Online edition: ISSN 2432-6380
[TOP] | [2020] | [2021] | [2022] | [2023] | [2024] | [2025] | [2026] | [Japanese] / [English]
SDM2025-46
［記念講演］集積デバイスの統計的インピーダンス計測技術
○齊藤宏河・西牧良弥・間脇武蔵・黒田理人（東北大）
pp. 1 - 4
SDM2025-47
アレイテスト回路を用いたSiトレンチキャパシタの統計的容量計測とその三次元積層化
○西牧良弥・齊藤宏河・間脇武蔵・黒田理人（東北大）
pp. 5 - 8
SDM2025-48
［チュートリアル講演］プロセス最適化への機械学習活用の基礎とGaN MOCVDにおける応用事例
○関 翔太（アイクリスタル）
p. 9
SDM2025-49
［招待講演］ミニマル反応性スパッタ装置を用いたHfNx強誘電体膜の形成
○野田周一（産総研）・原 史朗（産総研、Hundred）
pp. 10 - 13
SDM2025-50
Influence of annealing ambient on the ferroelectric characteristics of HfN thin films formed by ECR-plasma sputtering
○Kangbai Li・Shun'ichiro Ohmi（Science Tokyo）
pp. 14 - 17
SDM2025-51
水素プラズマ照射による多結晶p/n-Ge薄膜の極低キャリア密度化
○野沢公暉・末益 崇・都甲 薫（筑波大院）
pp. 18 - 20
SDM2025-52
Investigation of LaBₓNᵧ/N-doped LaB₆ Gate Stack Formed by Reactive Sputtering utilizing LaB₆ Metal Target for Pentacene-based Organic Field-Effect Transistors
○Kaiyun Tseng・Shun-ichiro Ohmi（Science Tokyo）
pp. 21 - 25
SDM2025-53
酸化ガリウム薄膜のヘテロエピタキシャル成長と表面制御
○今泉文伸（小山高専）
pp. 26 - 29
SDM2025-54
［招待講演］オングストローム世代を見据えた2次元材料トランジスタ研究開発
○入沢寿史（産総研）
pp. 30 - 33
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．