞希（東北大）・寺岡有殿・吉越章隆（原子力機構）
pp. 65 - 70

SDM2008-54
MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価
○近藤博基・櫻井晋也（名大）・酒井　朗（阪大）・小川正毅・財満鎭明（名大）
pp. 71 - 75

SDM2008-55
MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究
○白石賢二・小林賢司（筑波大）・石田　猛・奥山　裕・山田廉一（日立）
pp. 77 - 82

SDM2008-56
Characterization of Metal Nanodots Nonvolatile Memory
○Yanli Pei・Masahiko Nishijima・Takafumi Fukushima・Tetsu Tanaka・Mitsumasa Koyanagi（Tohoku Univ.）
pp. 83 - 88

SDM2008-57
High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ
○小原孝介・浦岡行治・冬木　隆・山下一郎（奈良先端大）・八重樫利武・茂庭昌弘・吉丸正樹（半導体理工学研究センター）
pp. 89 - 92

今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。

注：本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．

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