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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| QIT (第二種研究会) |
2023-05-29 16:30 |
京都 | 京都大学 桂キャンパス | ［ポスター講演］ナノダイヤモンド中へのイオン注入により作製したシリコン空孔中心の極低温評価 ○嶋﨑幸之介・鈴木和樹・岡城勇大（京大）・高島秀聡（京大/千歳科技大）・阿部浩之・大島 武（量研機構）・竹内繁樹（京大） |
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| QIT (第二種研究会) |
2021-05-24 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［ポスター講演］極微ナノダイヤモンド中へのSiVセンターの作製 ○嶋﨑幸之介・川口洋生・高島秀聡（京大）・Takuya F. Segawa（ETH Zurich）・Frederick T.-K. So・寺田大紀（京大）・小野田 忍・大島 武（量研機構）・白川昌宏・竹内繁樹（京大） |
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| QIT (第二種研究会) |
2017-11-16 13:50 |
埼玉 | 埼玉大学 | ［ポスター講演］シリコン欠陥中心内包ナノダイヤモンドの作製 ○岩端祐介・福田 純・高島秀聡（京大）・Andreas W. Schell（ICFO）・阿部浩之・小野田 忍・大島 武（QST）・竹内繁樹（京大） |
ダイヤモンド中のカラーセンターは量子情報や量子計測、バイオセンシング等への応用が期待されている。カラーセンターの一種であ... [more] | |
| OPE, MW, EMT, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2016-07-21 16:40 |
北海道 | 網走 オホーツク・文化交流センター（エコーセンター2000） | 浮遊導体およびグラウンドビアを装荷した高方向性/密結合多段ストリップ線路側結合カプラ ○安部素実・大島 毅・湯浅 健・竹田英次・大和田 哲・米田尚史・宮崎守泰（三菱電機）  EMT2016-16 MW2016-47 OPE2016-28 EST2016-17 MWP2016-18 |
[more] | EMT2016-16 MW2016-47 OPE2016-28 EST2016-17 MWP2016-18 pp.61-65 |
| SDM | 2013-06-18 17:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価 ○梅田享英（筑波大）・岡本光央・小杉亮治（産総研）・荒井 亮・佐藤嘉洋（筑波大）・原田信介・奥村 元（産総研）・牧野高紘・大島 武（原子力機構） SDM2013-64 |
4H-SiC MOS型電界効果トランジスタ（MOSFET）はノーマリーオフ，高パワー密度，超低損失のパワーデバイスとして... [more] | SDM2013-64 pp.101-105 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-16 13:55 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み ○中根浩貴・加藤正史・市村正也（名工大）・大島 武（原子力機構） ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24 |
SiCデバイスの性能向上には、キャリアライフタイムの制御方法の確立が必要である。そのためには深い準位の物理的起源の理解が... [more] | ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24 pp.7-12 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-17 14:55 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価 ○三宅景子・安田智成・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） ED2013-33 CPM2013-18 SDM2013-40 |
太陽光を利用した水分解による水素生成は次世代エネルギー技術として注目されており、SiCはそのための材料の候補である。この... [more] | ED2013-33 CPM2013-18 SDM2013-40 pp.93-98 |
| SDM | 2012-12-07 10:30 |
京都 | 京都大学(桂) | 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化 ○村田耕司・森根達也・松浦秀治（阪電通大）・小野田 忍・大島 武（原子力機構） SDM2012-117 |
Si (Silicon) に比べ，放射線耐性及び絶縁破壊電界が大きいSiC (Silicon Carbide) は，次世... [more] | SDM2012-117 pp.13-18 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 11:15 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 ○吉原一輝・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 |
SiCは大電力、低損失デバイス材料として期待されているが、デバイス性能に多大な影響を与える結晶欠陥を解明するには至ってい... [more] | ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 pp.67-72 |
| SDM | 2010-12-17 14:30 |
京都 | 京都大学(桂) | 200keV電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化 ○野尻琢慎・西野公三・柳澤英樹・松浦秀治（阪電通大）・小野田 忍・大島 武（原子力機構） SDM2010-195 |
添加量の異なるAl-doped 4H-SiC及びN-doped 4H-SiCエピ膜に200 keVの電子線を照射した場合... [more] | SDM2010-195 pp.57-62 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 14:20 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討 ○近藤正樹・秦 貴幸・岡田 浩・若原昭浩・古川雄三（豊橋技科大）・佐藤真一郎・大島 武（原子力機構） ED2010-19 CPM2010-9 SDM2010-19 |
[more] | ED2010-19 CPM2010-9 SDM2010-19 pp.11-16 |
| SDM | 2009-12-04 10:00 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化 ○野尻琢慎・柳澤英樹・明神善子・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） SDM2009-153 |
電子線を照射したAl-doped 6H-SiCエピ膜に対して、van der pauw法を用いたホール効果測定により得ら... [more] | SDM2009-153 pp.11-16 |
| SDM | 2009-12-04 10:20 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 ～ ドープ量依存性 ～ ○柳澤英樹・西野公三・野尻琢慎・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） SDM2009-154 |
SiC中のC原子のみを変位させる200keVの電子線照射が，Al-doped 4H-SiCとN-doped 4H-SiC... [more] | SDM2009-154 pp.17-22 |
| SDM | 2009-12-04 10:40 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について ○西野公三・柳澤英樹・野尻琢慎・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） SDM2009-155 |
(事前公開アブストラクト) Al-doped 4H-SiCエピ膜に200 keVの電子線を照射する事でAl-doped ... [more] | SDM2009-155 pp.23-28 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 13:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Effect of Ion-Beam-Induced Damage on Luminescence Properties in Tb-Implanted AlxGa1-xN ○Ji-Ho Park・Hiroshi Okada・Akihiro Wakahara・Yuzo Furukawa（Toyohashi Univ. of Tech.）・Yong-Tae Kim（Dankook Univ.）・Jonghan Song（KIST）・Ho-Jung Chang（Dankook Univ.）・Shin-ichiro Sato・Takeshi Ohshima（JAEA, Takasaki） ED2009-82 SDM2009-77 |
[more] | ED2009-82 SDM2009-77 pp.141-144 |
| SANE | 2008-06-26 16:30 |
茨城 | JAXA筑波宇宙センター | 宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究(仮) ○牧野高紘（総研大）・柳川善光（東大）・小林大輔（総研大/JAXA）・福田盛介（JAXA）・廣瀬和之・池田博一（総研大/JAXA）・斎藤宏文（東大/JAXA）・小野田 忍・平尾敏雄・大島 武（原子力機構）・高橋大輔・石井 茂・草野将樹・池淵 博・黒田能克（三菱重工） SANE2008-25 |
放射線によって論理LSI内に誘起されるスパイクノイズがソフトエラー源として顕在化してきている． 論理LSIはチップ内部... [more] |
SANE2008-25 pp.67-72 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 15:05 |
愛知 | 名古屋工業大学 | マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価 ○松下由憲・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） ED2008-20 CPM2008-28 SDM2008-40 |
SiCは高出力，高周波デバイスの材料として注目されている．実用化を妨げる原因のひとつとしてウェハー中の結晶欠陥の存在が挙... [more] | ED2008-20 CPM2008-28 SDM2008-40 pp.95-100 |
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