電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685      Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 122, Number 370

電子デバイス

開催日 2023-01-27 / 発行日 2023-01-20

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目次

ED2022-86
アンダーサンプリング周波数の異なる複数パスによるR Fスペクトラム再生法における各パスの伝達関数補正法
○芝 隆司・古市朋之・末松憲治(東北大)
pp. 1 - 6

ED2022-87
比帯域幅30%以上で単向性の放射パターンを持つ無給電素子装荷広帯域フィルタリングアンテナの設計
○崎山 拳・大平昌敬・馬 哲旺(埼玉大)
pp. 7 - 12

ED2022-88
複数の仕様に応じたマイクロストリップBPF自動設計のための強化学習手法
○浅井悠登・大平昌敬・馬 哲旺(埼玉大)
pp. 13 - 18

ED2022-89
1入力広帯域GaN増幅器のバイアス依存性の測定評価
○中川祐希・加保貴奈(湘南工科大)・坂田修一・小松崎優治・山中宏治(三菱電機)
pp. 19 - 24

ED2022-90
不等間隔くし形安定化回路を用いたX帯600W超高出力IM-FET
○桑田英悟・杉谷拓海・山崎貴嗣・加茂宣卓・新庄真太郎(三菱電機)
pp. 25 - 28

ED2022-91
GaN HEMTのGaNトラップが低周波Y22パラメータに与える影響の検討 ~ デバイスシミュレーション ~
諸隈奨吾(佐賀大)・大塚友絢(三菱電機)・○大石敏之(佐賀大)・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治(三菱電機)
pp. 29 - 32

ED2022-92
GaAs基板上に形成したNi-Pめっき膜の応力解析
○西澤弘一郎(三菱電機)・松本 歩(兵庫県立大)・中川康幸・佐久間 仁・後藤清毅(三菱電機)・福室直樹・八重真治(兵庫県立大)
pp. 33 - 35

ED2022-93
ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証
○南條拓真・品川友宏・綿引達郎・三浦成久・古橋壮之・西川和康(三菱電機)・江川孝志(名工大)
pp. 36 - 39

ED2022-94
Beyond 5G実現に向けたN極性GaN HEMTへの期待と課題
○吉田成輝・牧山剛三・早坂明泰・眞壁勇夫・中田 健(住友電工)
pp. 40 - 43

ED2022-95
[招待講演]マイクロ波ミリ波帯におけるGaN電力増幅器のための回路、デバイス技術
○松永高治(湘南工科大)
pp. 44 - 49

ED2022-96
[招待講演]シェアリング基地局用送信増幅器についての検討
○山中宏治・小松崎優治・坂田修一・齋木研人(三菱電機)・加保貴奈(湘南工科大)
p. 50

ED2022-97
[招待講演]産業競争力の源泉としてのマイクロ波半導体・回路
○本城和彦(電通大)
pp. 51 - 54

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


IEICE / 電子情報通信学会