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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)  (検索条件: 2007年度)

「from:2007-10-30 to:2007-10-30」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
10:00
東京 機械振興会館 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション
照沼知英渡邉孝信品田賢宏早大)・鎌倉良成谷口研二阪大)・大泊 巌早大VLD2007-50 SDM2007-194
 [more] VLD2007-50 SDM2007-194
pp.1-4
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
10:25
東京 機械振興会館 量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価
森 隆志東 祐介土屋英昭神戸大VLD2007-51 SDM2007-195
近年,極微細n-チャネルMOSFETの電流駆動力を向上させるために,Geや?-?族化合物半導体等の高移動度チャネル材料の... [more] VLD2007-51 SDM2007-195
pp.5-10
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
10:50
東京 機械振興会館 粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション
ミリニコフ ゲナディ・○森 伸也鎌倉良成阪大)・江崎達也広島大VLD2007-52 SDM2007-196
 [more] VLD2007-52 SDM2007-196
pp.11-14
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
11:15
東京 機械振興会館 極微細マルチゲートデバイスにおける面方位依存性の検討
三成英樹西谷大祐森 伸也阪大VLD2007-53 SDM2007-197
非平衡グリーン関数法と強結合近似法を用いることにより,原子論的手法に基づく量子輸送シミュレーションを結晶方位の異なる4種... [more] VLD2007-53 SDM2007-197
pp.15-18
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について
大村一郎東芝VLD2007-54 SDM2007-198
 [more] VLD2007-54 SDM2007-198
pp.19-22
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
13:45
東京 機械振興会館 相変化メモリのリセット特性のモデリング
酒井 敦園田賢一郎茂庭昌弘石川清志土屋 修井上靖朗ルネサステクノロジVLD2007-55 SDM2007-199
本研究では,3次元の電気・熱伝導を考慮した相変化メモリのコンパクトモデルを開発し,リセット動作の解析を行った.
このモ... [more]
VLD2007-55 SDM2007-199
pp.23-26
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
14:10
東京 機械振興会館 シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討
辻井秀二外園 明藤原 実川中 繁東 篤志青木伸俊豊島義明東芝VLD2007-56 SDM2007-200
 [more] VLD2007-56 SDM2007-200
pp.27-32
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
15:00
東京 機械振興会館 <110>チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響
高篠裕行岡垣 健内田哲也林 岳谷沢元昭佃 栄次永久克己若原祥史石川清志土屋 修井上靖朗ルネサステクノロジVLD2007-57 SDM2007-201
電子の有効ハミルトニアンから剪断歪みと量子閉じ込め現象を取り込んだモデルを提
案。曲げ実験から65nmノードのストレス... [more]
VLD2007-57 SDM2007-201
pp.33-36
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
15:25
東京 機械振興会館 Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析
竹田 裕NEC)・池澤健夫河田道人NEC情報システムズ)・羽根正巳NECVLD2007-58 SDM2007-202
高移動度デバイスとして期待の高いGe デバイスの輸送特性の解析を行った.フルバンド・モンテカルロ・デバイスシミュレーショ... [more] VLD2007-58 SDM2007-202
pp.37-41
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
15:50
東京 機械振興会館 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証
佃 栄次ルネサステクノロジ)・鎌倉良成阪大)・高篠裕行岡垣 健内田哲也林 岳谷沢元昭永久克己若原祥史石川清志土屋 修井上靖朗ルネサステクノロジ)・谷口研二阪大VLD2007-59 SDM2007-203
本研究では、フル3D プロセスシミュレーターによる応力計算と反転層のサブバンドを考慮したkp 法にもとづくバンド計算から... [more] VLD2007-59 SDM2007-203
pp.43-46
SDM, VLD
(共催)
2007-10-31
10:00
東京 機械振興会館 照射時間を一定としたダイナミック光再構成型ゲートアレイの保持時間の解析
瀬戸大作渡邊 実静岡大VLD2007-60 SDM2007-204
 [more] VLD2007-60 SDM2007-204
pp.1-6
SDM, VLD
(共催)
2007-10-31
10:25
東京 機械振興会館 マルチコンテキスト光再構成型ゲートアレイによる高速動的光再構成
中島真央渡邊 実静岡大VLD2007-61 SDM2007-205
 [more] VLD2007-61 SDM2007-205
pp.7-11
SDM, VLD
(共催)
2007-10-31
10:50
東京 機械振興会館 コンテキスト重ね合わせによる高速光再構成
山口直樹渡邊 実静岡大VLD2007-62 SDM2007-206
 [more] VLD2007-62 SDM2007-206
pp.13-16
SDM, VLD
(共催)
2007-10-31
11:15
東京 機械振興会館 相互透過係数の固有ベクトルを用いたホットスポット検出方法の検討
吉川智史富士通VLSI)・二谷広貴千々松達夫浅井 了富士通VLD2007-63 SDM2007-207
本論文では、光学条件から定まる相互透過係数を固有値分解することで転写される光学像が、光学系カーネルとパターン上の振幅分布... [more] VLD2007-63 SDM2007-207
pp.17-20
SDM, VLD
(共催)
2007-10-31
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]製造・環境ばらつきを考慮したタイミング検証技術
橋本昌宜阪大VLD2007-64 SDM2007-208
 [more] VLD2007-64 SDM2007-208
pp.21-24
SDM, VLD
(共催)
2007-10-31
13:50
東京 機械振興会館 インバータ,SRAM回路におけるばらつき要因が回路特性に与える影響の分析
田辺 亮芦澤芳夫岡 秀樹富士通研VLD2007-65 SDM2007-209
 [more] VLD2007-65 SDM2007-209
pp.25-29
SDM, VLD
(共催)
2007-10-31
14:15
東京 機械振興会館 MOSFETレイアウトによるトランジスタ特性変動の解析
安西邦夫津野仁志松村正雄南 里江樋浦洋平竹尾 明傅 頴詩福崎勇三菅野道博長島直樹安斎久浩ソニーVLD2007-66 SDM2007-210
 [more] VLD2007-66 SDM2007-210
pp.31-34
SDM, VLD
(共催)
2007-10-31
15:00
東京 機械振興会館 微細CMOSアナログ小信号パラメータの簡易モデル
黄田 剛・○大川眞一増田弘生ルネサステクノロジVLD2007-67 SDM2007-211
微細デバイスではCMOSデバイスのしきい電圧・ドレイン電流のミスマッチ特性が劣化する。これは、デジタル回路ではタイミング... [more] VLD2007-67 SDM2007-211
pp.35-39
SDM, VLD
(共催)
2007-10-31
15:25
東京 機械振興会館 SOI‐MOSFETにおける基板浮遊効果のモデル化
村上貴洋安藤 慎貞近倫夫広島大)・吉田隆樹NEC情報システムズ)・三浦道子広島大VLD2007-68 SDM2007-212
 [more] VLD2007-68 SDM2007-212
pp.41-45
SDM, VLD
(共催)
2007-10-31
15:50
東京 機械振興会館 微細CMOSアナログ回路のミスマッチモデリングの動向
増田弘生黄田 剛大川眞一ルネサステクノロジVLD2007-69 SDM2007-213
微細デバイスではCMOSデバイスのしきい電圧・ドレイン電流のミスマッチ特性が劣化する。これは、デジタル回路ではタイミング... [more] VLD2007-69 SDM2007-213
pp.47-54
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