Online edition: ISSN 2432-6380
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LQE2025-47
Si基板上GaN縦型デバイスにおける温度特性評価
○青野良哉・中島匠馬・近藤立也・久保俊晴・江川孝志（名工大）
pp. 1 - 4
LQE2025-48
MOCVD法を用いた単結晶AlN基板上のAlGaNマルチチャネルHFETの作製と特性評価
○鈴木 仁・佐藤将太郎・神谷秋斗・江川孝志・三好実人（名工大）
pp. 5 - 8
LQE2025-49
AlGaInN量子井戸層とAlInN障壁層を備えた分極整合型III族窒化物RTDのシミュレーション検討
○今泉 輝・間瀬 晃・江川孝志・三好実人（名工大）
pp. 9 - 12
LQE2025-50
表面活性化接合とドライエッチングを用いたダイヤモンド基板上GaNメサ構造の絶縁特性
○砂本陽成（阪公立大）・末光哲也（東北大）・嶋岡毅紘・山田英明（産総研）・梁 剣波・重川直輝（阪公立大）
pp. 13 - 16
LQE2025-51
窒化物半導体新プロセスに向けた高耐熱性3C-SiC/diamond及びSi (111)/diamondテンプレート
○岩本 晃（阪公立大）・大野 裕（東北大）・梁 剣波・重川直輝（阪公立大）
pp. 17 - 20
LQE2025-52
結晶欠陥とデバイス特性の相関解析によるAlGaN系UV-Bレーザーダイオードのキラー欠陥の同定
○加藤晴也・齋藤巧夢・丸山俊大・狩野祥吾・佐々木祐輔・三宅倫太郎・神谷始音・渡辺崚太・宮本侑茉・橘田直樹・岩山 章・竹内哲也・上山 智（名城大）・三宅秀人（三重大）・岩谷素顕（名城大）
pp. 21 - 24
LQE2025-53
屈折率導波型AlGaN系UV-Bレーザーダイオードの作製とその連続波発振の実証
○三宅倫太郎・齋藤功夢・丸山竣大・狩野祥吾・佐々木祐輔・神谷始音・渡辺崚太・宮本侑茉・橘田直樹・加藤晴也・岩山 章・竹内哲也・上山 智（名城大）・三宅秀人（三重大）・岩谷素顕（名城大）
pp. 25 - 28
LQE2025-54
へき開ScAlMgO4基板上へのInGaN系黄色～赤色LEDの作製
○船戸 充・竹村幸大・松田祥伸（京大）・松倉 誠・清水成宜（オキサイド）・川上養一（京大）
pp. 29 - 32
LQE2025-55
励起子・光統合解析システムへの励起子分子導入と量子井戸系への展開
○丸山哲平・大木健輔・Si Thu Hein・石谷善博（千葉大工）
pp. 33 - 36
LQE2025-56
CBD法MgZnOナノロッド薄膜の成長条件の最適化
○藤田菜奈・寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・山本哲也（高知工科大）
pp. 37 - 40
LQE2025-57
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合素子の増強－抑圧特性とPPF特性
○寺迫智昭・池田彩夏（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・山本哲也（高知工科大）
pp. 41 - 44
LQE2025-58
NiO助触媒を担持したGaN系光陽極を用いた光水分解特性
○熊倉一英（北大）・山下雄大・平間一行・谷保芳孝（NTT）・佐藤威友（北大）
pp. 45 - 48
LQE2025-59
p型GaNを用いたMOS構造における界面近傍欠陥の低損傷エッチングと熱処理による制御
○高橋尚伸・嶋崎喬大・佐藤威友・赤澤正道（北大）
pp. 49 - 52
LQE2025-60
GaN表面のミスト熱酸化
○谷田部然治（北大）・濵砂涼介・平倉拓海・ソー ティン ヌ・中村有水（熊本大）
pp. 53 - 56
LQE2025-61
赤色発光InGaN系LEDエピ膜における光学利得スペクトル測定
○新保 樹・山口敦史（金沢工大）・飯田大輔・大川和宏（KAUST）
pp. 57 - 60
LQE2025-62
InGaN量子井戸におけるPL減衰曲線の関数形の検討
○洲崎新太・山形梨里花・新保 樹・山口敦史（金沢工大）・飯田大輔・大川和宏（KAUST）
pp. 61 - 64
LQE2025-63
In組成の異なるInGaN量子井戸におけるフォトルミネセンス寿命の温度および波長依存性
○山形梨里花・畑中颯真・山岸颯矢・新保 樹・山口敦史（金沢工大）・岩満一功・冨谷茂隆（奈良先端大）
pp. 65 - 68
LQE2025-64
時間分解発光測定によるInGaN量子井戸におけるキャリア拡散の温度変化測定
○伊藤央祐・秋山航太郎・櫻井裕太・山口敦史（金沢工大）・福井まいこ・幸田倫太郎・濱口達史（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
pp. 69 - 72
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．