7月29日(金) 午後  13:30 - 17:25
(1)	13:30-13:55	AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果 ED2011-37	○深井雅之・柿澤秀介・伏見　浩（新日本無線）
(2)	13:55-14:20	AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御 ED2011-38	○深澤義道・脇　英司・伏見　浩（新日本無線）
(3)	14:20-14:45	Characterization of sputtered AlN amorphous films and their applications to AlGaN/GaN MIS-HFET ED2011-39	○Hong-An Shih・Masahiro Kudo・Masashi Akabori・Toshi-kazu Suzuki（JAIST）
(4)	14:45-15:10	AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価 ED2011-40	○橋詰　保・水江千帆子・掘　祐臣・田島正文・大井幸多（北大）
	15:10-15:20	休憩　（ 10分 ）
(5)	15:20-15:45	フラッシングスプレーCVD法によるNb2O5膜の成膜 ED2011-41	○富永浩二（堀場製作所）・寺阪正訓・清水哲夫（堀場エステック）・千田二郎（同志社大）・石田耕三（堀場製作所）
(6)	15:45-16:10	GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl2O3原子層堆積における表面前処理の効果 ED2011-42	○工藤昌宏・Hong-An Shih・赤堀誠志・鈴木寿一（北陸先端大）
(7)	16:10-16:35	SiNx絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価 ED2011-43	○村松　徹・三浦健輔・白鳥悠太・葛西誠也（北大）
(8)	16:35-17:00	フォトニック結晶構造作製を目的とした高Al組成AlGaAs誘導結合型プラズマエッチング ED2011-44	○北林佑太・望月雅矢・石川史太郎・近藤正彦（阪大）
(9)	17:00-17:25	III-V化合物半導体を用い歪み駆動自己変形プロセスで作製した微小な円弧型カンチレバーの弾性測定 ED2011-45	○岩瀬比宇麻・王　建・赤堀誠志・山田省二（北陸先端大）
7月30日(土) 午前  09:00 - 15:35
(10)	09:00-09:25	P3HT/n-Si有機無機接合へテロダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析 ED2011-46	○金子　翔・大山直樹・籾山克章・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大）
(11)	09:25-09:50	MoO3ホール輸送層を用いた有機薄膜太陽電池の発電特性 ED2011-47	○吉田一樹・栗原　啓・籾山克章・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大）
(12)	09:50-10:15	高溶解性チオフェンオリゴマーの塗布製膜性と有機薄膜太陽電池特性 ED2011-48	○鈴木貴彦・吉田一樹・栗原　啓・太田員正・佐藤和昭・大場好弘・廣瀬文彦（山形大）
(13)	10:15-10:40	高温溶媒吸着法による色素増感太陽電池の高効率化 ED2011-49	○石田瑛之・吉田洋大・籾山克章・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大）
(14)	10:40-11:05	陽極酸化による透明電極上への酸化チタンナノチューブ膜の形成 ED2011-50	○小島領太・Mohammad Maksudur Rahman・Mehdi El Fassy Fihry・木村康男・庭野道夫（東北大）
	11:05-11:15	休憩　（ 10分 ）
(15)	11:15-11:40	ボウタイアンテナと三重障壁共鳴トンネルダイオードとを集積したゼロバイアス検波レクテナに関する解析 ED2011-51	○中村昌人・高萩　智・斉藤光史・須原理彦（首都大東京）
(16)	11:40-12:05	粒子群最適化手法を用いた三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路の同定 ED2011-52	○浅川澄人・倉上祐司・斉藤光史・須原理彦（首都大東京）
(17)	12:05-12:30	量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析 ED2011-53	○佐藤　純・町田史晴・原　紳介・藤代博記（東京理科大）
	12:30-13:30	昼食　（ 60分 ）
(18)	13:30-13:55	Sbテンプレートを使用したSi(111)面上GaSb薄膜の作製とその評価 ED2011-54	○豊田英之・岡部晃也・神保良夫・内富直隆（長岡技科大）
(19)	13:55-14:20	表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製 ED2011-55	○角田　梓・岩杉達矢・中谷公彦・中山幸二・森　雅之・前澤宏一（富山大）
(20)	14:20-14:45	スピン分離量評価へ向けたInSb系三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流電圧特性解析 ED2011-56	○藤田昌成・斉藤光史・須原理彦（首都大東京）
(21)	14:45-15:10	高In組成InGaAsInAlAs 2次元電子ガス2層系のサブバンド構造とスピン軌道相互作用の解析 ED2011-57	赤堀誠志・片山智之・森本幸作・岩瀬比宇麻・○山田省二（北陸先端大）
(22)	15:10-15:35	InP基板上に成長したZnSnAs2:Mn磁性薄膜の異常ホール効果 ED2011-58	○大前洸斗・神保良夫・内富直隆（長岡技科大）

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	津田 邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E- : oba 須原 理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E- : t 上田 哲三（パナソニック) TEL：075-956-8273、FAX：075-956-9110 E-： zopac 葛西 誠也（北大） TEL：011-706-6509、FAX：011-716-6004 E-：irciqei

Last modified: 2011-05-23 11:55:57