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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EMM 2021-03-04
15:00
ONLINE オンライン開催 [ポスター講演]OCRのための書き込み済み印刷書類における手書きの要素と印刷文字の分離手法
櫻井亮太朗日置尋久京大EMM2020-73
書き込みが加えられた印刷書類にOCRを適用する際には、一般に前処理で手書き要素と印刷文字を分離しておくことが求められる。... [more] EMM2020-73
pp.34-39
MIKA
(第二種研究会)
2019-10-03
11:15
北海道 北海道大学 [ポスター講演]チップレスRFIDの書き込み技術に関する一検討
成末義哲平井亨武森川博之東大
本稿ではチップレスRFIDのデータ書き込み技術について報告する.近年,RFIDのさらなる低コスト化のため,半導体ICを用... [more]
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2018-12-06
15:30
愛媛 愛媛大学 電圧トルクMRAMにおける書き込みエラー率のシミュレーション解析
今村裕志産総研MRIS2018-23
電圧印加による磁気異方性の変化を書き込みに利用した電圧トルクMRAMは高速・超低消費電力な不揮発性メモリとして注目を集め... [more] MRIS2018-23
pp.19-23
VLD, CPSY, RECONF
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2016-01-21
14:15
神奈川 慶應義塾大学 日吉キャンパス 冗長符号化を用いたマルチレベルセル不揮発性メモリ書き込み量削減
多和田雅師木村晋二柳澤政生戸川 望早大VLD2015-107 CPSY2015-139 RECONF2015-89
ノイマン型コンピュータにおいて重要なメインメモリに不揮発性メモリを使用する動きがある.
不揮発性メモリは書き込みエネル... [more]
VLD2015-107 CPSY2015-139 RECONF2015-89
pp.221-225
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2015-12-03
15:00
長崎 長崎県勤労福祉会館 回路面積を考慮した不揮発性メモリ書き込み削減符号生成手法
多和田雅師木村晋二柳澤政生戸川 望早大VLD2015-76 DC2015-72
近年,大容量の不揮発性メモリの実用化が進んでいる.不揮発性メモリはリーク電力が非常に小さい,電源が供給されていなくても情... [more] VLD2015-76 DC2015-72
pp.249-253
ICD, CPSY
(共催)
2014-12-01
15:15
東京 機械振興会館 [ポスター講演]抵抗変化型メモリ(ReRAM)の書き込み特性の評価
西川 進中大)・寧 渉洋東大)・竹内 健中大ICD2014-89 CPSY2014-101
ReRAM(抵抗変化型メモリ)はフラッシュメモリよりも高速で、動作に必要とする電圧の小さな次世代不揮発性メモリである。R... [more] ICD2014-89 CPSY2014-101
p.57
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2014-11-28
09:15
大分 ビーコンプラザ(別府国際コンベンションセンター) 不揮発メモリを対象とした最大ハミング距離と最小ハミング距離を制約した符号による書き込み手法のエネルギー評価
古城辰朗多和田雅師柳澤政生戸川 望早大VLD2014-105 DC2014-59
デバイスの微細化によってメモリに保存されている値が破壊されるリスクが増大する.メモリの値を破壊から守る手法として誤り訂正... [more] VLD2014-105 DC2014-59
pp.221-226
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2014-11-28
09:40
大分 ビーコンプラザ(別府国際コンベンションセンター) 不揮発メモリの書き込み削減手法のための小面積なエンコーダ/デコーダ回路構成
多和田雅師木村晋二柳澤政夫戸川 望早大VLD2014-106 DC2014-60
不揮発メモリはリーク電力が非常に小さい,電源が落ちていても情報を保持できると
いった性質から次世代メモリとして注目され... [more]
VLD2014-106 DC2014-60
pp.227-232
CPSY 2014-10-10
13:25
千葉 幕張メッセ国際会議場303会議室 SSDの書き込み特性の理論的解析
菅野伸一矢尾 浩東芝)・橋本大輔TAECCPSY2014-51
本稿ではNAND 型フラッシュメモリを用いたSSD において,ランダムなアドレス順の書き込みに対しNAND 型フラッシュ... [more] CPSY2014-51
pp.25-30
IE, ICD, VLD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2014-10-02
16:15
宮城 東北大学 さくらホール メモリセル電位を適応的に降圧して書き込み動作範囲を低電圧化した1電源6-Tr CMOS SRAMの開発
小林伸彰長岡技科大)・伊藤隆祐榎本忠儀中大VLD2014-66 ICD2014-59 IE2014-45
低電圧データ書き込み・データ読み出しを可能とし、待機時のデータ保持と低消費電力化を両立した1電源6-Tr CMOS SR... [more] VLD2014-66 ICD2014-59 IE2014-45
pp.33-38
CPSY, RECONF, VLD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2014-01-29
15:15
神奈川 慶応義塾大学 日吉キャンパス 差分を用いた不揮発メモリの書込み回数削減による低電力回路設計
篠原寛行柳澤政生木村晋二早大VLD2013-130 CPSY2013-101 RECONF2013-84
LSI の低消費電力化のために,モジュール毎の細やかな電源オフは欠かせない.
それと同時に,電源復帰後も動作の継続性を... [more]
VLD2013-130 CPSY2013-101 RECONF2013-84
pp.167-172
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2013-11-28
10:50
鹿児島 鹿児島県文化センター 不揮発メモリを対象とした書き込み削減手法のエネルギー評価
多和田雅師木村晋二柳澤政生戸川 望早大VLD2013-81 DC2013-47
近年の高集積化に伴い消費電力全体に対するリーク電力の割合が高まっている.
不揮発メモリはリーク電力をほとんど消費しない... [more]
VLD2013-81 DC2013-47
pp.141-146
CPM 2013-10-08
13:50
東京 機械振興会館 積層構造を導入した磁性ガーネット媒体を用いた体積磁気ホログラムの回折効率向上
磯谷亮介相良尚人小林 完高木宏幸中村雄一林 攀梅井上光輝豊橋技科大CPM2013-91
高記録密度および高転送レートを両立できる次世代の記録媒体にホログラムメモリがある.我々は,リライタブルなメディアとしてビ... [more] CPM2013-91
pp.11-16
SIP, CAS, MSS, VLD
(共催)
2013-07-12
09:20
熊本 熊本大学 最大ハミング距離を制限した符号とこれを用いた不揮発メモリの書き込み削減手法
多和田雅師木村晋二柳澤政生戸川 望早大CAS2013-18 VLD2013-28 SIP2013-48 MSS2013-18
近年の高集積化に伴い消費電力全体に対するリーク電力の割合が高まっている.
不揮発メモリはリーク電力をほとんど消費しない... [more]
CAS2013-18 VLD2013-28 SIP2013-48 MSS2013-18
pp.95-100
ET 2013-01-12
11:05
東京 東京農工大学(小金井地区) 説明的文章における書き込みを利用した質問生成の検討
岩根典之広島市大ET2012-71
本研究では,タブレットPCとスタイラスペンを用いたデジタル教材への書き込みによる学習支援を目指している.本稿では学習を支... [more] ET2012-71
pp.17-20
ET 2012-10-27
10:40
長野 信州大学工学部 (長野市) ハンドアウトの有用度と書き込み方略の関係に関する検討
足立真乙中山 実東工大)・梶井芳明学芸大ET2012-39
本研究では,ハンドアウトについて評価者の質問紙による評価とハンドアウトへの自由記述のコメントから調べた.質問紙による評価... [more] ET2012-39
pp.11-16
CPM 2012-09-25
14:20
東京 機械振興会館 磁性ガーネット膜を用いた体積磁気ホログラムの回折効率の改善
相良尚人正木幸宏林 攀梅高木宏幸中村雄一井上光輝豊橋技科大CPM2012-88
大容量記録技術の一つにホログラムメモリがある.我々はこれまで,記録材料に磁性ガーネット膜を用いた磁気ホログラムの研究を行... [more] CPM2012-88
pp.15-18
ET 2012-03-10
16:10
香川 香川高等専門学校(詫間キャンパス) 大学生が作成したハンドアウトの有用度に応じた書き込みの検討
足立真乙中山 実東工大)・梶井芳明学芸大ET2011-112
大学生が作成したハンドアウトの有用度に応じた書き込み内容の違いについて検討した.ハンドアウトの有用度を検討するために,2... [more] ET2011-112
pp.67-72
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2011-11-18
13:45
東京 早稲田大学 HDD狭隘部乱流のレーザープロファイルセンサーによる速度計測
白井克明ドレスデン工科大)・志賀信雄慶大)・ラース ビュットナーユルゲン チャルスケドレスデン工科大)・○小尾晋之介慶大MR2011-19
ハードディスク(HDD)内の流れに関してモデルを用いた実験を行った。モデルはシュラウド開口部およびデータ読み書きのための... [more] MR2011-19
pp.1-8
SDM, ICD
(共催)
2011-08-25
14:55
富山 富山県民会館 ReRAM多重書き込み自動回避回路を用いた消費電力削減技術
半田貴也中山和也北川章夫秋田純一金沢大SDM2011-80 ICD2011-48
近年,抵抗変化型メモリReRAM(Resistance Random Access Memory)は次世代型メモリとして... [more] SDM2011-80 ICD2011-48
pp.53-57
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