電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380

シリコン材料・デバイス

開催日 2011-10-20 - 2011-10-21 / 発行日 2011-10-13

SDM2011-103
［招待講演］角度分解硬X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価
○野平博司・小松　新・那須賢太郎・星　裕介・榑林　徹・澤野憲太郎（東京都市大）・マクシムミロノフ（Warwick大）・白木靖寛（東京都市大）
pp. 37 - 41

SDM2011-104
32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価
○武井宗久・橋口裕樹・山口拓也・小瀬村大亮（明大）・永田晃基（明大/学振）・小椋厚志（明大）
pp. 43 - 48

SDM2011-105
SiO2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性
○諏訪智之・熊谷勇喜・寺本章伸（東北大）・木下豊彦・室隆桂之（高輝度光科学研究センター）・服部健雄・大見忠弘（東北大）
pp. 49 - 52

SDM2011-106
AR-XPSによる種々の表面処理したIn0.53Ga0.47As表面の化学結合状態の評価
○沼尻侑也・山下晃司・小松　新（東京都市大）・ザデダリューシュ・角嶋邦之・岩井　洋（東工大）・野平博司（東京都市大）
pp. 53 - 58

SDM2011-107
混晶化によるPtSiのコンタクト抵抗低減に関する検討
○大見俊一郎（東工大）
pp. 59 - 62

SDM2011-108
Effect of peripheral region on the electrical properties of pentacene-based organic field-effect transistors with HfON gate insulator
○Min Liao・Hiroshi Ishiwara・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.）
pp. 63 - 66

SDM2011-109
［招待講演］実験融合マルチレベルコンピュータ化学手法の開発とシリコン材料・デバイスへの応用
○宮本　明・南雲　亮・三浦隆治・鈴木　愛・坪井秀行・畠山　望・高羽洋充・小澤純夫（東北大）
pp. 67 - 72

SDM2011-110
［招待講演］物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル
○江利口浩二・中久保義則・松田朝彦・鷹尾祥典・斧　高一（京大）
pp. 73 - 78

SDM2011-111
電気的手法を用いた物理的Si基板ダメージのプラズマプロセス依存性の検討
○中久保義則・江利口浩二・松田朝彦・鷹尾祥典・斧　高一（京大）
pp. 79 - 84

SDM2011-112
高純度有機金属ガス供給システムに関する研究
○山下　哲・石井秀和・志波良信・北野真史・白井泰雪・須川成利・大見忠弘（東北大）
pp. 85 - 90

SDM2011-113
TSVを用いた3次元FPGAの性能評価
○宮本直人（東北大）・松本洋平（東京海洋大）・小池汎平（産総研）・松村忠幸・長田健一・中川八穂子（超先端電子技術開発機構）・大見忠弘（東北大）
pp. 91 - 96

SDM2011-114
高精密三次元実装にむけた、アルカリエッチングによるシリコン貫通電極形成技術
○吉川和博（プレテックAT）・吉田達朗・添田一喜・平塚亮輔・大見忠弘（東北大）
pp. 97 - 100

注：本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．

IEICE / 電子情報通信学会