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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-16 13:00 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | Siワイヤサーモパイルの熱起電力に与えるフォノンドラッグ効果の考察 ○鈴木悠平・ホティマトゥル ファウジア（静岡大）・鎌倉良成（阪工大）・渡邉孝信（早大）・ファイズ サレ（マラヤ大）・池田浩也（静岡大）  ED2019-10 CPM2019-1 SDM2019-8 |
[more] | ED2019-10 CPM2019-1 SDM2019-8 pp.1-4 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-17 10:45 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ウェアラブル発電デバイスのためのフレキシブル材料の熱電特性評価 ○池田浩也・カーン ファイザン・大久保美沙・アロクヤサミ ペリヤナヤガ クリスティ（静岡大）・山川俊貴（熊本大）・池田和司（奈良先端大）・下村 勝・村上健司・早川泰弘（静岡大）・ファイズ サレ（マラヤ大）・鈴木悠平（静岡大） ED2019-23 CPM2019-14 SDM2019-21 |
フレキシブル材料の厚さ方向のゼーベック係数を測定するための装置を自作して，炭素布のゼーベック係 数を測定した.... [more] | ED2019-23 CPM2019-14 SDM2019-21 pp.63-66 |
| ED, SDM (共催) |
2018-02-28 14:40 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | 表面電位顕微鏡を用いたナノ材料ゼーベック係数測定手法の開発 鈴木悠平・岡 晃人・川合健斗・立岡浩一・猪川 洋・下村 勝・村上健司（静岡大）・ファイズ サレ（マラヤ大）・○池田浩也（静岡大） ED2017-110 SDM2017-110 |
熱電変換効率を向上するための方策のひとつとしてナノ構造材料の導入が期待されているが，そのためにはナノスケール材料の熱電特... [more] | ED2017-110 SDM2017-110 pp.27-30 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-19 14:15 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | ZnOナノ構造を用いたフレキシブル材料の熱電特性評価 ○和波雅也・セルバラジ シャンティ・鈴木悠平・ベルスワミィ パンディヤラサン（静岡大）・ファイズ サレ（マラヤ大）・下村 勝・村上健司・池田浩也（静岡大） ED2016-16 CPM2016-4 SDM2016-21 |
高効率ウェアラブル発電デバイスのためのフレキシブル熱電変... [more] | ED2016-16 CPM2016-4 SDM2016-21 pp.15-18 |
| SDM, ED (共催) |
2015-02-05 14:15 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 高効率熱電変換デバイス用SiGe混晶のゼーベック係数 ○池田浩也・ベラッパン マニムス・ムスサミ オンプラカシュ・鈴木悠平・ファイズ サレ・ムカンナン アリバナンドハン（静岡大）・鎌倉良成（阪大）・早川泰弘（静岡大） ED2014-139 SDM2014-148 |
我々は，熱電発電デバイスの高効率化やサーモパイル型赤外線センサの高感度化を目指して，熱電変換材料の特性向上の研究を行なっ... [more] | ED2014-139 SDM2014-148 pp.7-11 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-27 16:10 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | 極薄SOI膜のゼーベック係数制御とナノ構造熱電特性測定技術の構築 ○池田浩也・鈴木悠平・三輪一聡（静岡大）・ファイズ サレ（静岡大/学振） ED2013-137 SDM2013-152 |
シリコンのナノ構造化により，熱電変換性能の向上が期待されている．シリコンのゼーベック係数にはフォノンドラッグの効果も強く... [more] | ED2013-137 SDM2013-152 pp.31-35 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-16 16:35 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数 ○鈴木悠平・三輪一聡（静岡大）・ファイズ サレ（静岡大/学振）・下村 勝・石田明広・池田浩也（静岡大） ED2013-22 CPM2013-7 SDM2013-29 |
Siナノワイヤを用いたサーモパイル型赤外線センサを作製するために，収束イオンビーム(FIB)によってn型SOI層へのGa... [more] | ED2013-22 CPM2013-7 SDM2013-29 pp.33-37 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 14:10 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化 ○池田浩也・鈴木悠平・三輪一聡（静岡大）・ファイズ サレ（静岡大/学振） ED2012-129 SDM2012-158 |
シリコンをナノ構造化することにより熱電変換性能を向上するためのひとつのポイントは，フェルミエネルギーを制御してゼーベック... [more] | ED2012-129 SDM2012-158 pp.7-11 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-08 11:00 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数 ○ファイズ サレ（静岡大/学振）・三輪一聡・池田浩也（静岡大） ED2011-153 SDM2011-170 |
ナノ構造化によりゼーベック係数を増加するためには、フェルミエネルギーを不純物バンドの影響無しに制御する必要があることがわ... [more] | ED2011-153 SDM2011-170 pp.65-69 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 14:10 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究 ○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大） ED2010-193 SDM2010-228 |
単電子箱と単電子ポンプを組み合わせた構造を持つ,新しい単電子冷却デハ&#... [more] | ED2010-193 SDM2010-228 pp.7-12 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 14:35 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価 ファイズ サレ・○池田浩也（静岡大） ED2010-194 SDM2010-229 |
[more] | ED2010-194 SDM2010-229 pp.13-17 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 14:45 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 ○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大） ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20 |
シリコン基板上に作製可能な単電子冷却デバイスを提案し，その単電子トンネル動作について理論的評価を行った．その構造は，単電... [more] | ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20 pp.17-21 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 13:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数 ○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大） ED2009-197 SDM2009-194 |
シリコンナノ構造の熱電特性について調べている．リンをドープしたn 型の極薄SOI（silicon-on-insulato... [more] | ED2009-197 SDM2009-194 pp.5-9 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-27 11:45 |
北海道 | 北海道大学 | 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性 ○池田浩也・ファイズ サレ・浅井清涼・石田明広（静岡大） ED2008-238 SDM2008-230 |
実用化に対して十分な変換効率を持つ熱電変換デバイスのための材料として，シリコンナノ構造に注目し ている．我々は，電子の閉... [more] | ED2008-238 SDM2008-230 pp.81-85 |
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