Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2018-52
［招待講演］次世代車載マイコン対応Fin-FET MONOS
○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西 忍・林 倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口 直・門島 勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山口泰男・山下朋弘（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 1 - 5
SDM2018-53
スパッタリングプロセスを用いた新しい圧電材料とセンサへの応用
○今泉文伸（小山高専）・柳田幸祐
pp. 7 - 10
SDM2018-54
Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating
○Kaname Imokawa（Kyushu Univ）・Nozomu Tanaka（Kyushu Univ.）・Akira Suwa（Kyushu Univ）・Daisuke Nakamura・Taizoh Sadoh（Kyushu Univ.）・Tetsuya Goto（New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.）・Hiroshi Ikenoue（Kyushu Univ）
pp. 11 - 14
SDM2018-55
Si(100)表面原子レベル平坦化プロセスを用いたHf系MONOS型不揮発性メモリ作製プロセスに関する検討
○工藤聡也・堀内勇介・大見俊一郎（東工大）
pp. 15 - 19
SDM2018-56
［招待講演］低抵抗アモルファス相と高抵抗結晶相を有するCr2Ge2Te6を用いた相変化メモリ
○畑山祥吾・須藤祐司・安藤大輔・小池淳一（東北大）
pp. 21 - 26
SDM2018-57
［招待講演］ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング熊本テクノロジーセンターでの熊本震災からの教訓
○鈴木裕巳（熊本大）・上田康弘（ソニー）
pp. 27 - 30
SDM2018-58
Thin film formation of ferroelectric undoped HfO2 on Si(100) by RF magnetron sputtering
○Min Gee Kim・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.）
pp. 31 - 34
SDM2018-59
Schottky barrier height reduction of Pd2Si/Si(100) diodes by dopant segregation process
○Rengie Mark D. Mailig・Min Gee Kim・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.）
pp. 35 - 40
SDM2018-60
窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセン/SiO2界面特性向上に関する検討
○前田康貴・朴 鏡恩・小松勇貴・大見俊一郎（東工大）
pp. 41 - 45
SDM2018-61
ラマン分光法による熱電デバイス応用へ向けたSiナノワイヤのプロセス評価
○横川 凌（明大）・富田基裕・渡邉孝信（早大）・小椋厚志（明大）
pp. 47 - 50
SDM2018-62
ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析
○市野真也・寺本章伸・黒田理人・間脇武蔵・諏訪智之・須川成利（東北大）
pp. 51 - 56
SDM2018-63
［招待講演］熊本地域でのシリコンアイランドの推進と地震からの復興 ～ 日本の半導体産業をどう発展させるか ～
○久保田 弘（熊本大）
pp. 57 - 61
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．