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バイオ・マイクロシステム研究会 (IEE-BMS)
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誘電・絶縁材料研究会 (IEE-DEI)
電子デバイス技術委員会 (IEE-EDD)
電子材料研究会 (IEE-EFM)
電磁環境技術委員会 (IEE-EMC)
電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
家電・民生技術委員会 (IEE-HCA)
産業電力電気応用研究会(解散) (IEE-IEA)
次世代産業システム (IEE-IIS)
情報システム研究会 (IEE-IS)
ITS研究会 (IEE-ITS)
マグネティックス研究会 (IEE-MAG)
医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
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情報ディスプレイ研究会 (ITE-IDY)
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500件ずつ表示
研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
LQE
,
ED
,
CPM
(共催)
2011-11-17
16:45
京都
京都大学桂キャンパス 桂ホール
ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討
○
西森理人
・
牧山剛三
・
多木俊裕
・
山田敦史
・
今西健治
・
吉川俊英
・
原 直紀
・
渡部慶二
(
富士通研
)
ED2011-85 CPM2011-134 LQE2011-108
[more]
ED2011-85
CPM2011-134
LQE2011-108
pp.61-65
CPM
,
LQE
,
ED
(共催)
2010-11-11
16:50
大阪
阪大 中ノ島センター
ミリ波高出力GaN-HEMT
○
牧山剛三
・
多木俊裕
・
岡本直哉
・
金村雅仁
・
増田 哲
・
中舍安宏
・
常信和清
・
今西健治
(
富士通/富士通研
)・
原 直紀
・
尾崎史朗
・
中村哲一
(
富士通研
)・
吉川俊英
(
富士通/富士通研
)
ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109
[more]
ED2010-153
CPM2010-119
LQE2010-109
pp.51-54
MW
2009-09-25
15:15
東京
電通大
効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
○
重松寿生
・
井上雄介
・
赤瀬川章彦
・
増田 哲
・
山田全男
・
金村雅仁
・
多木俊裕
・
牧山剛三
・
岡本直哉
・
今西健治
・
吉川俊英
・
常信和清
・
原 直紀
(
富士通研
)
MW2009-86
本論文では0.25 um GaN-HEMTを用いた超100 W出力のX帯高出力増幅器および0.8 um GaN-HEMT...
[more]
MW2009-86
pp.73-78
ED
2009-06-12
11:25
東京
東京工業大学
GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減
○
山田敦史
・
牧山剛三
・
多木俊裕
・
金村雅仁
・
常信和清
・
今西健治
(
富士通/富士通研
)・
原 直紀
(
富士通研
)・
吉川俊英
(
富士通/富士通研
)
ED2009-48
ミリ波帯応用向けの短ゲートGaN-HEMTのピンチオフ電流の低減には、GaNチャネル層の薄層化が有効である.しかしながら...
[more]
ED2009-48
pp.63-67
MW
,
ED
(共催)
2009-01-16
09:30
東京
機械振興会館
C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器
○
重松寿生
・
井上雄介
・
増田 哲
・
山田全男
・
金村雅仁
・
多木俊裕
・
牧山剛三
・
岡本直哉
・
今西健治
・
吉川俊英
・
常信和清
・
原 直紀
(
富士通研
)
ED2008-218 MW2008-183
[more]
ED2008-218
MW2008-183
pp.113-118
MW
,
ED
(共催)
2009-01-16
10:55
東京
機械振興会館
ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT
○
牧山剛三
・
多木俊裕
・
金村雅仁
・
常信和清
・
今西健治
(
富士通/富士通研
)・
原 直紀
(
富士通研
)・
吉川俊英
(
富士通/富士通研
)
ED2008-221 MW2008-186
ミリ波(W帯)増幅器向けGaN高移動度トランジスタ(GaN-HEMT)の3端子耐圧向上技術について報告する。GaN-HE...
[more]
ED2008-221
MW2008-186
pp.129-133
LQE
,
ED
,
CPM
(共催)
2008-11-28
13:55
愛知
名古屋工業大学
100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器
○
多木俊裕
・
吉川俊英
・
金村雅仁
・
今西健治
・
牧山剛三
・
岡本直哉
・
常信和清
・
原 直紀
(
富士通/富士通研
)
ED2008-178 CPM2008-127 LQE2008-122
[more]
ED2008-178
CPM2008-127
LQE2008-122
pp.131-136
SDM
,
R
,
ED
(共催)
2007-11-16
15:20
大阪
中央電気倶楽部
高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析
○
井上雄介
・
増田 哲
・
金村雅仁
・
多木俊裕
・
牧山剛三
・
岡本直哉
・
今西健治
・
吉川俊英
・
原 直紀
・
重松寿生
・
常信和清
(
富士通研
)
R2007-51 ED2007-184 SDM2007-219
[more]
R2007-51
ED2007-184
SDM2007-219
pp.27-31
MW
,
ED
(共催)
2007-01-19
15:15
東京
機械振興会館
絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
○
金村雅仁
・
多木俊裕
・
今西健治
・
牧山剛三
・
岡本直哉
(
富士通/富士通研
)・
原 直紀
(
富士通研
)・
吉川俊英
・
常信和清
(
富士通/富士通研
)
[more]
ED2006-236
MW2006-189
pp.199-203
MW
,
ED
(共催)
2007-01-19
16:40
東京
機械振興会館
ミリ波向け高耐圧・高fmax GaN-HEMT
○
牧山剛三
・
多木俊裕
・
今西健治
・
金村雅仁
(
富士通/富士通研
)・
原 直紀
(
富士通研
)・
吉川俊英
(
富士通/富士通研
)
[more]
ED2006-239
MW2006-192
pp.213-217
ED
,
MW
(共催)
2006-01-19
15:10
東京
機械振興会館
基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT
○
吉川俊英
・
今西健治
・
金村雅仁
・
常信和清
(
富士通研
)
[more]
ED2005-207
MW2005-161
pp.45-49
ED
,
MW
(共催)
2006-01-19
15:35
東京
機械振興会館
高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT
○
金村雅仁
・
吉川俊英
・
岩井大介
・
今西健治
・
久保徳郎
・
常信和清
(
富士通研
)
[more]
ED2005-208
MW2005-162
pp.51-55
IN
2005-07-14
14:35
北海道
北海道大学
P2Pネットワークオーバーレイ機能を持つ情報家電の試作と考察
○
江守拓実
・
西 健治
・
江副敏晴
(
アルファシステムズ
)・
石川和民
(
三洋電機
)
[more]
IN2005-35
pp.37-42
PRMU
,
TL
(共催)
2005-03-18
13:30
秋田
秋田大学
ズームと顔の向き変化にロバストな口唇位置の推定
○
白澤洋一
・
西田 眞
(
秋田大
)・
西 健治
(
アルファシステムズ
)
[more]
TL2004-83
PRMU2004-251
pp.115-120
14件中 1~14件目
/
日付順(昇順)
日付順(降順)
タイトル順
著者順
所属順
研究会順
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