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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2012年度)
「from:2012-05-17 to:2012-05-17」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 13:00 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［招待講演］一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用 ○牧原克典（名大）・池田弥央（広島大）・宮崎誠一（名大）  ED2012-17 CPM2012-1 SDM2012-19 |
熱SiO2膜上のSi-QDs上にGeを選択成長させ、酸化・高温熱処理を施した後、SiH4-LPCVDを行うことによって、... [more] | ED2012-17 CPM2012-1 SDM2012-19 pp.1-6 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 13:40 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上 ○深見太志・浦上法之・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-18 CPM2012-2 SDM2012-20 |
Si上発光デバイスの活性層材料としてGaAsN混晶は有望である。460°Cで成長した試料に比べ、600°Cで成長したGa... [more] | ED2012-18 CPM2012-2 SDM2012-20 pp.7-10 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 14:05 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価 ○伊藤宏成・熊谷啓助・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-19 CPM2012-3 SDM2012-21 |
格子整合III-V-N/Si構造において、AlGaPN混晶は、発光素子のクラッド層材料として期待できる。そこで、Sおよび... [more] | ED2012-19 CPM2012-3 SDM2012-21 pp.11-14 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 14:30 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性 ○久志本真希・谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大） ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22 |
MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101) GaNストライプ上に発光波長435nm～590nm、井戸... [more] | ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22 pp.15-18 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 14:55 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性 高木達也・華 俊辰・宮原 亮・○高野 泰（静岡大） ED2012-21 CPM2012-5 SDM2012-23 |
有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に4°オフ基板を使用した。成長温度を770-830℃... [more] | ED2012-21 CPM2012-5 SDM2012-23 pp.19-23 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 15:30 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | MEMSファブリペロー干渉計を用いた表面応力センサによる非標識たんぱく質検出 ○高橋一浩・大山泰生・三澤宣雄・奥村弘一・石田 誠・澤田和明（豊橋技科大） ED2012-22 CPM2012-6 SDM2012-24 |
本研究では、フォトダイオード上にＭＥＭＳ可動膜を形成し半導体基板とのギャップでファブリペロー干渉計を構成することによって... [more] | ED2012-22 CPM2012-6 SDM2012-24 pp.25-28 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 15:55 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | γ-Al2O3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサアレイの作製と送受信特性 ○尾崎勝弥・西村将人・鈴木啓佑・沼田泰幸（豊橋技科大）・岡田長也（本多電子）・赤井大輔・石田 誠（豊橋技科大） ED2012-23 CPM2012-7 SDM2012-25 |
[more] | ED2012-23 CPM2012-7 SDM2012-25 pp.29-33 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 16:20 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 光化学堆積SnO2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作 ○オ ドンボリル・森口幸久・市村正也（名工大） ED2012-24 CPM2012-8 SDM2012-26 |
光化学堆積(PCD)法を用いて不純物ドーピングありとなしのSnO2薄膜を作製し、高感度の室温動作水素ガスセンサを作製した... [more] | ED2012-24 CPM2012-8 SDM2012-26 pp.35-38 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 16:45 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ga2O3酸素センサの作製と評価 ○以西雅章・山本貴弘・鳥井琢磨（静岡大） ED2012-25 CPM2012-9 SDM2012-27 |
あらまし 近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900... [more] | ED2012-25 CPM2012-9 SDM2012-27 pp.39-42 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 09:00 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化 ○柏野壮志・平井 準・池田俊介・藤松基彦・宮本恭幸（東工大） ED2012-26 CPM2012-10 SDM2012-28 |
我々はヘテロ接合電子ランチャと真性半導体チャネルを有する縦型MISFETの研究を行っている。この構造により7 MA/cm... [more] | ED2012-26 CPM2012-10 SDM2012-28 pp.43-48 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 09:25 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ドライエッチ面を含むAl2O3/AlGaN/GaN構造の界面評価 ○谷田部然治・堀 祐臣・金 聖植・橋詰 保（北大） ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29 |
ドライエッチングしたAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った．ドライエッチングには、Cl2/BCl3ガスによるI... [more] | ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29 pp.49-52 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 09:50 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価 ○加地 徹・上杉 勉（豊田中研） ED2012-28 CPM2012-12 SDM2012-30 |
[more] | ED2012-28 CPM2012-12 SDM2012-30 pp.53-56 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 10:25 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討 ○永本勇矢・松岡勝彦・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-29 CPM2012-13 SDM2012-31 |
[more] | ED2012-29 CPM2012-13 SDM2012-31 pp.57-61 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 10:50 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み ○阿部克也・牛草遼平・坂口優也・周 澤宇・山上朋彦（信州大） ED2012-30 CPM2012-14 SDM2012-32 |
[more] | ED2012-30 CPM2012-14 SDM2012-32 pp.63-66 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 11:15 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 ○吉原一輝・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 |
SiCは大電力、低損失デバイス材料として期待されているが、デバイス性能に多大な影響を与える結晶欠陥を解明するには至ってい... [more] | ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 pp.67-72 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 11:40 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価 ○山羽 隆・中塚 理（名大）・木下恭一・依田眞一（JAXA）・財満鎭明（名大） ED2012-32 CPM2012-16 SDM2012-34 |
[more] | ED2012-32 CPM2012-16 SDM2012-34 pp.73-77 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 13:00 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 第一原理計算によりもとめたCdS/Cu2ZnSnS4ヘテロ接合界面バンドオフセットの結晶構造と面方位依存性 ○ホウ ウジスグリム・市村正也（名工大） ED2012-33 CPM2012-17 SDM2012-35 |
Cu2ZnSnS4(CZTS)はヘテロ接合太陽電池の光吸収層材料として注目されている物質である。本研究では、第一原理計算... [more] | ED2012-33 CPM2012-17 SDM2012-35 pp.79-83 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 13:25 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Electrodeposition of Ga2O3 Thin Films from Aqueous Gallium Sulfate Solutions ○Junie Jhon M. Vequizo・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.） ED2012-34 CPM2012-18 SDM2012-36 |
Gallium oxide (Ga2O3) thin films were prepared by employing ... [more] | ED2012-34 CPM2012-18 SDM2012-36 pp.85-89 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 13:50 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 電気化学堆積Cu2O薄膜へのH2O2処理 ○宋 瑛・市村正也（名工大） ED2012-35 CPM2012-19 SDM2012-37 |
Cu2Oはヘテロ接合型太陽電池への光吸収層として応用されている。しかし、バンドギャップが太陽電池の最適値より大きいという... [more] | ED2012-35 CPM2012-19 SDM2012-37 pp.91-94 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 14:15 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価 ○竹内大智・牧原克典（名大）・池田弥央（広島大）・宮崎誠一（名大）・可貴裕和・林 司（日新電機） ED2012-36 CPM2012-20 SDM2012-38 |
[more] | ED2012-36 CPM2012-20 SDM2012-38 pp.95-98 |
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