Online edition: ISSN 2432-6380
[TOP] | [2018] | [2019] | [2020] | [2021] | [2022] | [2023] | [2024] | [Japanese] / [English]
MRIS2024-8
混合粉末がBi0.5(Na0.8K0.2)0.5TiO3セラミックスの圧電特性に及ぼす影響
○川口健斗・番場教子(信州大)
pp. 1 - 4
MRIS2024-9
走査型磁気光学顕微鏡の観察結果に基づく磁気干渉縞の形状推定
○鈴木雄也・蛯原 翼・小宮亮汰・中村雄一・林 攀梅(豊橋技科大)
pp. 5 - 8
MRIS2024-10
共添加HfO2系強誘電体の開発
○浅沼周太郎・右田真司・太田裕之・森田行則・畑山祥吾(産総研)
pp. 9 - 14
MRIS2024-11
低温成膜したSiOx膜の特性に及ぼすスパッタ電力の影響
○新出航大・佐藤 勝・武山真弓(北見工大)
pp. 15 - 16
MRIS2024-12
Al/CuxO/Cu構造を用いたメモリスタの作製
○小山優真・橋本佳男・山本明旦定(信州大)
pp. 17 - 20
MRIS2024-13
[招待講演]電圧磁気異方性制御効果を用いた電圧制御型スピントロニクスデバイス技術の進展
○中山裕康(産総研)
pp. 21 - 25
MRIS2024-14
TLZ法により育成したB添加SiGe結晶の電気的特性の評価
○小島真一・太子敏則(信州大)・荒井康智(JAXA)・木下恭一(明大)
pp. 26 - 29
MRIS2024-15
[110]方位でのCZ-Si単結晶育成における種子付け界面近傍の転位観察
○藤 倫太郎・塚田大喜・塚田翔馬・干川岳志(信州大)・斉藤広幸・松村 尚(GWJ)・太子敏則(信州大)
pp. 30 - 33
MRIS2024-16
垂直磁界アシスト式電磁誘導型振動発電デバイスの軟磁性梁材料の形状と磁束分布の関係
○中村優太・神谷 颯・大竹 充(横浜国大)
pp. 34 - 36
MRIS2024-17
Si蒸発法によるCH4ガスを用いたSiC薄膜単結晶成長におけるSi/C比の検討
○堀内大生・太子敏則(信州大)
pp. 37 - 40
MRIS2024-18
有機分子を添加した金属硫化物系ナノ光触媒の合成及び水素製造評価
○菊池朋哉・ビッラ アリフ・有馬ボシールアハンマド・廣瀬文彦(山形大)
pp. 41 - 44
MRIS2024-19
ダブルペロブスカイト型マルチフェロイクス材料の合成及び特性評価
○半田誠直・ビッラ アリフ・有馬ボシールアハンマド・廣瀬文彦(山形大)
pp. 45 - 48
MRIS2024-20
生体模倣型酸化物リーク積分トランジスタの時定数制御
○侯 祐輝(東理大/産総研)・鬼頭 愛・井上 悠(産総研)・田村雅史(東理大)・井上 公(産総研)
pp. 49 - 52
MRIS2024-21
強誘電体光触媒の合成及び水の光分解から水素製造評価
○加藤雅也・ビッラ アリフ・有馬ボシールアハンマド・廣瀬文彦(山形大)
pp. 53 - 57
MRIS2024-22
[招待講演]超短パルスレーザーを用いた全光学的手法による高速磁化ダイナミクス計測技術
○佐々木悠太(NIMS)
pp. 58 - 63
MRIS2024-23
金属触媒を用いた石英基板上グラフェンの直接成長
○工藤 彰・齋藤遼佑・中澤日出樹(弘前大)
pp. 64 - 67
MRIS2024-24
アモルファスFe-B-N合金膜の化学結合状態制御による低磁歪化
○磯貝直希・佐藤公泰・今村光佑・川井哲郎・大竹 充(横浜国大)
pp. 68 - 72
MRIS2024-25
プラズマCVD法によるSi、NおよびO添加DLC膜の機械的特性およびトライボロジー特性
○山崎雄也・片山遼耶・遠田義晴・鈴木裕史・小林康之・中澤日出樹(弘前大)
pp. 73 - 76
MRIS2024-26
[招待講演]長い時間スケールを有する酸化物リーク積分トランジスタの開発とスパイキングニューラルネットワークへの応用
○井上 悠(産総研)・田村浩人(東大)・鬼頭 愛(産総研)・シャンユ チェン・ゾルボー ビャムバドルジ(東大)・矢嶋赳彬(九大)・堀田育志(兵庫県立大)・飯塚哲也(東大)・田中剛平(東大/名工大)・井上 公(産総研)
pp. 77 - 80
注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.