| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-24 09:30 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］フィラメント制御による28nm混載メモリ向けReRAM開発 ○早川幸夫・姫野敦史・安原隆太郎・藤井 覚・伊藤 理・川島良男・池田雄一郎・川原昭文・河合 賢・魏 志強・村岡俊作・島川一彦・三河 巧・米田慎一（パナソニック）  SDM2015-57 ICD2015-26 |
２８ｎｍ混載メモリ向けとして、耐熱性に優れ、フィラメント制御が可能なＴａＯｘ ＲｅＲＡＭ素子を提案する。その為に、我々は... [more] | SDM2015-57 ICD2015-26 pp.1-5 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 13:55 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発 ○杉井寿博・射場義久・青木正樹・能代英之・角田浩司・畑田明良・中林正明・山崎裕一・高橋 厚・吉田親子（超低電圧デバイス技研組合） SDM2014-68 ICD2014-37 |
本論文では，エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ，不揮発，無限回書き換え，高... [more] | SDM2014-68 ICD2014-37 pp.35-38 |
| SDM | 2012-03-05 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス ○久米一平・井上尚也・肱岡健一郎・川原 潤・武田晃一・古武直也・白井浩樹・風間賢也・桑原愼一・渡會雅敏・佐甲 隆・高橋寿史・小倉 卓・泰地稔二・笠間佳子（ルネサス エレクトロニクス） SDM2011-177 |
従来のeDRAMでは、M1とトランジスタの間にシリンダ容量を配置するために、極めて高いコンタクトを設ける必要がある。LS... [more] | SDM2011-177 pp.7-11 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現 ○亀代典史・渡部隆夫・石井智之・峰 利之（日立）・佐野聡明（ルネサス北日本セミコンダクタ）・伊部英史・秋山 悟（日立）・柳沢一正・一法師隆志・岩松俊明・高橋保彦（ルネサステクノロジ） SDM2008-136 ICD2008-46 |
SESO (Single Electron Shut-off)トランジスタのプロセスを見直し、ロジックプロセス互換性を実... [more] | SDM2008-136 ICD2008-46 pp.47-52 |
| ICD | 2008-04-18 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | 共有書き込みトランジスタセルとリーク電流複製読み出し方式を用いた4-Mb MRAMマクロ ○根橋竜介・崎村 昇・杉林直彦・本庄弘明・齊藤信作・加藤有光・笠井直記（NEC） ICD2008-12 |
我々は、面積効率が高い混載向けMRAMマクロを提案する。このマクロに導入された、2T1MTJ-MRAMセル技術に基づく共... [more] | ICD2008-12 pp.63-68 |
| ICD | 2007-04-12 09:00 |
大分 | 大分県・湯布院・七色の風 | 混載向け高速ＭＲＡＭセル技術 ○崎村 昇・杉林直彦・根橋竜介・本庄弘明・志村健一・笠井直記（NEC） ICD2007-1 |
我々は、次世代のシステムLSIへ混載可能な新しい高速MRAMセル技術を開発した。このセル技術は、?書き込み動作速度を飛躍... [more] | ICD2007-1 pp.1-5 |
| ICD | 2007-04-12 11:10 |
大分 | 大分県・湯布院・七色の風 | ［招待講演］書換え電流１００μA、書換え速度４１６kB/sで動作する混載向け５１２kB相変化メモリ ○小田部 晃・半澤 悟（日立）・北井直樹（日立超LSIシステムズ）・長田健一・松井裕一・松崎 望・高浦則克（日立）・茂庭昌弘（ルネサステクノロジ）・河原尊之（日立） ICD2007-5 |
0.13μm，1.5V CMOS技術を用いて，混載向け512kB相変化メモリを試作した。既開発の低電力相変化メモリセルを... [more] | ICD2007-5 pp.23-28 |
| ICD, ITE-CE (共催) |
2006-01-26 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | 1.5-V CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術 ○半澤 悟・長田健一・河原尊之・竹村理一郎（日立）・北井直樹（日立超LSIシステムズ）・高浦則克・松崎 望・黒土健三・守谷浩志（日立）・茂庭昌弘（ルネサステクノロジ） |
世界最小電流でリセット可能な相変化素子を用いたメモリセルのリセット/セット/リードの各動作を検証して、三つの相変化RAM... [more] | ICD2005-206 pp.7-12 |
| SIP, ICD, IE, IPSJ-SLDM (共催) |
2005-10-20 16:30 |
宮城 | 作並温泉一の坊 | SOIを用いたキャパシタレス・ツイントランジスタRAM (TTRAM) ○行天隆幸・森下 玄・野田英行（ルネサステクノロジ）・岡本真子（大王電機）・一法師隆志・前川繁登・堂阪勝己・有本和民（ルネサステクノロジ） |
本稿では，SOIを用いた新規のメモリとして，キャパシタレス・ツインセルトランジスタRAM（TTRAM）を提案する。提案す... [more] | SIP2005-113 ICD2005-132 IE2005-77 pp.107-112 |
| ICD | 2005-04-14 11:40 |
福岡 | 福岡システムLSI 総合開発センター | SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM ○大澤 隆・藤田勝之・初田幸輔（東芝）・東 知輝（東芝マイクロエレクトロニクス）・森門六月生・南 良博・篠 智彰・中島博臣・井納和美・浜本毅司・渡辺重佳（東芝） |
SOI上のキャパシタレスDRAMセル、あるいはFloating Body Cell(FBC)と呼ばれているセルを使った1... [more] | ICD2005-5 pp.23-28 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]