13:00-13:05	開会挨拶　（ 5分 ）
11月28日(木) 午後  LQE1 座長: 山口 敦史（金沢工業大学） 13:05 - 14:20
(1)	13:05-13:30	励起長可変法を用いたHVPE窒化アルミニウム基板の光学利得評価 ED2024-20 CPM2024-64 LQE2024-51	○石井良太・隅田長門（京大）・人見達矢・山本玲緒・永島　徹（トクヤマ）・船戸　充・川上養一（京大）
(2)	13:30-13:55	量子井戸中のキャリア・フォノンダイナミクス ED2024-21 CPM2024-65 LQE2024-52	○地崎匡哉・石谷善博（千葉大）
(3)	13:55-14:20	InGaN系ナノピラーにおける歪緩和と表面再結合 ED2024-22 CPM2024-66 LQE2024-53	○大音隆男・小菅駿也（山形大）・相川健喜・倉邉海史・菊池昭彦（上智大）
	14:20-14:30	休憩　（ 10分 ）
11月28日(木) 午後  LQE2 座長: 西島 喜明 （横浜国立大学） 14:30 - 15:45
(4)	14:30-14:55	スパッタアニールAlN上に作製した深紫外AlGaN LEDの顕微ELイメージング測定	○辻本凌大（阪大院工）・市川修平（阪大院工/阪大電顕センター）・赤池良太（三重大院工）・上杉謙次郎（三重大院）・中村孝夫・三宅秀人（三重大院工）・小島一信（阪大院工）
(5)	14:55-15:20	GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討 [下記から変更] 光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子のMQW層及びp-GaNコンタクト層の改善 ED2024-23 CPM2024-67 LQE2024-54	○小嶋智輝・石田颯汰朗・江川孝志・三好実人（名工大）
(6)	15:20-15:45	金属ナノ構造と誘電体薄膜を用いたInGaN/GaN量子井戸の黄緑色発光の著しい増強 ED2024-24 CPM2024-68 LQE2024-55	○岡本晃一・上田直毅・藤岡宏輔・三戸田健太・松山哲也・和田健司（阪公立大）・船戸　充・川上養一（京大）
	15:45-15:55	休憩　（ 10分 ）
11月28日(木) 午後  LQE3 座長: 藤田 和上（浜松ホトニクス） 16:05 - 17:20
(7)	16:05-16:30	井戸数の異なるInGaN量子井戸におけるキャリアダイナミクスの研究 ED2024-25 CPM2024-69 LQE2024-56	○新保　樹・土佐宏樹・神野翔綺・森　恵人・山口敦史（金沢工大）・岩満一功・冨谷茂隆（奈良先端大）
(8)	16:30-16:55	In組成の異なるInGaN量子井戸におけるキャリアダイナミクスの研究 ED2024-26 CPM2024-70 LQE2024-57	○山形梨里花・新保　樹・森　恵人・山口敦史（金沢工大）・岩満一功・冨谷茂隆（奈良先端大）
(9)	16:55-17:20	時間分解PL測定によるInGaN量子井戸におけるキャリア拡散の測定 ED2024-27 CPM2024-71 LQE2024-58	○伊藤央祐・山口敦史（金沢工大）・伊藤まいこ・幸田倫太郎・濱口達史（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
11月29日(金) 午前  CPM1 座長: 寺迫 智昭 （愛媛大学） 10:00 - 10:50
(10)	10:00-10:25	二次元層状材料のヘテロ接合形成による高エネルギー効率光触媒の実現 [下記から変更] Zスキーム型SnS2/g-C3N4ヘテロ接合薄膜の光触媒への応用 ED2024-28 CPM2024-72 LQE2024-59	○森　耀平・バスカー マラティ・中村篤志（静岡大）
(11)	10:25-10:50	水酸化ニッケル薄膜の半導体としての特性 ED2024-29 CPM2024-73 LQE2024-60	○安部功二（名工大）
	10:50-11:00	休憩　（ 10分 ）
11月29日(金) 午前  CPM2 座長: 寺迫 智昭 （愛媛大学） 11:00 - 11:50
(12)	11:00-11:25	PEDOT：PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ構造のニューロモルフィックデバイス応用 ～ デバイス作製と電流-電圧特性 ～ ED2024-30 CPM2024-74 LQE2024-61	○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・パラニ ラジャセカラン・山本哲也（高知工科大）
(13)	11:25-11:50	PEDOT：PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ構造のニューロモルフィックデバイス応用 ～ パルス動作特性 ～ ED2024-31 CPM2024-75 LQE2024-62	○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・パラニ ラジャセカラン・山本哲也（高知工科大）
	11:50-13:30	休憩　（ 100分 ）
11月29日(金) 午後  ED1 座長: 山本 佳嗣 （三菱電機） 13:30 - 14:45
(14)	13:30-13:55	GaN-HEMTの耐圧均一性を改善するスクリーニング方法の提案 ED2024-32 CPM2024-76 LQE2024-63	○齋藤　渉・西澤伸一（九大）
(15)	13:55-14:20	電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETの作製とデバイス特性評価 ED2024-33 CPM2024-77 LQE2024-64	○久保俊晴・三木隆太郎・江川孝志（名工大）
(16)	14:20-14:45	歪超格子層およびALGaN遷移層を緩衝層に用いたSi基板上ALGaN/GaN HEMT構造の特性の比較 ED2024-34 CPM2024-78 LQE2024-65	○三木隆太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大）
	14:45-14:55	休憩　（ 10分 ）
11月29日(金) 午後  ED2 座長: 久保 俊晴 （名古屋工業大学） 14:55 - 15:45
(17)	14:55-15:20	界面顕微光応答法によるGaN JBS構造の二次元解析 ED2024-35 CPM2024-79 LQE2024-66	○今林弘毅・吉村遥翔（福井大）・太田　博・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大）
(18)	15:20-15:45	GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価 ED2024-36 CPM2024-80 LQE2024-67	○井上諒星・小嶋智輝・間瀬　晃・江川孝志・三好実人（名工大）
	15:45-15:55	休憩　（ 10分 ）
11月29日(金) 午後  ED3 座長: 久保 俊晴 （名古屋工業大学） 15:55 - 16:50
(19)	15:55-16:20	ミストCVD法を用いたGaN系MOSデバイスのゲート絶縁膜堆積技術 ED2024-37 CPM2024-81 LQE2024-68	○谷田部然治・福光将也・大竹浩史・平倉拓海・ラズアン ハディラ（熊本大）・越智亮太（北大）・中村有水（熊本大）・佐藤威友（北大）
(20)	16:20-16:45	水蒸気酸化ALD-Al2O3によるInP系MOS-HEMTの性能向上 [下記から変更] 水蒸気を用いたALD-Al2O3の欠陥低減と絶縁ゲート型InP系HEMTへの応用 ED2024-38 CPM2024-82 LQE2024-69	○尾崎史朗・熊崎祐介・岡本直哉・中舍安宏・多木俊裕・原　直紀（富士通） [下記から変更] ○尾崎史朗・岡本直哉・中舍安宏・多木俊裕・原　直紀（富士通）
	16:45-16:50	閉会挨拶　（ 5分 ）

問合先と今後の予定
CPM	電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	寺迫 智昭 （愛媛大学） TEL: 089-927-9789 E-: amze-u
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	山本 佳嗣(三菱電機) TEL: 06-6496-9660 E-: YaYoguMibiElectc 小山 政俊(阪工大) TEL: 06-6167-4810 E-: oit
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）   [今後の予定はこちら]
	問合先	田中 信介（富士通（株）） TEL 080-2203-4544 E-: n- 西島 喜明(横浜国立大学） TEL 045-339-4107 E-: y
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
		◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。

Last modified: 2024-10-10 10:53:29