Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2025-65
［招待講演］エッジAI向けMPU/MCUでの混載メモリの動向
○斉藤朋也・野瀬浩一・小川大也・帯刀恭彦・下井貴裕・藤代康誠・伊藤 孝（ルネサスエレクトロニクス）
pp. 1 - 4
SDM2025-66
［招待講演］大容量・低消費電力AIメモリ向け酸化物半導体チャネルトランジスタ DRAM (OCTRAM)
○前田 健（キオクシア）
pp. 5 - 6
SDM2025-67
［招待講演］将来の高密度および低消費電力3D DRAMのための高積層可能な酸化物半導体チャネルトランジスタ技術
○増田貴史・越智孝光・杉崎 剛・秋田貴誉・木村史哉・佐藤希一・氏家 勇・望月想太・岩山昌由・坂田敦子・宮野信治・江城一樹・上田知正・斉藤信美・池田圭司・岡嶋 睦（キオクシア）
pp. 7 - 8
SDM2025-68
［招待講演］Si CMOS上にモノリシック積層させた結晶性酸化インジウムを用いた読出時間5nsを実現する64kbit 2T0C メモリ
○松嵜隆徳・古谷一馬・伊藤宇則・海老原鯛壱・井上広樹・廣瀬丈也・片桐治樹・稲垣ちひろ・駒形大樹・安藤善範・倉田 求・村川 努・井坂史人・恵木勇司・大貫達也・八窪裕人（半導体エネルギー研）・名倉 徹（福岡大）・山﨑舜平（半導体エネルギー研）
pp. 9 - 12
SDM2025-69
［招待講演］On the Statistical Variability of High-Performance Crystalline InGaOx Nanosheet Oxide Semiconductor FETs
○Xingyu Huang・Kota Sakai・Anlan Chen（Univ. of Tokyo）・Takanori Takahashi（NAIST）・Mutsunori Uenuma（AIST）・Yukiharu Uraoka（NAIST）・Takuya Saraya・Toshiro Hiramoto・Masaharu Kobayashi（Univ. of Tokyo）
pp. 13 - 16
SDM2025-70
［招待講演］MOSFETの電子輸送特性の理解：最適ナノシートチャネル構造と低温動作
○高木信一（帝京大）・隅田 圭・韓 雪揚・靳 釗・陳 育同・姜 旼秀・竹中 充・トープラサートポン カシディット（東大）
pp. 17 - 20
SDM2025-71
［招待講演］SOI FinFETを用いた高変換効率と低ノイズを実現した2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサ
○高柳良平（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
pp. 21 - 24
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．