Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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LQE2010-98
触媒反応により生成した高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性
三浦仁嗣・大谷孝史・黒田朋義・西山 洋・○安井寛治（長岡技科大）
pp. 1 - 6
LQE2010-99
RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討
○荒木 努・川島圭介・山口智広（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大）
pp. 7 - 10
LQE2010-100
疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長
○本田 徹・林 才人・後藤大雅・井垣辰浩（工学院大）
pp. 11 - 14
LQE2010-101
Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討
○田辺 悟・西尾 礼・小林由貴・根本幸祐・宮本智之（東工大）
pp. 15 - 19
LQE2010-102
SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長
○奥村建太・野村拓也・三宅秀人・平松和政（三重大）・江龍 修（名工大）
pp. 21 - 24
LQE2010-103
減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN
○藤田浩平・三宅秀人・平松和政（三重大）・乗松 潤・平山秀樹（理研）
pp. 25 - 28
LQE2010-104
非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈
○山口敦史（金沢工大）・小島一信（京大）
pp. 29 - 32
LQE2010-105
空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 ～ SNOMによるEfficiency droop機構の解明 ～
○橋谷 享・金田昭男・船戸 充・川上養一（京大）
pp. 33 - 36
LQE2010-106
電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光
○大音隆男・Ryan G. Banal（京大）・片岡 研（ウシオ電機）・船戸 充・川上養一（京大）
pp. 37 - 40
LQE2010-107
AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子
○酒井佑輔・市川淳規・江川孝志（名工大）
pp. 41 - 45
LQE2010-108
多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性
○大井幸多（北大）・橋詰 保（北大/JST）
pp. 47 - 50
LQE2010-109
ミリ波高出力GaN-HEMT
○牧山剛三・多木俊裕・岡本直哉・金村雅仁・増田 哲・中舍安宏・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀・尾崎史朗・中村哲一（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研）
pp. 51 - 54
LQE2010-110
GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価
○堀 祐臣・原田脩央・水江千帆子（北大）・橋詰 保（北大/JST）
pp. 55 - 58
LQE2010-111
硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価
○菊田大悟・成田哲生・高橋直子・片岡恵太・木本康司・上杉 勉・加地 徹（豊田中研）・杉本雅裕（トヨタ自動車）
pp. 59 - 62
LQE2010-112
GaN自立基板を用いた縦型ダイオード
○八木修一・平田祥子・住田行常・別所公博・河合弘治（パウデック）・松枝敏晴・碓井 彰（古河機械金属）
pp. 63 - 66
LQE2010-113
低転位GaN基板上縦型HFET
○岡田政也・斎藤 雄・横山満徳・中田 健・八重樫誠司・片山浩二・上野昌紀・木山 誠・勝山 造・中村孝夫（住友電工）
pp. 67 - 70
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．