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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2014年度)
「from:2014-06-19 to:2014-06-19」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2014-06-19 09:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計 ○淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大）  SDM2014-43 |
高性能Ge-MOSFET実現には、1 nm以下のSiO2換算膜厚（Equivalent Oxide Thickness:... [more] | SDM2014-43 pp.1-5 |
| SDM | 2014-06-19 09:50 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Al2O3/GeOx/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果の調査 ○永冨雄太・長岡裕一・山本圭介・王 冬・中島 寛（九大） SDM2014-44 |
Al2O3/GeOX/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果について調査を行った．Al-PMAは，SiO2/GeO2... [more] | SDM2014-44 pp.7-10 |
| SDM | 2014-06-19 10:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減 ○鈴木陽洋・朝羽俊介・横井 淳・黒澤昌志・加藤公彦・坂下満男・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2014-45 |
[more] | SDM2014-45 pp.11-16 |
| SDM | 2014-06-19 10:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 金属/Ge界面における空孔欠陥の安定性：第一原理計算による検討 ○佐々木奨悟・中山隆史（千葉大） SDM2014-46 |
GeはSiより空孔欠陥の多い半導体として知られている。特に金属界面近傍の空孔は界面の電子物性を支配する鍵となるが、その密... [more] | SDM2014-46 pp.17-20 |
| SDM | 2014-06-19 11:05 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ge1-xSnxエピタキシャル成長における積層欠陥構造の制御 ○浅野孝典（名大）・田岡紀之（IHP Microelectronics）・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2014-47 |
立体ゲート構造を有するGe MOS型トランジスタに向けて、Ge(110)表面を有するGeまたはGe1－xSnx薄膜が注目... [more] | SDM2014-47 pp.21-25 |
| SDM | 2014-06-19 11:25 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成 ○浜田慎也・村上秀樹・小野貴寛・橋本邦明（広島大）・大田晃生（名大）・花房宏明・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2014-48 |
Ge中でのAsの活性化率を向上させるために、Ge(100)に対して基板温度を-100~400°Cに制御してAs+イオン注... [more] | SDM2014-48 pp.27-30 |
| SDM | 2014-06-19 11:45 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ALD法で作製したAl2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価 ○生田目俊秀・大井暁彦（物質・材料研究機構）・伊藤和博・高橋 誠（阪大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） SDM2014-49 |
Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3層間のコンダクションバンドオフセットが1.8 eVと大きなp-Si/SiO2/... [more] | SDM2014-49 pp.31-35 |
| SDM | 2014-06-19 12:05 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Mnナノドットを埋め込んだNi/SiOx/Ni構造の抵抗変化特性 ○荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2014-50 |
[more] | SDM2014-50 pp.37-42 |
| SDM | 2014-06-19 13:25 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | p-Cu2O/SiOx/n-SiC構造pnメモリダイオードの低温形成 ○山下敦史・塚本貴広・須田良幸（東京農工大） SDM2014-51 |
我々が近年提案した最密クロスポイント配列のための不揮発性メモリ機能と整流特性を併せ持った2 端子抵抗変化型のp-Cu2... [more] |
SDM2014-51 pp.43-47 |
| SDM | 2014-06-19 13:45 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 第一原理計算を用いたSi-rich SiO2への水素・窒素原子の混入による影響の原子論的考察 ○白川裕規・山口慶太（筑波大）・神谷克政（神奈川工科大）・白石賢二（名大） SDM2014-52 |
MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor ) 型メモリは、堅牢な電荷... [more] | SDM2014-52 pp.49-53 |
| SDM | 2014-06-19 14:05 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ナノ構造中における電子輸送の理論的研究 ○藤田弦暉・塩川太郎（筑波大）・高田幸宏（東京理科大）・小鍋 哲（筑波大）・村口正和（東北大）・山本貴博（東京理科大）・遠藤哲郎（東北大）・初貝安弘（筑波大）・白石賢二（名大） SDM2014-53 |
ナノスケールチャネル中における電子輸送について長距離電子間相互作用を考慮した計算を行った。 [more] | SDM2014-53 pp.55-58 |
| SDM | 2014-06-19 14:40 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］III-Vナノワイヤ/Siヘテロ接合界面の電子素子応用と光電変換素子応用 ○冨岡克広（北大/JST）・福井孝志（北大） SDM2014-54 |
[more] | SDM2014-54 pp.59-63 |
| SDM | 2014-06-19 15:00 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］VO2単結晶薄膜中の転移応力制御による急峻な金属絶縁体転移の実現 ○矢嶋赳彬・二宮裕磨・西村知紀・長汐晃輔・鳥海 明（東大） SDM2014-55 |
[more] | SDM2014-55 pp.65-67 |
| SDM | 2014-06-19 15:20 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］ナノドットを電極に用いたNi/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価 ○大田晃生・劉 冲・荒井 崇・竹内大智・張 海・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2014-56 |
[more] | SDM2014-56 pp.69-73 |
| SDM | 2014-06-19 15:40 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］抵抗変化メモリにおけるナノ導通フィラメントの抵抗の温度依存性 ○大塚慎太郎・濱田佳典・清水智弘・新宮原正三（関西大） SDM2014-57 |
抵抗変化メモリは次世代不揮発性メモリとして期待されているが，抵抗変化のメカニズムが詳しく解明されていないことが問題である... [more] | SDM2014-57 pp.75-78 |
| SDM | 2014-06-19 16:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］抵抗変化メモリにおけるナノ空間を利用した導電性フィラメント形成制御とスイッチング特性の改善 ○高瀬浩一・谷本優輔（日大）・大塚慎太郎・清水智弘・新宮原正三（関西大） SDM2014-58 |
[more] | SDM2014-58 pp.79-84 |
| SDM | 2014-06-19 16:35 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］酸化物ナノ薄膜を用いた原子スイッチ型抵抗変化メモリーとその応用 ○鶴岡 徹・長谷川 剛（物質・材料研究機構） SDM2014-59 |
酸化物ナノ薄膜中の金属イオン伝導とヘテロ界面の固体電気化学反応を利用した原子スイッチ型抵抗変化メモリーの動作機構解明と機... [more] | SDM2014-59 pp.85-90 |
| SDM | 2014-06-19 16:55 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 ～ 低融点Snの活用 ～ ○黒澤昌志（名大/学振）・田岡紀之（名大）・池上 浩（九大）・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2014-60 |
積層型 CMOS 回路や近赤外・中赤外光フォトディテクタの新規材料として,我々は IV 族多元半導体(GeSn, SiS... [more] | SDM2014-60 pp.91-95 |
| SDM | 2014-06-19 17:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］4H-SiCにおける熱酸化界面構造の酸化雰囲気による相違 ○平井悠久（東大）・喜多浩之（東大/JST） SDM2014-61 |
[more] | SDM2014-61 pp.97-100 |
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