Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2015-112
［依頼講演］SiC基板の評価技術とデバイス特性
○北畠 真（FUPET）
pp. 1 - 6
ED2015-113
［依頼講演］3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現
○濱田憲治・日野史郎・三浦成久・渡邊 寛・中田修平・末川英介・海老池勇史・今泉昌之・梅嵜 勲・山川 聡（三菱電機）
pp. 7 - 12
ED2015-114
［依頼講演］酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術
○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太（NICT）・佐々木公平（タムラ/NICT）・後藤 健（タムラ/東京農工大）・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上 尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯（東京農工大）・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸（タムラ）
pp. 13 - 18
ED2015-115
［依頼講演］GaNパワーデバイスの特長とそれを活かす技術
○中原 健・近松健太郎・山口敦司・黒田尚孝（ローム）
pp. 19 - 24
ED2015-116
［依頼講演］等価回路モデルを利用したレクテナRF-DC変換効率計算 ～ 大電力RFデバイスに適した半導体材料の検討 ～
○大石敏之・嘉数 誠（佐賀大）
pp. 25 - 29
ED2015-117
［依頼講演］GaNショットキーバリアダイオードとマイクロ波無線電力伝送
○大野泰夫（レーザーシステム）
pp. 31 - 35
ED2015-118
［依頼講演］テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化
○高橋 剛・川野陽一・牧山剛三・芝 祥一・中舍安宏・原 直紀（富士通研）
pp. 37 - 41
ED2015-119
GaN HEMTユニットセルにおけるミリ波発振の解析
○渡辺伸介・今井翔平・桑田英悟・小山英寿・加茂宣卓・山本佳嗣（三菱電機）
pp. 43 - 48
ED2015-120
［依頼講演］高周波用GaN-HEMTの開発
○川合貴久（SEDI）
pp. 49 - 54
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．