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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2007年度)
「from:2007-12-14 to:2007-12-14」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2007-12-14 10:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上 ○越知誠弘・菅原祐太・三浦篤志・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）・山下一郎（奈良先端大/松下電器）  SDM2007-222 |
我々はこれまでにNi内包フェリチンを用いて高品質のシリコン薄膜の結晶化に成功している。本研究では結晶化時間の短縮を目的と... [more] | SDM2007-222 pp.1-4 |
| SDM | 2007-12-14 10:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 半導体レーザ加熱処理による浅い接合形成 ○鮫島俊之（東京農工大）・佐野直樹（ハイテックシステムズ）・内藤勝男（日新イオン機器） SDM2007-223 |
[more] | SDM2007-223 pp.5-8 |
| SDM | 2007-12-14 10:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | レーザプラズマ軟X線照射がエキシマ・レーザによるa-Si膜の結晶化に与える効果 高梨泰幸・○松尾直人・上拾石和也・部家 彰・天野 壮・宮本修治・望月孝晏（兵庫県立大） SDM2007-224 |
我々はレーザプラズマX線(LPX)と低エネルギ密度でのエキシマレーザアニーリング(ELA)を併用した結晶化について研究し... [more] | SDM2007-224 pp.9-13 |
| SDM | 2007-12-14 11:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Poly-Si TFTにおける容量-電圧特性のシミュレーションによる解析 ○葛岡 毅・辻 博史・桐原正治・鎌倉良成・谷口研二（阪大） SDM2007-225 |
短チャネルpoly-Si TFTの容量‐電圧 (C-V) 特性について，2次元デバイスシミュレーションによる解析を行った... [more] | SDM2007-225 pp.15-18 |
| SDM | 2007-12-14 11:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気伝導特性 ○鈴木亮太・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2007-226 |
ニッケル酸化物(NiO)薄膜は抵抗スイッチング特性を有することから，抵抗変化型不揮発性メモリ(ReRAM)としての応用が... [more] | SDM2007-226 pp.19-22 |
| SDM | 2007-12-14 11:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 極薄トンネル酸化膜を用いたバイオナノドットフローティングゲートMOSデバイスの充放電特性 ○梅田朋季・矢野裕司・三浦篤志・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）・山下一郎（奈良先端大/松下電器） |
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| SDM | 2007-12-14 13:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 高濃度Si薄膜中の不純物活性化 ○野口 隆（琉球大） SDM2007-227 |
[more] | SDM2007-227 pp.23-26 |
| SDM | 2007-12-14 13:30 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測 ○古川弘和・東 清一郎・岡田竜弥・加久博隆・村上秀樹・宮崎誠一（広島大） SDM2007-228 |
ミリ秒超急速熱処理(URTA)中のSiウェハ内温度変化を測定する技術を開発した。URTA中のSiウェハに赤外レーザーをプ... [more] | SDM2007-228 pp.27-29 |
| SDM | 2007-12-14 13:50 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 光散乱法を利用した薄膜Si1-xGex/Siの転位運動の観測 ○原 明人（東北学院大）・田村直義・中村友二（富士通研） SDM2007-229 |
エッチング法では観察ができないほどに薄いＳｉＧｅ中の転位の運動を光散乱法により非破壊に観測した。この方法を使って、厚さ５... [more] | SDM2007-229 pp.31-34 |
| SDM | 2007-12-14 14:10 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Fe3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価 ○平岩佑介（京大）・安藤裕一郎・熊野 守・上田公二・佐道泰造・宮尾正信（九大）・鳴海一雅（原子力機構）・前田佳均（京大） SDM2007-230 |
ラザフォード後方散乱分光法(RBS)を用いて，エピタキシャル成長したFe3Si/Ge(111)の軸配向性を評価した．軸配... [more] | SDM2007-230 pp.35-38 |
| SDM | 2007-12-14 14:30 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Xe＋プレアモルファス化注入を用いたGe n+/p接合形成 ○福永哲也・芝原健太郎（広島大） |
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| SDM | 2007-12-14 14:50 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 共役反転格子フォトニック結晶での導波解析 ○國松俊佑（京大）・寺井慶和（阪大）・前田佳均（京大） SDM2007-231 |
b-FeSi2は屈折率が高く（n>5.2），これを用いた高屈折率フォトニック結晶は数々の性能向上が期待されている．しかし... [more] | SDM2007-231 pp.39-42 |
| SDM | 2007-12-14 15:10 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | シリコン太陽電池用SiNxパッシベーション膜におけるNH3プラズマ界面改質効果 ○岸山友紀・高橋 優・大鐘章義・Athapol Kitiyanan・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） SDM2007-232 |
Si太陽電池の高効率化に際し、高品質な表面パッシベーション技術の開発とその評価は必要不可欠なものとなっている。本研究では... [more] | SDM2007-232 pp.43-46 |
| SDM | 2007-12-14 15:50 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | ［招待講演］シリコンナノ結晶の物性と応用 ○藤井 稔（神戸大） |
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| SDM | 2007-12-14 16:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 傾斜メサ構造とJTE領域を有する10 kV SiC PiNダイオード ○日吉 透（京大）・堀 勉（日立）・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2007-233 |
次世代パワーデバイス用半導体として期待されているSiCを用いて、デバイス終端構造に改良を加えた10 kV PiNダイオー... [more] | SDM2007-233 pp.47-50 |
| SDM | 2007-12-14 16:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定 ○岡本 大・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） SDM2007-234 |
4H-SiC nMOSFETとpMOSFETに対してチャージポンピング（CP）測定を行った．nチャネルMOSFETに対し... [more] | SDM2007-234 pp.51-54 |
| SDM | 2007-12-14 17:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Poly-Si TFTを用いたデバイスレベルのニューラルネットワーク ○小野寺 亮・笠川知洋・小嶋明樹・木村 睦（龍谷大）・原 弘幸・井上 聡（セイコーエプソン） SDM2007-235 |
TFTを用いたデバイスレベルのニューラルネットワークを開発した．TFTの特性変動を利用して，極めて簡略化した回路構成を実... [more] | SDM2007-235 pp.55-58 |
| SDM | 2007-12-14 17:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | アルコール系溶液による強誘電体薄膜特性の焼成条件依存性 ○山口正樹（芝浦工大）・増田陽一郎（八戸工大） SDM2007-236 |
近年，次世代の薄膜形成手法のひとつであるプリンテッド・エレクトロニクス手法に応用できるアルコール系インクから，強誘電体薄... [more] | SDM2007-236 pp.59-62 |
| SDM | 2007-12-14 17:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 磁気光学空間光変調器のPoly-Si TFTによるアクティブマトリクス駆動の動作検討 ○大井秀夫・木村 睦（龍谷大）・鈴木洋一・石川省吾・梅澤浩光（FDK）・高木宏幸・金 周映・内田裕久・井上光輝（豊橋技科大） SDM2007-237 |
光ディスクの書き込み素子への応用を目的として，磁気光学空間光変調器のPoly-Si TFTによるアクティブマトリクス駆動... [more] | SDM2007-237 pp.63-66 |
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