研究会 - VLSI設計技術研究会 (VLD)

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VLSI設計技術研究会 (VLD) (検索条件: 2006年度)

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講演検索結果

登録講演（開催プログラムが公開されているもの） （日付・昇順）

研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
SDM, VLD (共催)	2006-09-25 13:30	東京	機械振興会館	CMOSイメージセンサの感度特性と評価 ○金　允ギョン・池田　誠・浅田邦博（東大）	CMOS技術は微細化しつつある。それに従い、CMOSイメージセンサの感度特性も低下していく。高感度イメージセンサは、各プ... [more]	VLD2006-34 SDM2006-155 pp.1-5
SDM, VLD (共催)	2006-09-25 13:55	東京	機械振興会館	クロックスケジューリングを用いたLSIのピーク電力削減手法 ○高橋洋介・高橋篤司（東工大）	LSIの大規模化に伴うピーク電力の増加は，ゲートの不安定動作や誤動作の原因となるため，その削減が大きな課題となっている．... [more]	VLD2006-35 SDM2006-156 pp.7-12
SDM, VLD (共催)	2006-09-25 14:20	東京	機械振興会館	SRAM回路の３次元Mixed Modeシミュレーションによるスケーリングの検討 ○田辺　亮・芦澤芳夫・岡　秀樹（富士通研）	[more]	VLD2006-36 SDM2006-157 pp.13-18
SDM, VLD (共催)	2006-09-25 14:45	東京	機械振興会館	［招待講演］2006 DAC報告～低消費電力設計技術～ ○栗山　茂（半導体理工学研究センター）	今年７月米国サンフランシスコで開催された第４３回Design Automation Conferenceの概要について報... [more]	VLD2006-37 SDM2006-158 pp.19-23
SDM, VLD (共催)	2006-09-25 15:30	東京	機械振興会館	［フェロー記念講演］LSIのレイアウトCADアルゴリズムの概要と他分野への応用 ○北澤仁志（東京農工大）	[more]	VLD2006-38 SDM2006-159 pp.25-30
SDM, VLD (共催)	2006-09-26 10:00	東京	機械振興会館	動的再構成メモリを用いた遺伝的アルゴリズム専用プロセッサ ○塚原彰彦・金杉昭徳（東京電機大）	本稿では, 動的再構成メモリを用いた遺伝的アルゴリズム(GA)専用プロセッサを提案する. 一般的なGA では, 集団数は... [more]	VLD2006-39 SDM2006-160 pp.1-6
SDM, VLD (共催)	2006-09-26 10:25	東京	機械振興会館	離散的な不純物の扱いに関する基礎的検討 ○芦澤芳夫・岡　秀樹（富士通研）	微細化にともない原子レベルの不純物分布がデバイス特性に与えるばらつきが問題となっている．離散的な不純物のδ関数的な濃度分... [more]	VLD2006-40 SDM2006-161 pp.7-12
SDM, VLD (共催)	2006-09-26 10:50	東京	機械振興会館	ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について ○永久克己・岡垣　健・谷沢元昭・石川清志・土屋　修（ルネサステクノロジ）	コンパクトモデルパラメータ抽出を含む新しいワーストモデル生成手法を提案する。本手法によれば、開発早期段階においてコンカレ... [more]	VLD2006-41 SDM2006-162 pp.13-18
SDM, VLD (共催)	2006-09-26 11:15	東京	機械振興会館	ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング ○園田賢一郎・石川清志・栄森貴尚・土屋　修（ルネサステクノロジ）	離散不純物効果がランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による MOSFET のしきい値電圧変動量に与える影響を議論... [more]	VLD2006-42 SDM2006-163 pp.19-24
SDM, VLD (共催)	2006-09-26 13:00	東京	機械振興会館	3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善 ○金村貴永・泉田貴士・青木伸俊・近藤正樹・伊藤早苗・遠田利之・岡野王俊・川崎博久・八木下淳史・金子明生・稲葉　聡・中村光利・石丸一成・須黒恭一・江口和弘（東芝）	3次元プロセス/デバイスシミュレーションを用いてbulk-FinFETの構造とイオン注入条件の最適化を検討した。チャネル... [more]	VLD2006-43 SDM2006-164 pp.25-29
SDM, VLD (共催)	2006-09-26 13:25	東京	機械振興会館	High-k Gate絶縁膜を持つUnderlap Single-Gate極薄SOI MOSFETのデバイス特性とばらつきの抑制 ○吉岡由雅・大村泰久（関西大）	[more]	VLD2006-44 SDM2006-165 pp.31-36
SDM, VLD (共催)	2006-09-26 13:50	東京	機械振興会館	32nmノードMOSFETのための非対称Raised Source/Drain Extension構造の提案～究極のプレーナー型MOSFET ～ ○井本　努・舘下八州志・小林敏夫（ソニー）	新しい非対称raised source/drain extension型MOSFET構造を提案する。この構造では、gro... [more]	VLD2006-45 SDM2006-166 pp.37-42
SDM, VLD (共催)	2006-09-26 14:35	東京	機械振興会館	極薄シリコン層を有するSOI MOSFETにおける(001)面及び、(111)面のフォノン散乱電子移動度のモデル化 ○山村　毅・佐藤伸吾・大村泰久（関西大）	[more]	VLD2006-46 SDM2006-167 pp.43-48
SDM, VLD (共催)	2006-09-26 15:00	東京	機械振興会館	ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性 ○土屋英昭・藤井一也・森　隆志・三好旦六（神戸大）	キャリアのバリスティック輸送は，MOSFETの電流駆動力を向上させるテクノロジーブースターの一つとして期待されている。本... [more]	VLD2006-47 SDM2006-168 pp.49-54
SDM, VLD (共催)	2006-09-26 15:25	東京	機械振興会館	歪領域を含むシリコンナノ構造におけるバリスティック電流の計算 ○三成英樹・森　伸也（阪大）	非平衡グリーン関数法に半経験的な sp3d5s* 強結合近似法を導入した量子輸送シミュレータを用いて1次元シリコンナノ構... [more]	VLD2006-48 SDM2006-169 pp.55-58
SDM, VLD (共催)	2006-09-26 15:50	東京	機械振興会館	Quantum Electron Transport Modeling in Nano-Scale Devices Based on Multiband Non-Equilibrium Green's Funtion Method ○Helmy Fitriawan・Satofumi Souma・Matsuto Ogawa・Tanroku Miyoshi（Kobe Univ.）	[more]	VLD2006-49 SDM2006-170 pp.59-63
SDM, VLD (共催)	2006-09-26 16:15	東京	機械振興会館	反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション ○羽根正巳（NEC）・池澤健夫・河田道人（NEC情報システムズ）・江崎達也（広島大）・山本豊二（MIRAI-ASET）	反転層の量子化サブバンドを考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーションの手法を用いて、一軸応力を... [more]	VLD2006-50 SDM2006-171 pp.65-69

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