研究会開催プログラム - 2024-11-ED-CPM-LQE

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レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）

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専門委員長		山口敦史 (金沢工大)
副委員長		石井啓之 (古河電工)
幹事		望月敬太 (三菱電機)，西島喜明 (横浜国大)
幹事補佐		松本敦 (NICT)

電子デバイス研究会（ED）

[schedule] [select]

専門委員長		葛西誠也 (北大)
副委員長		新井学 (名大)
幹事		小山政俊 (阪工大)，山本佳嗣 (三菱電機)
幹事補佐		川原村敏幸 (高知工科大)，吉田智洋 (住友電工デバイス・イノベーション)

電子部品・材料研究会（CPM）

[schedule] [select]

専門委員長		中澤日出樹 (弘前大)
副委員長		寺迫智昭 (愛媛大)
幹事		番場教子 (信州大)，武山真弓 (北見工大)
幹事補佐		木村康男 (東京工科大)，廣瀬文彦 (山形大)，中村雄一 (豊橋技科大)，有馬ボシールアハンマド (山形大)

日時	2024年11月28日(木)　13:00 - 17:20 2024年11月29日(金)　10:00 - 16:50
議題	窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般
会場名	名古屋工業大学窒化物半導体マルチビジネス創生センター
住所	〒464-0856 愛知県名古屋市昭和区御器所１丁目７ 56号館
交通案内	中央本線鶴舞駅下車（名大病院口から東へ約400ｍ） http://nitride-center.web.nitech.ac.jp/wordpress/
参加費について	この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（ED研究会, CPM研究会, LQE研究会）についてはこちらをご覧ください．

	13:00-13:05	開会挨拶　（ 5分）
11月28日(木) 午後 LQE1 13:05 - 14:20
(1)	13:05-13:30	励起長可変法を用いたHVPE窒化アルミニウム基板の光学利得評価	○石井良太・隅田長門（京大）・人見達矢・山本玲緒・永島　徹（トクヤマ）・船戸　充・川上養一（京大）
(2)	13:30-13:55	量子井戸中のキャリア・フォノンダイナミクス	○地崎匡哉・石谷善博（千葉大）
(3)	13:55-14:20	InGaN系ナノピラーにおける歪緩和と表面再結合	○大音隆男・小菅駿也（山形大）・相川健喜・倉邉海史・菊池昭彦（上智大）
	14:20-14:30	休憩　（ 10分）
11月28日(木) 午後 LQE2 14:30 - 15:45
(4)	14:30-14:55	スパッタアニールAlN上に作製した深紫外AlGaN LEDの顕微ELイメージング測定	○辻本凌大（阪大院工）・市川修平（阪大院工/阪大電顕センター）・赤池良太（三重大院工）・上杉謙次郎（三重大院）・中村孝夫・三宅秀人（三重大院工）・小島一信（阪大院工）
(5)	14:55-15:20	光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子のMQW層及びp-GaNコンタクト層の改善	○小嶋智輝・石田颯汰朗・江川孝志・三好実人（名工大）
(6)	15:20-15:45	金属ナノ構造と誘電体薄膜を用いたInGaN/GaN量子井戸の黄緑色発光の著しい増強	○岡本晃一・上田直毅・藤岡宏輔・三戸田健太・松山哲也・和田健司（阪公立大）・船戸　充・川上養一（京大）
	15:45-15:55	休憩　（ 10分）
11月28日(木) 午後 LQE3 16:05 - 17:20
(7)	16:05-16:30	井戸数の異なるInGaN量子井戸におけるキャリアダイナミクスの研究	○新保　樹・土佐宏樹・神野翔綺・森　恵人・山口敦史（金沢工大）・岩満一功・冨谷茂隆（奈良先端大）
(8)	16:30-16:55	In組成の異なるInGaN量子井戸におけるキャリアダイナミクスの研究	○山形梨里花・新保　樹・森　恵人・山口敦史（金沢工大）・岩満一功・冨谷茂隆（奈良先端大）
(9)	16:55-17:20	時間分解PL測定によるInGaN量子井戸におけるキャリア拡散の測定	○伊藤央祐・山口敦史（金沢工大）・伊藤まいこ・幸田倫太郎・濱口達史（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
11月29日(金) 午前 CPM1 10:00 - 10:50
(10)	10:00-10:25	Zスキーム型SnS2/g-C3N4ヘテロ接合薄膜の光触媒への応用	○森　耀平・バスカーマラティ・中村篤志（静岡大）
(11)	10:25-10:50	水酸化ニッケル薄膜の半導体としての特性	○安部功二（名工大）
	10:50-11:00	休憩　（ 10分）
11月29日(金) 午前 CPM2 11:00 - 11:50
(12)	11:00-11:25	PEDOT：PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ構造のニューロモルフィックデバイス応用～デバイス作製と電流-電圧特性～	○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・パラニラジャセカラン・山本哲也（高知工科大）
(13)	11:25-11:50	PEDOT：PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ構造のニューロモルフィックデバイス応用～パルス動作特性～	○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・パラニラジャセカラン・山本哲也（高知工科大）
	11:50-13:30	休憩　（ 100分）
11月29日(金) 午後 ED1 13:30 - 14:45
(14)	13:30-13:55	GaN-HEMTの耐圧均一性を改善するスクリーニング方法の提案	○齋藤　渉・西澤伸一（九大）
(15)	13:55-14:20	電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETの作製とデバイス特性評価	○久保俊晴・三木隆太郎・江川孝志（名工大）
(16)	14:20-14:45	歪超格子層およびALGaN遷移層を緩衝層に用いたSi基板上ALGaN/GaN HEMT構造の特性の比較	○三木隆太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大）
	14:45-14:55	休憩　（ 10分）
11月29日(金) 午後 ED2 14:55 - 15:45
(17)	14:55-15:20	界面顕微光応答法によるGaN JBS構造の二次元解析	○今林弘毅・吉村遥翔（福井大）・太田　博・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大）
(18)	15:20-15:45	GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価	○井上諒星・小嶋智輝・間瀬　晃・江川孝志・三好実人（名工大）
	15:45-15:55	休憩　（ 10分）
11月29日(金) 午後 ED3 15:55 - 16:50
(19)	15:55-16:20	ミストCVD法を用いたGaN系MOSデバイスのゲート絶縁膜堆積技術	○谷田部然治・福光将也・大竹浩史・平倉拓海・ラズアンハディラ（熊本大）・越智亮太（北大）・中村有水（熊本大）・佐藤威友（北大）
(20)	16:20-16:45	水蒸気を用いたALD-Al2O3の欠陥低減と絶縁ゲート型InP系HEMTへの応用	○尾崎史朗・岡本直哉・中舍安宏・多木俊裕・原　直紀（富士通）
	16:45-16:50	閉会挨拶　（ 5分）

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） [今後の予定はこちら]
	問合先	田中信介（富士通（株）） TEL 080-2203-4544 E-: n- 西島喜明(横浜国立大学） TEL 045-339-4107 E-: y
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
		◎LQE研究会では平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。
ED	電子デバイス研究会（ED） [今後の予定はこちら]
	問合先	山本佳嗣(三菱電機) TEL: 06-6496-9660 E-: YaYoguMibiElectc 小山政俊(阪工大) TEL: 06-6167-4810 E-: oit
CPM	電子部品・材料研究会（CPM） [今後の予定はこちら]
	問合先