Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2010-227
［招待講演］シリサイド系太陽電池及びスピントロニクスを目指して
○末益 崇（筑波大/JST）・齋藤隆允・岡田淳史・藤 克昭・M. Ajmal Khan・Du Weijie・眞壁健司・伊藤啓太・原田一範（筑波大）・宇佐美徳隆（東北大/JST）
pp. 1 - 5
SDM2010-228
単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究
○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大）
pp. 7 - 12
SDM2010-229
Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価
ファイズ サレ・○池田浩也（静岡大）
pp. 13 - 17
SDM2010-230
分割型電圧フィードバックエレクトロマイグレーション法を用いた室温動作可能なプレナー型強磁性トンネル接合素子の作製
○安武龍太朗・渡邉敬登・上野俊介・北川 潤・白樫淳一（東京農工大）
pp. 19 - 23
SDM2010-231
マイクロサイズの電子線筺筒の開発とその応用
○根尾陽一郎・高木康男・藤野高弘・小池昭史（静岡大）・長尾昌善・吉田知也・西 孝（産総研）・村田英一・酒井健太郎（名城大）・青木 徹・三村秀典（静岡大）
pp. 25 - 29
SDM2010-232
走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析
○沖川侑揮・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大）
pp. 31 - 36
SDM2010-233
FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究
○坂井秀男（慶大）・大内真一・松川 貴・遠藤和彦・柳 永勲・塚田順一・石川由紀・中川 格・関川敏弘・小池帆平・坂本邦博・昌原明植（産総研）・石黒仁揮（慶大）
pp. 37 - 42
SDM2010-234
SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定
○菊池健人・守屋雅隆・島田 宏・水柿義直（電通大）
pp. 43 - 48
SDM2010-235
ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討
○中野雄紀・三浦健輔・白鳥悠太（北大）・葛西誠也（北大/JST）
pp. 49 - 52
SDM2010-236
共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅
○前澤宏一・笠原康司・潘 杰・森 雅之（富山大）
pp. 53 - 56
SDM2010-237
Single-Electron Transfer between Two Donors in Thin Nanoscale Silicon Transistors
○Daniel Moraru・Earfan Hamid・Juli Cha Tarido・Sakito Miki・Ryusuke Nakamura・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）
pp. 57 - 62
SDM2010-238
Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性
○篠原迪人・加藤勇樹・三上 圭・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大）
pp. 63 - 66
SDM2010-239
Current Intermittency in SOI-FETs under Light Illumination
○Arief Udhiarto・Daniel Moraru・Ryusuke Nakamura・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）
pp. 67 - 72
SDM2010-240
単一電子を利用した確率共鳴
○西口克彦・藤原 聡（NTT）
pp. 73 - 77
SDM2010-241
量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴
○葛西誠也（北大/JST）・白鳥悠太・三浦健輔・中野雄紀（北大）
pp. 79 - 82
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．