Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
[TOP] | [2007] | [2008] | [2009] | [2010] | [2011] | [2012] | [2013] | [Japanese] / [English]
SDM2010-171
［招待講演］2010 SISPADレビュー
○鎌倉良成（阪大）
pp. 1 - 4
SDM2010-172
［招待講演］ばらつき・信頼性シミュレーション技術の最新動向 ～ SISPAD2010併設ワークショップ1のレビュー ～
○鳥山周一（東芝）
pp. 5 - 10
SDM2010-173
［招待講演］磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM）
○石垣隆士・河原尊之・竹村理一郎・小埜和夫・伊藤顕知（日立）・大野英男（東北大）
pp. 11 - 15
SDM2010-174
［招待講演］MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法
○寺本章伸・阿部健一・須川成利・大見忠弘（東北大）
pp. 17 - 22
SDM2010-175
［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解
○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥 雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大）
pp. 23 - 28
SDM2010-176
高速応答の低ドロップアウト(LDO)レギュレータに関する研究
○Fouzhiwei Tong・範 公可（電通大）
pp. 29 - 33
SDM2010-177
形状シミュレーションによるSiO2及びSiエッチングのモデル化と、BiCSメモリホールエッチング
○市川尚志・一之瀬大吾・川端研二・玉置直樹（東芝）
pp. 35 - 39
SDM2010-178
自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション
○坪井秀行・稲葉賢二・伊勢真理子・林 由紀江・鈴木裕佳・佐藤裕美・小原幸子・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大）
pp. 41 - 43
SDM2010-179
［招待講演］VLSI設計自動化の現状と将来展望
○高橋篤司（阪大）
pp. 45 - 46
SDM2010-180
インバータセルにおけるSingle-Event-Transientパルス発生のモデリング
○田中克彦・中村英之・上村大樹・竹内 幹・福田寿一・熊代成孝・最上 徹（MIRAI-Selete）
pp. 47 - 52
SDM2010-181
HV-MOSFETのオーバーラップ領域における2次元効果のモデル化
○田中昭洋・折附泰典・菊地原秀行・三宅正尭・マタウシュ ハンス ユルゲン・三浦道子（広島大）・リウ ヨン・グリーン キース（Texas Instruments）
pp. 53 - 57
SDM2010-182
SPICEモデルを用いた特性合わせ込みにおける誤差指標の提案
○坂本浩則・飯塚貴弘（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 59 - 64
SDM2010-183
シリコンナノワイヤにおけるホール電流のひずみ依存性
○三成英樹（阪大/JST）・北山達郎・山本将央（阪大）・森 伸也（阪大/JST）
pp. 65 - 69
SDM2010-184
GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 ～ モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察 ～
○仲野駿佑・大村泰久（関西大）
pp. 71 - 76
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．