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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2012-07-26 15:50 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性 ○高橋利文（福井大）・金田直樹・三島友義（日立電線）・梶原隆司・田中 悟（九大）・塩島謙次（福井大）  ED2012-46 |
結晶成長後の降温時にNH3供給を停止する温度(TNH3)を変えることにより表面ストイキオメトリを制御した3種類のp-Ga... [more] | ED2012-46 pp.25-30 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 11:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計 ○酒井亮輔・岡井智隆・塩島謙次・葛原正明（福井大） ED2008-174 CPM2008-123 LQE2008-118 |
傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に関して、2次元アンサンブルモンテカルロシミュレーシ... [more] | ED2008-174 CPM2008-123 LQE2008-118 pp.109-114 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 14:35 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Simulation of Tunneling Contact Resistivity in Non-polar AlGaN/GaN Heterostructures ○Hironari Chikaoka・Youichi Takakuwa・Kenji Shiojima・Masaaki Kuzuhara（Univ. of Fukui） ED2008-104 SDM2008-123 |
[more] | ED2008-104 SDM2008-123 pp.337-340 |
| ED | 2008-06-13 13:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | p-GaNショットキー接触のI-V,C-V特性 ～ キャリア濃度,金属仕事関数依存性 ～ ○福島慶広・荻須啓太・葛原正明・塩島謙次（福井大） ED2008-23 |
4種類のMgドーピング濃度の異なるp-GaN上に10種類の電極金属を用いてショットキー接触を形成し、I-V、C-V特性か... [more] | ED2008-23 pp.5-10 |
| ED | 2008-06-13 14:40 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性 ○荻須啓太・福島慶広・塩島謙次（福井大）・荒木賀行・横浜秀雄（NTT-AT） ED2008-26 |
炭素ドープInP/InGaAs HBT のMOCVD成長においてエチル基原料ガスを用いてベース層への水素混入低減を試み、... [more] | ED2008-26 pp.23-28 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 09:00 |
福井 | 福井大学 | 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討 ○酒井亮輔・西田猛利・塩島謙次・葛原正明（福井大） ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66 |
多段および傾斜フィールドプレート（FP）を有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧に関して、2次元アンサンブルモンテカル... [more] | ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66 pp.47-52 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 11:40 |
福井 | 福井大学 | AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討 ○児玉和樹・西田猛利・塩島謙次・葛原正明（福井大） ED2007-171 CPM2007-97 LQE2007-72 |
AlInN/InGaNヘテロ接合FETの高周波特性について理論予測を行った。解析には、２次元空間におけるアンサンブルモン... [more] | ED2007-171 CPM2007-97 LQE2007-72 pp.77-80 |
| ED | 2007-06-16 09:30 |
富山 | 富山大学 | ［招待講演］金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展 ○塩島謙次（福井大） ED2007-41 |
低Mgドープp-GaN基板を用いて良好なショットキー接触を実現し、電極界面の電気的特性を明らかにした結果を中心として、金... [more] | ED2007-41 pp.57-60 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 14:45 |
東京 | 機械振興会館 | 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー ○塩島謙次・牧村隆司・小杉敏彦・末光哲也・重川直輝・廣木正伸・横山春喜（NTT） |
[more] | ED2005-206 MW2005-160 pp.41-44 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 13:50 |
滋賀 | 立命館大学 | 短ゲートＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴのＤＣ、ＲＦ特性と基板結晶性との相関 ○塩島謙次・牧村隆司・末光哲也・重川直輝・廣木正伸・横山春喜（NTT） |
[more] | ED2005-127 CPM2005-114 LQE2005-54 pp.43-46 |
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