Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
[TOP] | [2007] | [2008] | [2009] | [2010] | [2011] | [2012] | [2013] | [Japanese] / [English]
LQE2010-114
マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長制御
○佐野勇人・中田紀彦・中濱正統・松谷晃宏・小山二三夫（東工大）
pp. 1 - 4
LQE2010-115
光インターコネクション向け高信頼性1060 nm帯面発光レーザにおける低電力損失特性
○今井 英・高木啓史・神谷慎一・清水 均・吉田順自・川北泰雅・高木智洋・平岩浩二・清水 裕・鈴木理仁・岩井則広・石川卓哉・築地直樹・粕川秋彦（古河電工）
pp. 5 - 8
LQE2010-116
All-Optical Memory Based on Buried Heterostructure Photonic Crystal Lasers
○Chin-Hui Chen・Shinji Matsuo・Kengo Nozaki・Akihiko Shinya・Tomonari Sato・Yoshihiro Kawaguchi・Hisashi Sumikura・Masaya Notomi（NTT）
pp. 9 - 12
LQE2010-117
歪補償法による多重積層量子ドットレーザの発振波長制御
○赤羽浩一・山本直克・川西哲也（NICT）
pp. 13 - 16
LQE2010-118
a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ
○進藤隆彦・奥村忠嗣・伊藤 瞳・小口貴之・高橋大佑・渥美裕樹・姜 ジュンヒョン・長部 亮・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大）
pp. 17 - 22
LQE2010-119
低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ
○境野 剛・瀧口 透・外間洋平・佐久間 仁・綿谷 力・柳楽 崇・鈴木大輔・青柳利隆・石川高英・石村栄太郎・島 顕洋（三菱電機）
pp. 23 - 26
LQE2010-120
［奨励講演］低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ
○植竹理人・大坪孝二・松田 学（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川 満・山本剛之（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研）
pp. 27 - 32
LQE2010-121
［奨励講演］世界最速・超広帯域波長可変・超短パルスレーザー光源（擬似SC光源）の開発とOCTへの応用
○住村和彦（光響/阪大）・玄田裕美・太田健史・伊東一良（阪大）・西澤典彦（名大）
pp. 33 - 37
LQE2010-122
超伝導発光ダイオードにおける電子クーパー対の寄与
○笹倉弘理（北大）・田中和典（浜松ホトニクス）・許 載勲（北大）・赤崎達志（NTT）・熊野英和・末宗幾夫（北大）
pp. 39 - 42
LQE2010-123
1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造
○木下恭一・依田眞一（JAXA）・青木拓克・山本 智・細川忠利・松島正明（フルウチ化学）・荒井昌和（NTT東日本）・川口悦弘（NEL）・狩野文良（NTT）・近藤康洋（NEL）
pp. 43 - 46
LQE2010-124
光励起によるGaAs1-xBix/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 ～ その発振波長の低温度依存性 ～
○富永依里子・尾江邦重・吉本昌広（京都工繊大）
pp. 47 - 50
LQE2010-125
高出力625nmAlGaInP半導体レーザ
○八木哲哉・島田尚往・大野彰人・阿部真司・宮下宗治（三菱電機）
pp. 51 - 54
LQE2010-126
BeZnCdSeを用いた緑色レーザの室温連続発振
○藤崎寿美子（日立）・中島 博（ソニー）・葛西淳一・秋本良一（産総研）・田才邦彦・滝口由朗（ソニー）・紀川 健（日立）・朝妻庸紀・玉村好司（ソニー）・田中滋久・辻 伸二（日立）・鍬塚治彦・挾間壽文・石川 浩（産総研）
pp. 55 - 58
LQE2010-127
端面非吸収窓構造を用いた超高出力青紫レーザ
○川口真生・春日井秀紀・左文字克哉・萩野裕幸・折田賢児・山中一彦・油利正昭・瀧川信一（パナソニック）
pp. 59 - 62
LQE2010-128
紫外短波長領域に向けたAlGaN半導体レーザ
○吉田治正・桑原正和・山下陽滋・内山和也・菅 博文（浜松ホトニクス）
pp. 63 - 67
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．